อินเทอร์เฟซหน่วยความจำภายนอก

อุปกรณ์ Intel® Cyclone® 10 GX มอบสถาปัตยกรรมที่มีประสิทธิภาพที่ช่วยให้อินเทอร์เฟซหน่วยความจำ DDR3 กว้างถึง 72 บิตที่สูงถึง 1,866 Mbps ทั้งนี้เพื่อรองรับแบนด์วิธของระบบระดับสูงภายในโครงสร้างธนาคาร I/O แบบแยกส่วนขนาดเล็ก I/O ได้รับการออกแบบมาเพื่อให้การสนับสนุนที่มีประสิทธิภาพสูงสำหรับมาตรฐานหน่วยความจำภายนอกที่มีอยู่และที่เกิดขึ้นใหม่

เมื่อเทียบกับ Cyclone® FPGA รุ่นก่อน สถาปัตยกรรมและโซลูชันใหม่มีข้อดีดังต่อไปนี้:

  • เวลาปิดล่วงหน้าในคอนโทรลเลอร์และจากคอนโทรลเลอร์ไปยัง PHY
  • วางพินได้ง่ายขึ้น

เพื่อประสิทธิภาพและความยืดหยุ่นสูงสุด สถาปัตยกรรมมีตัวควบคุมหน่วยความจำแบบแข็งและ PHY แบบแข็งสำหรับอินเทอร์เฟซหลัก

  • โซลูชั่นนี้นำเสนออินเทอร์เฟซหน่วยความจำภายนอกที่ชุบแข็งอย่างสมบูรณ์สำหรับโปรโตคอลหลายตัว
  • อุปกรณ์มีคอลัมน์ของ I/O ที่ผสมกันในแฟบริกลอจิกหลัก แทนที่จะเป็นแบงค์ I/O ที่ขอบอุปกรณ์
  • บล็อกโปรเซสเซอร์ Nios® II แบบแข็งเพียงตัวเดียวปรับเทียบอินเทอร์เฟซหน่วยความจำทั้งหมดในคอลัมน์ I/O
  • คอลัมน์ I/O ประกอบด้วยกลุ่มโมดูล I/O ชื่อแบงก์ I/O
  • แต่ละแบงก์ I/O มี PLL เฉพาะจำนวนเต็ม (IO_PLL) ตัวควบคุมหน่วยความจำฮาร์ด และลูปล็อกล่าช้า
  • แผนผังนาฬิกา PHY สั้นกว่าเมื่อเปรียบเทียบกับอุปกรณ์ Cyclone® รุ่นก่อน และครอบคลุมแบงก์ I/O เพียงช่องเดียว