การเปลี่ยนโฉมหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลในศูนย์ข้อมูล

เทคโนโลยีใหม่อันล้ำสมัยจาก Intel ได้เปลี่ยนโฉมลำดับชั้นของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลและหน่วยความจำ

ข้อมูลสำคัญ

  • ช่องว่างระหว่าง DRAM ที่มีประสิทธิภาพสูงที่ลบเลือนได้ และ NAND ประสิทธิภาพต่ำ แต่ราคาไม่แพงสามารถยับยั้งการเปลี่ยนแปลงของศูนย์ข้อมูลได้

  • เทคโนโลยี Intel® Optane™ คือสื่อจัดเก็บข้อมูลรุ่นใหม่ที่ไม่ใช่ NAND และไม่ลบเลือน ซึ่งจะมาเติมเต็มช่องว่างด้านราคา/ความจุด้วยระดับชั้นใหม่

  • หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™, ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ และไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND คือระดับชั้นใหม่ของข้อมูล

  • การทำงานร่วมกันของไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND และเทคโนโลยี Intel® Optane™ มอบความยืดหยุ่นที่เหมาะกับเวิร์คโหลดจำนวนมาก

  • ฟอร์มแฟคเตอร์ 3D NAND “Ruler” ของ Intel ได้ออกแบบเพื่อจัดการกับความร้อนอย่างมีประสิทธิภาพ มีความจุสูง และการจัดการที่ง่ายขึ้น

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

การเดิมพันที่สูงในศูนย์ข้อมูล

กองข้อมูลให้ความสำคัญกับข้อมูลเชิงลึกและนวัตกรรมสำหรับธุรกิจที่คิดและออกแบบสถาปัตยกรรมระบบใหม่ แต่บริษัทที่ไม่ได้ออกแบบสถาปัตยกรรมใหม่อาจพบว่าตัวเองกำลังดิ้นรนเพื่อไม่ให้ถูกฝังอยู่ในแหล่งข้อมูล

ซึ่งปัญหาไม่ได้เกิดจากการจัดเก็บข้อมูลดิบเท่านั้น เพื่อให้ธุรกิจอยู่ในการแข่งขันได้นั้น พวกเขาจำเป็นต้องเข้าถึงและประมวลผลข้อมูลนั้นอย่างรวดเร็วและคุ้มค่าสำหรับข้อมูลเชิงลึกทางธุรกิจ การวิจัย ปัญญาประดิษฐ์ (AI) และการใช้งานอื่นๆ ทั้งหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลนั้นจำเป็นเพื่อเปิดใช้งานการประมวลผลในระดับนี้ และบริษัทต้องดิ้นรนเพื่อสร้างสมดุลระหว่างค่าใช้จ่ายที่สูงต่อความจุที่มีจำกัด และข้อจำกัดด้านประสิทธิภาพ

ความท้าทายนี้ยากยิ่งขึ้นไปอีก เนื่องจากต้องใช้หน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลหลากหลายประเภทสำหรับเวิร์คโหลดที่แตกต่างกัน นอกจากนี้อาจมีการใช้เทคโนโลยีต่างๆ เข้าด้วยกัน เพื่อให้เกิดการตัดทอนที่ดีที่สุดในด้านต้นทุนกับประสิทธิภาพการทำงาน

Intel กำลังแก้ปัญหาเหล่านี้ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูลใหม่ ซึ่งทำให้ธุรกิจสามารถเปลี่ยนโฉมสถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลของตนเองได้

ช่องว่างในลำดับชั้นของหน่วยความจำ/อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล

ในอดีตที่ผ่านมา การใช้หน่วยความจำและโซลูชันการจัดเก็บข้อมูลถูกจำกัดด้วยความหนาแน่น ประสิทธิภาพ และค่าใช้จ่าย ข้อจำกัดนี้เกิดขึ้นในองค์กรทุกประเภท ตั้งแต่ธุรกิจค้าปลีกไปจนถึงรัฐบาล การดูแลสุขภาพ และการเงิน ตัวอย่างเช่น ผู้ให้บริการระบบคลาวด์ (CSP) อาจประสบปัญหาความยากลำบากในการทำตามข้อตกลงด้านระดับของบริการ (SLA) เมื่อปริมาณข้อมูลเพิ่มขึ้น บริษัทที่ให้บริการด้านการเงินสามารถดำเนินงานได้ตามขีดจำกัดด้านความจุและประสิทธิภาพ เพื่อการดำเนินการด้านธุรกรรมจำนวนมากอย่างรวดเร็ว และธุรกิจระดับองค์กรไม่สามารถตอบสนองความต้องการด้านการวิเคราะห์หน่วยความจำภายในที่เกิดขึ้นจากลูกค้า สินค้าคงคลัง โซเชียลมีเดีย และข้อมูล Internet of Things (IoT) — โดยส่วนใหญ่แล้วจะเป็นผลมาจากการมีต้นทุนสูงและความสามารถด้าน RAM แบบไดนามิก (DRAM) ที่จำกัด

เพื่อการจัดการข้อมูลอย่างมีประสิทธิภาพและประสิทธิผล ธุรกิจจำเป็นต้องกำหนดองค์ประกอบโครงสร้างพื้นฐานที่ตรงกับความต้องการและงบประมาณของตนมากที่สุด นั่นไม่ใช่งานที่ง่ายเลยเพราะแต่ละเทคโนโลยีในลำดับชั้นต่างก็มีจุดแข็งและจุดอ่อนดังนี้:

  • DRAM มีประสิทธิภาพยอดเยี่ยม แต่มีราคาที่สูง ลบเลือนได้ และมีความสามารถในการปรับขนาดที่จำกัด
  • หน่วยความจำแบบแฟลช (NAND) นั้นใช้งานได้ถาวรและมีราคาถูกกว่า DRAM แต่มีประสิทธิภาพด้อยกว่า DRAM
  • ฮาร์ดดิสก์ไดรฟ์ (HDD) ให้พื้นที่เก็บข้อมูลขนาดใหญ่ในราคาต่ำที่สุด แต่แผ่นดิสก์ทำให้เกิดปัญหาต้นทุนรวมในการเป็นเจ้าของ (TCO) ที่ต่างรู้จักกันในด้านความน่าเชื่อถือ ความต้องการของพื้นที่ทางกายภาพ การระบายความร้อน และพลังงาน

ตัวเลือกการจัดเก็บแบบดั้งเดิมเหล่านี้ได้ทิ้งช่องว่างที่สำคัญไว้ในหน่วยความจำและความต่อเนื่องในการจัดเก็บในศูนย์ข้อมูล จึงทำให้เกิดการจำกัดประสิทธิภาพของแอพพลิเคชัน ปริมาณข้อมูลที่เพิ่มมากขึ้นและความต้องการในการเข้าถึงข้อมูลได้รวดเร็วยิ่งขึ้น ทำให้ปัญหาเกิดมากขึ้น

โดยเฉพาะอย่างยิ่ง ช่องว่าง 2 อย่างของหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ชัดเจนสำหรับองค์กรที่พยายามเปลี่ยนแปลงศูนย์ข้อมูล:

  • ระหว่าง DRAM ที่มีราคาสูงและความจุต่ำ กับไดรฟ์ Solid-State (SSD) ที่ใช้ NAND ซึ่งมีราคาถูกกว่า
  • ระหว่าง NAND SSD ที่มีความเร็วต่ำกว่า กับ HDD ที่มีราคาถูกกว่า แต่มีความน่าเชื่อถือที่น้อยกว่า

องค์กรต่างๆ ไม่มีทางเลือกที่เหมาะสมเลยสำหรับการสร้างสมดุลระหว่างต้นทุน ความจุ และประสิทธิภาพในการลดช่องว่างเหล่านั้น—จนกระทั่งในปัจจุบัน (ดูรูปที่ 1)

รูปที่ 1 หน่วยความจำแบบดั้งเดิมและความต่อเนื่องของการจัดเก็บ ทำให้เกิดช่องว่างขนาดใหญ่ด้านความจุ ต้นทุน และประสิทธิภาพ

การปิดช่องว่างด้วยเทคโนโลยีของ Intel®

Intel ช่วยขจัดปัญหาหน่วยความจำของศูนย์ข้อมูลและช่องว่างของการจัดเก็บ ด้วยโซลูชันที่ได้รับการออกแบบมาเพื่อมอบประสิทธิภาพ ความจุ และความน่าเชื่อถือสูง โซลูชันเหล่านี้มอบความหน่วงต่ำและมูลค่าในการดำเนินงานที่ดีกว่าตัวเลือกแบบดั้งเดิม โดยเฉพาะกลุ่มผลิตภัณฑ์ 3 กลุ่มที่ออกแบบมาเพื่อปิดช่องว่างต้นทุนและประสิทธิภาพในศูนย์ข้อมูลด้วยความยืดหยุ่นสำหรับระดับข้อมูลใหม่:

  • หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ คือเทคโนโลยีหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลระดับใหม่ที่ให้ความจุสูง ราคาไม่สูง และมีความต่อเนื่อง เวิร์คโหลดและบริการต่างๆ สามารถปรับเพื่อลดความหน่วงและเพิ่มประสิทธิภาพโดยรวมได้ ซึ่งทำให้องค์กรสามารถรักษาข้อมูลในปริมาณมากไว้ใกล้กับโปรเซสเซอร์มากขึ้น
  • ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ รวมคุณสมบัติของหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลเข้ากับทรูพุตที่สูง ความหน่วงต่ำ คุณภาพของบริการ (QoS) ที่สูง และความทนทานสูง
  • ไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND เช่นไดรฟ์ Solid-State Intel® D5-P4320 มอบความหนาแน่นของ Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*) สูงที่สุดในตลาด ในราคาที่เหมาะสำหรับการแทนที่ HDD สำหรับจัดเก็บข้อมูลที่เข้าถึงได้น้อยกว่า

ผลิตภัณฑ์อันล้ำสมัยเหล่านี้จะช่วยให้คุณสามารถปรับเปลี่ยนการกำหนดค่าศูนย์ข้อมูล เพื่อรับมือกับเวิร์คโหลดใหม่ๆ และทำให้ธุรกิจของคุณอยู่ในการแข่งขันต่อไปได้ ผลิตภัณฑ์แต่ละรายการได้รับการอธิบายอย่างละเอียดด้านล่างด้วยตัวอย่างของประสิทธิภาพ ความจุ และผลประโยชน์ด้านต้นทุนที่ได้รับ

เทคโนโลยี Intel® Optane™ สร้างระดับใหม่ในลำดับชั้นข้อมูล

ธุรกิจจะต้องคิดทบทวนวิธีแก้ปัญหาใหม่ในแบบที่ไม่เคยคิดมาก่อน ปรับตัวเข้ากับเทคโนโลยีใหม่ และพัฒนาเพื่อตอบสนองความต้องการของลูกค้า เทคโนโลยี Intel® Optane™ คือตัวเลือกของหน่วยความจำถาวรใหม่อิงตามเทคโนโลยี Intel® 3D XPoint™ ที่ปรับแต่งสถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลที่มีอยู่ให้ทันสมัยด้วยระดับใหม่ในหน่วยความจำและลำดับชั้นการจัดเก็บข้อมูล ช่วยเติมเต็มช่องว่างระหว่างหน่วยความจำที่มีประสิทธิภาพสูงที่ลบเลือนได้ และหน่วยความจำ NAND ที่มีประสิทธิภาพต่ำ แต่ราคาไม่สูง เทคโนโลยี Intel® Optane™ คือการผสมผสานอันโดดเด่นของความหน่วงต่ำ คุณภาพของบริการ (QoS) ที่สูง ความทนทานสูง และทรูพุตสูง

รูปที่ 2: เทคโนโลยี Intel® Optane™ รวมประโยชน์ด้านประสิทธิภาพของ DRAM เข้ากับประโยชน์ด้านความจุของ NAND SSD

เทคโนโลยี Intel® Optane™ เหมาะสำหรับการจัดการ "ข้อมูลการทำงาน": ข้อมูลที่ต้องอยู่ใกล้กับ CPU เพื่อการเข้าถึงที่รวดเร็ว ข้อมูลการทำงานจะเกี่ยวกับการเข้าถึงข้อมูลได้เร็วขึ้นมากขึ้นสำหรับการวิเคราะห์ตามเวลาจริง ธุรกรรมทางการเงิน การจองเที่ยวบิน และกรณีการใช้งานอื่นๆ ที่ต้องการเวลาตอบสนองการอ่านที่รวดเร็ว—เมื่อเวลาตอบสนองเฉลี่ยไม่ดีพอ ในข้อมูลการทำงาน ประสิทธิภาพที่คาดการณ์ได้และสอดคล้องกันมีความสำคัญแม้กระทั่งจากคำขอแรก

ทั้งหน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ และไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ถูกสร้างโดยเทคโนโลยี Intel® Optane™ แต่ตามที่อธิบายไว้ด้านล่าง แต่ละแบบจะมีฟอร์มแฟคเตอร์ที่แตกต่างกัน และสามารถใช้แบบแยกต่างหากหรือใช้ร่วมกันในศูนย์ข้อมูลเพื่อนำเสนอหน่วยความจำและพื้นที่จัดเก็บใหม่สำหรับธุรกิจ

หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ จะช่วยให้คุณสามารถขยายหรือแทนที่ DRAM ที่มีราคาแพง

หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ เป็นผลิตภัณฑ์ที่พลิกโฉมอุตสาหกรรม ซึ่งเติมเต็มช่องว่างระหว่าง DRAM และไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ สำหรับบริษัทที่ต้องใช้การประมวลผลข้อมูลในหน่วยความจำ หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ เปิดประตูสู่การเข้าถึงข้อมูล “Hot” ในปริมาณที่สูงขึ้นสำหรับ AI การวิเคราะห์ การประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC) และการใช้งานอื่นๆ

ไม่เหมือนกับ DRAM รุ่นดั้งเดิม หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ ได้ผสานรวมความหนาแน่นสูง ราคาที่เอื้อมถึงได้ และใช้งานได้ถาวร ด้วยการขยายขีดความสามารถของหน่วยความจำระบบที่ราคาไม่แพง (มากกว่า 3 TB ต่อซ็อกเก็ต CPU) ธุรกิจสามารถปรับแต่งเวิร์คโหลดของศูนย์ข้อมูลได้ดีขึ้นโดยการย้ายข้อมูลจำนวนมากเข้าใกล้โปรเซสเซอร์ และความหน่วงการเข้าถึงข้อมูลที่สูงขึ้นจากระบบจัดเก็บข้อมูลแบบไม่ลบเลือนแบบดั้งเดิม

หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ จะวางจำหน่ายในปี 2019 พร้อมการเปิดตัวแพลตฟอร์ม Intel® Xeon® Scalable รุ่นใหม่

รูปที่ 3 โมดูลหน่วยความจำถาวร Intel® Optane™

โปรเซสเซอร์ Intel® Optane™ Solid State P4800X แก้ไขปัญหาข้อมูลการทำงานในศูนย์ข้อมูล

ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X อาจดูเหมือนไดรฟ์ Solid-State ทั่วไป แต่เพราะการสร้างโดยเทคโนโลยี Intel® Optane™ ทำให้ไม่ได้ยึดตาม NAND สถาปัตยกรรมที่เป็นเอกลักษณ์ของไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X จะมอบความโดดเด่นให้กับการใช้งานที่มีทั้งความรวดเร็วและสม่ำเสมอกว่าไดรฟ์ Solid-State ที่ใช้ NAND โดยทั่วไปแล้วไดรฟ์ที่ใช้งาน NAND จะมีเวลาอ่านที่รวดเร็ว แต่ใช้เวลาในการเขียนช้า และจะยิ่งช้าลงไปอีกภายใต้ความกดดันของการดำเนินงานที่มีความถี่สูง ในทางกลับกัน ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ถูกออกแบบมาเพื่อดำเนินการเขียนในระดับไบต์หรือระดับเพจเพื่อประสิทธิภาพที่รวดเร็วและคาดการณ์ได้มากขึ้น ด้วยประสิทธิภาพการอ่านและเขียนที่สมดุลยิ่งขึ้นและไม่จำเป็นต้องมีการรวบรวมขยะ

ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X รักษาเวลาตอบสนองการอ่านอย่างสม่ำเสมอโดยไม่คำนึงถึงการเพิ่มทรูพุตการเขียนลงในไดรฟ์ กราฟในรูปที่ 4 แสดงให้เห็นถึงความหน่วงของไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ที่ต่ำกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับไดรฟ์ Solid-State Intel® 3D NAND เจนเนอเรชั่นปัจจุบัน โดยเฉพาะอย่างยิ่งภายใต้แรงกดดันของการเพิ่มการเขียนแบบสุ่ม ซึ่งแตกต่างจากไดรฟ์ Solid-State ที่ใช้ NAND ความหน่วงของไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ นั้นยังคงต่ำสำหรับการร้องขอการเขียนทั้งหมด1

รูปที่ 4 ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X มอบความหน่วงต่ำเมื่อเปรียบเทียบกับไดรฟ์ Solid-State Intel® 3D NAND1

การรวมกันของความหน่วงต่ำที่มีความสม่ำเสมอและความทนทานสูง ช่วยให้ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ทำงานได้อย่างมีประสิทธิภาพมากขึ้นในการแคชอุปกรณ์มากกว่าโซลูชันที่ใช้ NAND

การศึกษาจาก Evaluator Group แสดงให้เห็นถึงผลกระทบของการแทนที่โซลูชันแคชการเขียนและการจัดเก็บแฟลชแบบ NAND ด้วยไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ในเลเยอร์แคช การทดสอบพบว่าระบบที่สร้างบนโปรเซสเซอร์ Intel® Xeon® Scalable ที่ใช้ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ สำหรับเลเยอร์แคช ส่งมอบระดับราคา/ประสิทธิภาพที่ดีขึ้นถึง 3 เท่าเมื่อเทียบกับสื่อระบบและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลรุ่นก่อนหน้า ตามการวัดประสิทธิภาพโดย IOmark-VM*2

ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X ยังมอบความทนทานสูงกว่าไดรฟ์ที่ใช้ NAND การเปรียบเทียบไดรฟ์สองตัวที่วางจำหน่ายในปัจจุบัน ยกตัวอย่างเช่น การแสดงให้เห็นถึงการเขียนสูงสุด 60 ไดรฟ์ต่อวัน (DWPD) สำหรับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X เปรียบเทียบกับไดรฟ์ Solid-State Intel® P4600 ที่ใช้ NAND ที่ทำได้เพียง 3 DWPD3 ซึ่งทำให้ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ทนทานยิ่งขึ้นในสภาพแวดล้อมแคชที่มีปริมาณการใช้งานสูง

หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ ยังสามารถใช้ร่วมกับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ เพื่อสร้างระดับใหม่ของความยืดหยุ่นและความเหมือนหน่วยความจำ ตามที่แสดงในรูปที่ 5 โดยทั่วไปแล้วข้อมูลที่มีค่าซึ่งถูกกักอยู่ในหน่วยความจำ NAND ที่มีความเร็วต่ำกว่าจะสามารถเข้าถึงและดำเนินการได้อย่างรวดเร็ว

รูปที่ 5 หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ สามารถใช้ร่วมกับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ เพื่อสร้างระดับใหม่ทั้งหมดสำหรับการจัดการข้อมูลการทำงานมากที่สุดและข้อมูลความจุที่ใช้งานมากสำหรับการวิเคราะห์ในหน่วยความจำ (สีแดง = ข้อมูล “Hot”, สีเหลือง = ข้อมูล “Warm” และสีฟ้า = ข้อมูล “Cold”)

เพิ่มประสิทธิภาพซอฟต์แวร์เพื่อใช้ประโยชน์จากประสิทธิภาพของเทคโนโลยี Intel® Optane™

การปรับปรุงประสิทธิภาพที่สำคัญสามารถทำได้อย่างง่ายดายเพียงเพิ่มไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ ไปยังโครงสร้างพื้นฐานของศูนย์ข้อมูลที่มีอยู่ แต่การปรับปรุงซอฟต์แวร์สามารถสร้างผลลัพธ์ด้านประสิทธิภาพที่ดียิ่งขึ้นสำหรับแอพพลิเคชันที่ทำงานบนเทคโนโลยี Intel® Optane™ โดยเฉพาะซอฟต์แวร์โอเพนซอร์สที่จะเข้ากันได้ดีกับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ เนื่องจากนักพัฒนาสามารถแก้ไขแอพพลิเคชันเพื่อใช้ประโยชน์จากไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X

ตัวอย่างเช่นที่ Oracle สถาปนิกด้านประสิทธิภาพได้ปรับ MySQL* สำหรับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X ซึ่งส่งผลให้เกิดการปรับปรุงประสิทธิภาพสูงถึง 5 เท่าสำหรับเวิร์คโหลดอินพุต/เอาท์พุต (I/O) ที่หนักหน่วง สถาปนิกของ Oracle ยังสามารถอ่านได้ถึง 1 ล้านครั้งโดยไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ เพียงตัวเดียว4

อีกตัวอย่างหนึ่ง การเพิ่มประสิทธิภาพไปยัง Direct I/O* แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่สูงขึ้นถึง 48 เปอร์เซ็นต์ใน Java 10* เมื่อเทียบกับ Buffered I/O*5 การเพิ่มประสิทธิภาพเหล่านี้มีความสำคัญสำหรับองค์กรที่ใช้งานเวิร์คโหลด AI หรือฐานข้อมูลบน Java เช่น Cassandra* หรือ Apache HBase*

สถาปนิกซอฟต์แวร์สามารถใช้เครื่องมือและชุดการพัฒนาที่มีอยู่เพื่อปรับแต่งประสิทธิภาพสำหรับเทคโนโลยี Intel® Optane™ ใช้แหล่งข้อมูลต่อไปนี้จาก Intel เพื่อเริ่มต้น:

ขยายหน่วยความจำด้วยเทคโนโลยี Intel® Memory Drive

ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ สามารถกำหนดค่าเป็นหน่วยความจำเสริมโดยใช้เทคโนโลยี Intel® Memory Drive เทคโนโลยี Intel® Memory Drive จะผสานรวมไดรฟ์ Solid-State เข้าไปในระบบย่อยของหน่วยความจำและทำให้ระบบปฏิบัติการและแอพพลิเคชั่นมองเห็นเป็น DRAM โดยไม่จำเป็นต้องเปลี่ยนแปลงระบบปฏิบัติการหรือแอพพลิเคชั่น เทคโนโลยี Intel® Memory Drive สามารถใช้เพื่อแทนที่ส่วนหนึ่งของ DRAM และลดต้นทุนหน่วยความจำโดยรวม หรือเพื่อเพิ่มพูลหน่วยความจำให้เหนือกว่าความจุของ DRAM เมื่อต้องการความจุหน่วยความจำระบบขนาดใหญ่

ในความเป็นจริง ประสิทธิภาพ Apache Spark* จะเร็วขึ้น 5 เท่าโดยการเพิ่มซอฟต์แวร์เทคโนโลยี Intel® Memory Drive พร้อมกับไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X4

ลดช่องว่างของพื้นที่จัดเก็บด้วยไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND

เนื่องจากเทคโนโลยี NAND มีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้นและมีราคาที่ต่ำลง ความจำเป็นในการใช้ไดรฟ์ทั่วไปจึงลดลงอย่างต่อเนื่อง ความก้าวหน้าล่าสุดอย่างไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND อาจทำให้ใช้แผ่นดิสก์เพื่อแค่เก็บข้อมูลที่ไม่ใช้แล้ว

ไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้ความน่าเชื่อถือของแฟลชในระดับความหนาแน่นที่สูงกว่า ในราคาที่เอื้อมถึงได้ ประโยชน์เหล่านี้ช่วยขจัดอุปสรรคในการเปลี่ยน HDD แบบเดิม ซึ่งโดยทั่วไปจะทำงานได้ช้ากว่า เชื่อถือได้น้อยกว่า ใช้พลังงานมากกว่า ต้องการการระบายความร้อนมากกว่า และใช้พื้นที่จัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ขึ้นเมื่อเทียบกับแฟลชไดรฟ์

รูปที่ 6 ด้วยการเปลี่ยนจาก HDD เป็นไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND ทำให้ธุรกิจสามารถประหยัดพลังงาน ระบายความร้อน และบริการได้อย่างมีประสิทธิภาพด้วยขนาดของศูนย์ข้อมูลที่เล็กลง6 7

ไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND สามารถทำงานร่วมกับเทคโนโลยี Intel® Optane™ เพื่อเร่งความเร็วของข้อมูลที่ถูกใช้งานเป็นประจำ ในขณะที่ใช้ผลประโยชน์ด้านราคาและความจุจากเทคโนโลยีแฟลชแทนที่ HDD สำหรับการจัดเก็บข้อมูลขนาดใหญ่ ซึ่งช่วยให้องค์กรต่างๆ สามารถเติมเต็มช่องว่างในการจัดเก็บข้อมูลระหว่างไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ และ HDD ยิ่งไปกว่านั้น เนื่องจากไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND ให้ความน่าเชื่อถือสูงในราคาที่สามารถเป็นเจ้าของได้ง่าย องค์กรจำนวนมากจึงสามารถใช้แทนที่ HDD ได้

รวบรวมข้อมูลด้วยฟอร์มแฟคเตอร์อันล้ำสมัยรุ่นใหม่จาก Intel

Intel ได้ปิดช่องว่างด้านราคา/ความจุด้วยฟอร์มแฟคเตอร์อันล้ำสมัยรุ่นใหม่ ฟอร์มแฟคเตอร์ Intel’s 3D NAND “Ruler” สำหรับไดรฟ์ Solid-State ที่ชนะรางวัลในงาน Gold International Design Excellence Award ในปี 2018 ได้ปรับปรุงความหนาแน่น การจัดการ และความสามารถในการให้บริการ ควบคู่ไปกับการออกแบบการระบายความร้อนที่มีประสิทธิภาพซึ่งเป็นการปฏิวัติสถาปัตยกรรมเซิร์ฟเวอร์

เนื่องจากรูปลักษณ์และคุณสมบัติที่เป็นเอกลักษณ์ของไดรฟ์ซึ่งมีพื้นฐานจาก EDSFF ผู้จำหน่ายอย่าง Supermicro จึงสามารถติดตั้งไดรฟ์ "Ruler" ของ Intel 32 ตัว ขนาด 32 TB แต่ละตัวลงในเซิร์ฟเวอร์ 1U เดียว ซึ่งให้ข้อมูลได้ถึงหนึ่งเพตะไบต์ต่อเซิร์ฟเวอร์8

เปลี่ยนโฉมอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลสำหรับศูนย์ข้อมูล

เทคโนโลยี Intel® ช่วยให้ธุรกิจสมัยใหม่สามารถจัดเก็บ ประมวลผล และจัดการข้อมูลจำนวนมหาศาลได้อย่างรวดเร็วและยืดหยุ่นเพื่อการวิเคราะห์, AI, HPC และเวิร์คโหลดอื่นๆ โดยเติมเต็มช่องว่างของหน่วยความจำและการจัดเก็บด้วยตัวเลือกที่สมบูรณ์—ตั้งแต่หน่วยความจำถาวร Intel® Optane™ และไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X ไปจนถึงไดรฟ์ Solid-State Intel® QLC 3D NAND และไดรฟ์ฟอร์มแฟคเตอร์ “Ruler” ความจุสูง

ด้วยการทำงานร่วมกันของเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลและผลิตภัณฑ์ของ Intel ทำให้สถาปัตยกรรมศูนย์ข้อมูลมีความยืดหยุ่นในการจับคู่ประสิทธิภาพ ความจุ ความน่าเชื่อถือ และราคาที่เอื้อมถึงได้กับแอพพลิเคชันและเวิร์คโหลดทางธุรกิจ ถึงเวลาในการเปลี่ยนโฉมหน่วยความจำและอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลด้วยเทคโนโลยี Intel® Optane™ และเทคโนโลยี Intel® QLC 3D NAND

เรียนรู้เพิ่มเติม

เปลี่ยนโฉมศูนย์ข้อมูลของคุณด้วยเทคโนโลยีการจัดเก็บข้อมูลของ Intel ไปที่ https://www.thailand.intel.com/content/www/th/th/storage เพื่อเริ่มต้น

พร้อมที่จะพูดคุยกับ Intel เพื่อช่วยให้คุณเร่งความเร็วการเดินทางสู่การปรับศูนย์ข้อมูลให้ทันสมัยยิ่งขึ้นแล้วหรือยัง


ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ

1

แหล่งที่มา – ทดสอบโดย Intel: เวลาตอบสนองหมายถึงความหน่วงในการอ่านโดยเฉลี่ยที่วัดที่ Queue Depth 1 ระหว่างเวิร์คโหลดการเขียนแบบสุ่ม 4K โดยใช้ FIO 3.1 ดูการกำหนดค่าในเชิงอรรถ 1 ข้างต้น

2

ทดสอบโดย The Evaluator Group ซึ่งได้รับการว่าจ้างโดย Intel ดูรายละเอียดการกำหนดค่าที่ https://www.evaluatorgroup.com/document/lab-insight-latest-intel-technologies-power-new-performance-levels-vmware-vsan-2018-update/ การกำหนดค่าก่อนหน้า: โปรเซสเซอร์ Intel® Xeon® E5-2699 v4, ESXI ESXi600-201803001 Build 7967764, Ubuntu Linux 18.04, BIOS 2600WT SE5C610.86B.01.01.0024 สื่อจัดเก็บข้อมูล: 1 3700 800GB SSD + 6 x S3510 1.6TB ประสิทธิภาพ: 320 IOmark-VM, ราคา/ประสิทธิภาพ: $684/VM; การกำหนดค่าปัจจุบัน: โปรเซสเซอร์ Intel® Xeon® Gold 6154, ESXI ESXi-6.7.0-8169922 Build 8169922, Ubuntu Linux 18.04, BIOS SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427 สื่อจัดเก็บข้อมูล: 2 x P4800X 375GB SSD + 5 x P4500 4TB SSD, ประสิทธิภาพ: 1152 IOmark-VM, ราคา/ประสิทธิภาพ: $216/VM สื่อจัดเก็บข้อมูล: 1 x P3700 + 4 x Seagate 1TB 10K HDD, ประสิทธิภาพ: 88 IOmark-VM-HC, ราคา/ประสิทธิภาพ: $2153 / IOmark-VM-HC; การกำหนดค่าปัจจุบัน: สื่อจัดเก็บข้อมูล: 2 x P4800X SSD + 4 x P4500 4TB SSD, ประสิทธิภาพ: 704 IOmark-VM-HC ราคา/ประสิทธิภาพ: $684 / IOmark-VM-HC** ราคา/ประสิทธิภาพ: $237 / IOmark-VM-HC ผลลัพธ์ประสิทธิภาพตามการทดสอบในวันที่ 20 สิงหาคม 2018 และอาจจะไม่สามารถแสดงถึงอัพเดทความปลอดภัยที่เผยแพร่ต่อสาธารณะทั้งหมด ดูการเปิดเผยเรื่องการกำหนดค่าสำหรับรายละเอียด

3

Intel ดูข้อมูลจำเพาะของผลิตภัณฑ์ในตาราง “ข้อมูลสรุปเกี่ยวกับผลิตภัณฑ์:: Intel® Optane™ SSD P4800X” https://www.thailand.intel.com/content/www/th/th/products/docs/memory-storage/solid-state-drives/data-center-ssds/optane-ssd-dc-p4800x-p4801x-brief.html

4

ผลลัพธ์ประสิทธิภาพตามการทดสอบในวันที่ 20 กันยายน 2018 และอาจจะไม่สามารถแสดงถึงอัพเดทความปลอดภัยที่เผยแพร่ต่อสาธารณะทั้งหมด ดูการเปิดเผยเรื่องการกำหนดค่าสำหรับรายละเอียด ไม่มีส่วนประกอบหรือผลิตภัณฑ์ใดที่จะปลอดภัยอย่างสมบูรณ์แบบ ที่มา: Intel การกำหนดค่าระบบ: ระบบเซิร์ฟเวอร์ Intel®, 2 x โปรเซสเซอร์ Intel® Xeon® Gold 6154, 384 GB DDR4 DRAM, ไดรฟ์ฐานข้อมูล: 2 x ไดรฟ์ Solid-State Intel® Optane™ P4800X (375 GB) และ 1 x ไดรฟ์ Intel® Solid-State ซีรี่ส์ P4510, 1 x ไดรฟ์ Intel® Solid-State ซีรี่ส์ S4510, CentOS 7.5* (kernel 4.18 (elrepo)), BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, ประเภทของผลิตภัณฑ์ระบบ: Intel® Server Board S2600WFT MySQL Server 8.0.13*, Sysbench 1.0.15* ที่กำหนดค่าสำหรับการแยกการเขียน/อ่านธุรกรรมการประมวลผลธุรกรรมออนไลน์ (OLTP) เป็น 70/30 โดยใช้ฐานข้อมูลขนาด 100GB แบ่งหน่วยความจำฐานข้อมูลให้กับ MySQL 30 เปอร์เซ็นต์ (30 GB)

5

ผลลัพธ์ประสิทธิภาพตามการทดสอบในเดือนกรกฎาคม 2018 และอาจจะไม่สามารถแสดงถึงอัพเดทความปลอดภัยที่เผยแพร่ต่อสาธารณะทั้งหมด ดูการเปิดเผยเรื่องการกำหนดค่าสำหรับรายละเอียด ไม่มีผลิตภัณฑ์ใดที่จะปลอดภัยอย่างสมบูรณ์แบบ แหล่งข้อมูล: Intel: การกำหนดค่าระบบ: บอร์ดเซิร์ฟเวอร์ Intel® S2600WFT แบบ White-Box, 2 x โปรเซสเซอร์ Intel® Xeon® Gold 6154 ความเร็ว 3.00 GHz ที่มี Vcore 36 คอร์, 64 GB DIMM DDR4 แบบ Synchronous 2,666 MHz (0.4 ns) (4 x 16 GB), 1 x NVM Express* (NVMe*) Peripheral Component Interconnect Express* (PCIe*) Intel® Optane™ SSD P4800X ขนาด 750 GB (เวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์: E2010324), 1 x NVMe* PCIe* Intel® SSD ซีรีส์ P4500 ขนาด 4 TB (เวอร์ชั่นเฟิร์มแวร์: QDV10150), เวอร์ชั่น Intel® BIOS: SE5C620.86B.00.01.0013.030920180427, CentOS 7.4* จัดจำหน่ายพร้อม 4.15.7 kernel ดูข้อมูล OpenJDK* ที่: OpenJDK “JDK 10” มีนาคม 2018 http://openjdk.java.net/projects/jdk/10/

6

การประหยัดต้นทุนด้านพลังงาน, การระบายความร้อน, การรวมเข้าด้วยกัน อิงจาก HDD: 7.2K RPM 4TB HDD, AFR 2.00% และกำลังไฟฟ้าจริง 7.7W, 24 ไดรฟ์แบบ 2U (พลังงานทั้งหมด 1971W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: กำลังไฟฟ้าจริง 22W 44% AFR, ไดรฟ์ 32 แบบ 1U (พลังงานทั้งหมด 704W); ต้นทุนการระบายความร้อนอิงจากเงื่อนไขการนำไปใช้ 5 ปี โดยมีต้นทุน Kwh $.158 และจำนวนวัตต์ในการระบายความร้อน 1 วัตต์ 1.20 อิงจากไดรฟ์ 3.5” HDD 2U 24 และไดรฟ์ EDSFF ยาว 1U แบบ 1U 32 พื้นที่จัดเก็บข้อมูลแบบไฮบริดที่อิงจากการใช้ Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD เป็นแคช

7

ประหยัดต้นทุนในการเปลี่ยนไดรฟ์ การคำนวณ: HDD 2% AFR x ไดรฟ์ 256 x 5 ปี = การเปลี่ยน 25.6 ครั้งใน 5 ปี; SSD: 0.44% AFR x ไดรฟ์ 32 x 5 ปี = การเปลี่ยน 0.7 ครั้งใน 5 ปี

8

Supermicro. “The systems support front hot-swap accessibility to 32 EDSFF drives for up to 1PB of fast low-latency NVMe* storage in 1U”. Source: “Supermicro Opens New Era of Petascale Computing with a Family of All-Flash NVMe* 1U Systems Scalable up to a Petabyte of High Performance Storage.” August 2018. https://www.supermicro.com/newsroom/pressreleases/2018/press180807_Petabyte_NVMe_1U.cfm. Referencing SuperStorage SSG-136R-NR32JBF: https://www.supermicro.com/products/system/1U/136/SSG-136R-NR32JBF.cfm.