เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX

เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX คือตัวเร่งความเร็วมัลติฟังก์ชันที่มีความสำคัญสำหรับการประมวลผลประสิทธิภาพสูง (HPC), ศูนย์ข้อมูล, ฟังก์ชันเครือข่ายเสมือนจริง (NFV) และแอปพลิเคชันออกอากาศ อุปกรณ์เหล่านี้จะรวมเอฟพีจีเอ และ SoC ที่ตั้งโปรแกรมได้และมีความยืดหยุ่น พร้อม 3D สแต็ก หน่วยความจำแบนด์วิธสูง 2 (HBM2) สถาปัตยกรรมเอฟพีจีเอ Intel® Hyperflex™ ให้คอร์ที่ประสิทธิภาพสูง และสามารถใช้แบนด์วิธได้อย่างมีประสิทธิภาพจาก tile หน่วยความจำภายในแพ็คเกจ tile หน่วยความจำ DRAM จะเชื่อมต่อทางกายภาพไปยังเอฟพีจีเอ โดยใช้เทคโนโลยี Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB)

ดูเพิ่มเติม: เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX ซอฟต์แวร์การออกแบบ, ร้านการออกแบบ, ดาวน์โหลด, ชุมชน และการสนับสนุน

เอฟพีจีเอ Intel® Stratix® 10 MX

คุณลักษณะและประโยชน์

แอพพลิเคชั่น

การประกอบระดับชิปโดยใช้ EMIB

แพ็คเกจเทคโนโลยี innovative Embedded Multi-Die Interconnect Bridge (EMIB) ที่พัฒนาโดย Intel ทำให้การประกอบองค์ประกอบ system-critical ภายในแพ็คเกจนั้นมีประสิทธิภาพยิ่งขึ้น เช่นอนาล็อก, หน่วยความจำ, ASICs, CPU และอื่นๆ EMIB ให้ขั้นตอนการผลิตที่เรียบง่ายชึ้น เมื่อเทียบกับเทคโนโลยีรวมภายในแพ็คเกจอื่นๆ EMIB ลดการใช้ซิลิคอน (TSV) และซิลิคอมอินเตอร์โพเซอร์พิเศษ ผลลัพธ์นั้นคือผลิตภัณฑ์ที่ผสมผสานระบบภายในแพ็คเกจ ซึ่งให้ประสิทธิภาพที่สูงกว่า ความซับซ้อนที่น้อยลง และสัญญาณที่เหนือกว่า และความถูกต้องของพลังงาน สามารถหาข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยี EMIB ของ Intel ได้บนเว็บไซต์ Intel Custom Foundry ที่ http://www.intel.com/content/www/us/en/foundry/emib.html

หน่วยความจำ

เอฟพีจีเอพร้อม Near Memory ในแพ็คเกจ

โซลูชัน Near Memory ของ Intel รวม DRAM ความหนาแน่นสูงที่ใกล้กับเอฟพีจีเอ ภายในแพ็คเกจเดียวกัน ในการปรับตั้งค่านี้ หน่วยความจำในแพ็คเกจสามารถเข้าถึงได้เร็วกว่าอย่างมาก ด้วยแบนด์วิธที่สูงกว่าถึง 10 เท่า เมื่อเทียบกับหน่วยความจำหลักดั้งเดิม การปรับแต่ง near-memory จะลดพลังงานของระบบลงโดยการลด trace ระหว่างเอฟพีจีเอ และหน่วยความจำ ในขณะที่ลดพื้นที่บอร์ดเช่นกัน

โซลูชันระบบในแพ็คเกจ (SiP) DRAM ที่ยกระดับแบนด์วิธของหน่วยความจำ 2 ที่สูง (HBM2) เพื่อลด bottleneck แบนด์วิธของหน่วยความจำในระบบประสิทธิภาพสูง ซึ่งทำการประมวลผลข้อมูลที่เพิ่มขึ้นอยู่ตลอดเวลา รวมถึงศูนย์ข้อมูล, การออกอากาศ, เครือข่าย wireline และระบบการประมวลผลประสิทธิภาพสูง

HBM2 DRAM

HBM2 DRAM คือหน่วยความจำ 3D ที่สแต็ค DRAM die หลายชิ้นเป็นแนวตั้ง โดยการใช้เทคโนโลยี through silicon via (TSV) เปรียบเทียบกับโซลูชันที่ใช้ DDR แบบแยก HBM2 DRAM ให้แบนด์วิธหน่วยความจำที่สูงกว่า พลังงานระบบที่ต่ำกว่า และฟอร์มแฟคเตอร์ที่เล็กกว่า ดังนั้นจึงให้แบนด์วิธ/วัตต์ที่ดีที่สุด

อุปกรณ์ Intel® Stratix® 10 MX ที่ติดตั้ง HBM2 tile คู่กับ monolithic ประสิทธิภาพสูง เอฟพีจีเอ die 14 nm เพื่อให้แบนด์วิธหน่วยความจำที่สูงกว่า 10 เท่า เมื่อเทียบกับโซลูชัน DRAM แบบแยก