เทคโนโลยี Intel® 22 nm

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

ทรานซิสเตอร์ 3D ตัวแรกของโลก พร้อมสำหรับการผลิตในปริมาณมาก

3D, 22 nm: การรวมประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงาน

ในปี 2011 Intel ได้เป็นผู้นำในอุตสาหกรรมด้วยการเปิดตัวเทคโนโลยีที่แตกต่างไปโดยสิ้นเชิงสำหรับตระกูลไมโครโปรเซสเซอร์ นั่นก็คือ ทรานซิสเตอร์ 3D ในขนาด 22 nm

ก่อนหน้านี้ ทรานซิสเตอร์ ซึ่งเป็นแก่นของไมโครโปรเซสเซอร์นั้นมีลักษณะ 2D (แนวราบ) ทรานซิสเตอร์ 3D Tri-Gate ของ Intel® และความสามารถในการผลิตในปริมาณมาก ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอันยิ่งใหญ่ที่โครงสร้างระดับพื้นฐานของชิปคอมพิวเตอร์ การเปลี่ยนช่องทรานซิสเตอร์เป็นแบบ 3 มิติ ช่วยเพิ่มการควบคุมทรานซิสเตอร์ เพิ่มการไหลของกระแสให้สูงสุด (เพื่อประสิทธิภาพที่ดีที่สุด) เมื่อเปิด และลดการไหลของกระแส (ลดการรั่วไหล) ให้ต่ำสุดเมื่อปิด

ทรานซิสเตอร์เหล่านี้ทำให้ Intel สามารถสร้างสรรค์ผลิตภัณฑ์ระดับโลกต่อไปได้ ตั้งแต่ซูเปอร์คอมพิวเตอร์อันรวดเร็ว จนถึงอุปกรณ์เคลื่อนที่ที่มีขนาดเล็กกะทัดรัด

ทรานซิสเตอร์คือรากฐาน

ขนาดและโครงสร้างทรานซิสเตอร์คือจุดศูนย์เสาหลักในการมอบคุณประโยชน์จากกฎของ Moore ให้กับผู้ใช้ เพราะยิ่งทรานซิสเตอร์เล็กและประหยัดพลังงานมากเท่าดี ก็ยิ่งดีขึ้นเท่านั้น Intel สามารถลดขนาดเทคโนโลยีการผลิตตามที่คาดการณ์ได้อย่างต่อเนื่อง ในนวัตกรรมที่นับว่าเป็นครั้งแรกของโลก: 45 nm พร้อมด้วย high-k/metal gate ในปี 2007; 32 nm ในปี 2009; และขณะนี้ที่ 22 nm ด้วยทรานซิสเตอร์แบบ 3D ครั้งแรกของโลกในกระบวนการผลิตโลจิกในปริมาณมาก เริ่มต้นในปี 2011 รวมถึง 14 nm ด้วยทรานซิสเตอร์แบบ 3D tri-gate รุ่นที่ 2

ด้วยความก้าวหน้าในเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ที่ดำเนินอย่างต่อเนื่อง Intel จึงสามารถออกแบบโปรเซสเซอร์ที่มีพลังประมวลผลสูงขึ้น พร้อมการประหยัดพลังงานอย่างไม่น่าเชื่อ โปรเซสเซอร์ใหม่ทำให้เกิดสถาปัตยกรรมไมโครที่เป็นนวัตกรรม การออกแบบ System-on-Chip (SoC) และผลิตภัณฑ์ใหม่—ตั้งแต่เซิร์ฟเวอร์ และพีซี จนถึงสมาร์ทโฟน และผลิตภัณฑ์โฉมใหม่สำหรับผู้บริโภค

ชมว่า Intel ผลิตชิป 22 nm จากซิลิคอนอย่างไร

ทรานซิสเตอร์ในแบบ 3 มิติ

ทรานซิสเตอร์ Intel® 3D tri-gate ใช้สามประตูห่อหุ้มรอบช่องซิลิคอนในโครงสร้างแบบ 3D ทำให้เกิดการผสานรวมอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อนของประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงาน Intel ออกแบบทรานซิสเตอร์ 3D tri-gate เพื่อการประหยัดพลังงานอันยอดเยี่ยมสำหรับใช้ในอุปกรณ์มือถือ เช่น สมาร์ทโฟน และแท็บเล็ต ขณะที่ให้ประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นที่มักพบได้ในโปรเซสเซอร์ระดับไฮเอนด์

เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ 22 nm ของ Intel ›

โปรเซสเซอร์ Intel® Core™ เจนเนอเรชั่น 3

เปิดตัวช่วงปลายปี 2011 โปรเซสเซอร์ Intel® Core™ เจนเนอเรชั่น 3 เป็นชิปตัวแรกที่ผลิตในปริมาณมากที่ใช้ทรานซิสเตอร์แบบ 3D