เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX
เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX คือตัวเร่งความเร็วมัลติฟังก์ชันที่มีความสำคัญสำหรับการประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC), ศูนย์ข้อมูล, ฟังก์ชันเครือข่ายเสมือนจริง (NFV) และแอปพลิเคชันออกอากาศ อุปกรณ์เหล่านี้จะรวมเอฟพีจีเอ และ SoC ที่ตั้งโปรแกรมได้และมีความยืดหยุ่น พร้อม 3D สแต็ก หน่วยความจำแบนด์วิธสูง 2 (HBM2) สถาปัตยกรรมเอฟพีจีเอ Intel® Hyperflex™ ให้คอร์ที่ประสิทธิภาพสูง และสามารถใช้แบนด์วิธได้อย่างมีประสิทธิภาพจาก tile หน่วยความจำภายในแพ็คเกจ tile หน่วยความจำ DRAM จะเชื่อมต่อทางกายภาพไปยังเอฟพีจีเอ โดยใช้เทคโนโลยี Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB)
ดูเพิ่มเติม: เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX ซอฟต์แวร์การออกแบบ, ร้านการออกแบบ, ดาวน์โหลด, ชุมชน และการสนับสนุน
เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX
Intel® Stratix® 10 MX FPGA
ดูเอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX และหาข้อมูลจำเพาะ คุณสมบัติ แอปพลิเคชัน และอีกมากมาย
คุณลักษณะและประโยชน์
แบนด์วิดธ์หน่วยความจำที่สูงกว่า
อุปกรณ์ Intel® Stratix® 10 MX ให้แบนด์วิธ 10X หรือมากกว่าเมื่อเทียบกับ โซลูชันหน่วยความจำแบบแยก เช่น DDR4 SDRAM DDR4 DIMM ดั้งเดิม ~21 GBps แบนด์วิธ ในขณะที่ tile 1 HBM2 ให้สูงสุดถึง 256 GBps อุปกรณ์ Intel® Stratix® 10 MX ที่ประกอบเป็น HBM2 ถึง 2 เครื่องในแพ็คเกจเดี่ยว ทำให้ให้แบนด์วิธหน่วยความจำสูงสุดถึง 512 GBps
พลังงานและประสิทธิภาพที่ดีที่สุด/วัตต์ลดลง
อุปกรณ์ Intel® Stratix® 10 MX พร้อมหน่วยความจำ HBM2 รวมในตัว อยู่ข้างแฟบริกคอร์ การเชื่อมต่อระหว่างแฟบริกคอร์และหน่วยความจำนั้นมีความสั้นกว่าอย่างมาก ซึ่งลดปริมาณของพลังงานดั้งเติมที่ใช้ในการขับเคลื่อน PCB trace ระยะยาว trace ไม่สามารถลบได้ และไม่มีการลดการโหลด capacitive ซึ่งส่งผลให้อัตราการใช้กระแสไฟฟ้า I/O ลดลง ผลลัพธ์รวมคือการลดพลังงานระบบ และประสิทธิภาพการทำงานที่ดีที่สุดต่อวัตต์
แฟคเตอร์และความง่ายในการใช้งาน
แพ็คเกจ Intel® Stratix® 10 MX รวมองค์ประกอบหน่วยความจำภายใน ลดความซับซ้อนของการออกแบบ PCB การปรับใช้งานนี้ทำให้ฟอร์มแฟคเตอร์ และโมเดลการใช้งานแบบเรียบง่ายเล็กลง ส่งผลให้เกิดเป็นโซลูชันที่มีความยืดหยุ่นที่สูงขึ้น ใช้งานง่าย และปรับขนาดได้ หนึ่งตัวอย่างของคุณสมบัตินี้คือเอ็มเบ็ดเด็ด SRAM (eSRAM) ซึ่งสนับสนุนบล็อก RAM ที่มีแบนด์วิธสูงกว่าที่ 11.25X แบนด์วิธีรวม (อ่านและเขียน) และ 2.6X รวมพลังงานต่ำกว่า ตาม discrete QDR IV-10661 เอ็มเบ็ดเด็ด SRAM ที่พัฒนานั้นมีความเหมาะสมสำหรับแอปพลิเคชันที่ต้องการ random transaction rates (RTR) ระดับสูงสุด ช่วยทดแทนหรือลดความต้องการ discrete QDR และมีการใช้ I/O EMIF ที่ศูนย์
แอพพลิเคชั่น
Heterogeneous System-in-Package Integration
ผลิตภัณฑ์ Heterogeneous system-in-package (SiP) ที่ติดตั้งเซมิคอนดักเตอร์อย่างปราณีตภายใน รวมกับเอฟพีจีเอ พร้อมองค์ประกอบขั้นสูงต่างๆ โดยทั้งหมดนี้อยู่ภายในแพ็คเกจเดียว แพลตฟอร์มที่อยู่ผลิตภัณฑ์ SiP ที่ใช้เอฟพีจีเอ เจนเนอเรชันต่อไป ซึ่งเพิ่มความต้องการแบนด์วิธที่สูงขึ้น ความยึดหยุ่นที่เพิ่มขึ้น และการทำงานที่เพิ่มขึ้น ในขณะที่โปรไฟล์พลังงานและความต้องการของขนาดนั้นลดลง แนวทาง SiP ที่ใช้เอฟพีจีเอให้ข้อได้เปรียบระดับระบบที่หลากหลายเมื่อเทียบกับชุดการประกอบแบบดั้งเดิม ผลิตภัณฑ์ Heterogeneous SiP คือเซมิคอนดักเตอร์ที่ติดตั้งอยู่ภายในอย่างปราณีต คอร์ของผลิตภัณฑ์ SiP ของ Intel คือเอฟพีจีเอ monolithic ซึ่งให้ผู้ใช้สามารถปรับแต่งระบบที่ใช้จริงให้มีความแตกต่างเพื่อตอบสนองกับระบบความต้องการของตนเอง คุณประโยชน์ระดับระบบเพิ่มเติมรวมถึง:
แบนด์วิธที่สูงกว่า
การประกอบ SiP โดยใช้ EMIB ทำให้สามารถเชื่อมต่อความหนาแน่นระหว่างเอฟพีจีเอ และ companion die การจัดการเช่งนี้ส่งผลให้การเชื่อมต่อระหว่างองค์ประกอบ SiP มีแบนด์วิธที่สูง
พลังงานที่ต่ำกว่า
Companion die (เช่นหน่วยความจำ) นั้นติดตั้งอยู่ใกล้กับเอฟพีจีเอที่สุดเท่าที่จะเป็นไปได้ ร่องรอยการเชื่อมต่อระหว่างเอฟพีจีเอและ companion die นั้นมีระยะห่างที่เล็กมาก และไม่จำเป็นต้องใช้พลังงานสูงในการขับเคลื่อนการทำงาน ส่งผลให้มีพลังงานรวมและประสิทธิภาพการทำงานที่สูงที่สุด/วัตต์นั้นต่ำกว่า
โครงเครื่องที่ขนาดเล็กลง
ความสามารถในการรวมองค์ประกอบ heterogeneous เข้าในแพ็คเกจเดี่ยว ส่งผลให้มีฟอร์มแฟคเตอร์ที่เล็กกว่า ลูกค้าสามารถประหยัดมูลค่าพื้นที่บอร์ด ลดเลเยอร์บอร์ด และลดต้นทุนวัสดุ (BOM) โดยรวมได้
คุณสมบัติที่เพิ่มขึ้น
SiP ช่วยลดการกำหนดความซับซ้อนที่ระดับ PCB เนื่องจากองค์ประกอบนั้นถูกรวมไว้ภายในแพ็คเกจ
การผสมโหนดกระบวนการ
SiP ยกระดับความสามารถในการรวม die geometries และเทคโนโลยีซิลิคอนเข้าด้วยกัน ผลลัพธ์รวมที่ได้นั้นคือโซลูชันที่มีความยืดหยุ่นสูง ปรับขนาดได้ และง่ายต่อการใช้งาน
เข้าถึงตลาดได้อย่างรวดเร็วกว่า
SiP ให้การเข้าถึงตลาดได้อย่างรวดเร็วกว่าโดยผสมผสานเทคโนโลยีที่ผ่านการรับรอง และใช้อุปกรณ์ทั่วไปซ้ำ หรือ tile บนผลิตภัณฑ์ต่างๆ การปรับใช้งานจะช่วยประหยัดเวลาและทรัพยากรอันมีค่า และช่วยเร่งความเร็วในการเข้าถึงตลาดได้อย่างรวดเร็ว
การประกอบระดับชิปโดยใช้ EMIB
แพ็คเกจเทคโนโลยี innovative Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) ที่พัฒนาโดย Intel ทำให้การประกอบองค์ประกอบ system-critical ภายในแพ็คเกจนั้นมีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น เช่นอนาล็อก, หน่วยความจำ, ASICs, CPU และอื่นๆ EMIB ให้ขั้นตอนการผลิตที่เรียบง่ายชึ้น เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีรวมภายในแพ็คเกจอื่นๆ EMIB ลดการใช้ซิลิคอน (TSV) และซิลิคอมอินเตอร์โพเซอร์พิเศษ ผลลัพธ์นั้นคือผลิตภัณฑ์ที่ผสมผสานระบบภายในแพ็คเกจ ซึ่งให้ประสิทธิภาพที่สูงกว่า ความซับซ้อนที่น้อยลง และสัญญาณที่เหนือกว่า และความถูกต้องของพลังงาน สามารถหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยี EMIB ของ Intel ได้บนเว็บไซต์ Intel Custom Foundry ที่ http://www.intel.com/content/www/us/en/foundry/emib.html
แนวทางแบบดั้งเดิม
- แบนด์วิธ Chip-to-chip มีข้อจำกัด
- พลังงานระบบสูงเกินไป
- ฟอร์มแฟคเตอร์ใหญ๋เกินไป
แนวทาง Heterogeneous SiP
- แบนด์วิธที่สูงกว่า
- ใช้พลังงานน้อยลง
- ฟอร์มแฟคเตอร์เล็กกว่า
- ประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้น
- ความสามารถในการผสมโหนดกระบวนการ
หน่วยความจำ
เอฟพีจีเอพร้อม Near Memory ในแพ็คเกจ
โซลูชัน Near Memory ของ Intel รวม DRAM ความหนาแน่นสูงที่ใกล้กับเอฟพีจีเอ ภายในแพ็คเกจเดียวกัน ในการปรับตั้งค่านี้ หน่วยความจำในแพ็คเกจสามารถเข้าถึงได้เร็วกว่าอย่างมาก ด้วยแบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 10 เท่า เมื่อเทียบกับหน่วยความจำหลักดั้งเดิม การปรับแต่ง near-memory จะลดพลังงานของระบบลงโดยการลด trace ระหว่างเอฟพีจีเอ และหน่วยความจำ ในขณะที่ลดพื้นที่บอร์ดเช่นกัน
โซลูชันระบบในแพ็คเกจ (SiP) DRAM ที่ยกระดับแบนด์วิธของหน่วยความจำ 2 ที่สูง (HBM2) เพื่อลด bottleneck แบนด์วิธของหน่วยความจำในระบบประสิทธิภาพสูง ซึ่งทำการประมวลผลข้อมูลที่เพิ่มขึ้นอยู่ตลอดเวลา รวมถึงศูนย์ข้อมูล, การออกอากาศ, เครือข่าย wireline และระบบการประมวลผลประสิทธิภาพสูง
HBM2 DRAM
HBM2 DRAM คือหน่วยความจำ 3D ที่สแต็ค DRAM die หลายชิ้นเป็นแนวตั้ง โดยการใช้เทคโนโลยี through silicon via (TSV) เปรียบเทียบกับโซลูชันที่ใช้ DDR แบบแยก HBM2 DRAM ให้แบนด์วิธหน่วยความจำที่สูงกว่า พลังงานระบบที่ต่ำกว่า และฟอร์มแฟคเตอร์ที่เล็กกว่า ดังนั้นจึงให้แบนด์วิธ/วัตต์ที่ดีที่สุด
อุปกรณ์ Intel® Stratix® 10 MX ที่ติดตั้ง HBM2 tile คู่กับ monolithic ประสิทธิภาพสูง เอฟพีจีเอ die 14 nm เพื่อให้แบนด์วิธหน่วยความจำที่สูงกว่า 10 เท่า เมื่อเทียบกับโซลูชัน DRAM แบบแยก
ลิงก์ที่เกี่ยวข้อง
Additional Resources
Explore more content related to Intel® FPGA devices such as development boards, intellectual property, support and more.
Support Resources
Resource center for training, documentation, downloads, tools and support options.
Development Boards
Intel® FPGA and its partners offer a large selection of development boards and hardware tools to accelerate the FPGA design process.
Intellectual Property
The Intel® FPGA IP portfolio covers a wide variety of applications with a combination of soft and hardened IP cores along with reference designs.
Design Tools
Explore our suite of software and development tools to assist hardware engineers and software developers when creating an FPGA design.
Contact Sales
Get in touch with sales for your Intel® FPGA product design and acceleration needs.
Ordering Codes
Decipher Intel® FPGA part numbers, including the significance of certain prefixes and package codes.
Where to Buy
Contact an Intel® Authorized Distributor today.
ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ
Retail prices reported as of 22 Jan 2022 02:28:56 GMT