ความจุ
256 GB
สถานะ
Launched
วันที่วางจำหน่าย
Q2'19
สภาวะการใช้งาน
PC/Client/Tablet

ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)
1450 MB/s
การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)
650 MB/s
พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน
5.3W
พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน
L1.2 : <12mW

ความน่าเชื่อถือ

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน
2.17 GRMS (5-700 Hz) Max
การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน
3.13 GRMS (5-800 Hz) Max
การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)
1000 G / 0.5 ms and 1500 G / 0.5 ms
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน
0°C to 70°C
อุณหภูมิทำงาน (สูงสุด)
70 °C
อุณหภูมิทำงาน (ต่ำสุด)
0 °C
ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)
75TBW
เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)
1.6 Million Hours
อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)
< 1 sector per 10^15 bits read
ระยะเวลารับประกัน
5 yrs

ข้อมูลเสริม

เอกสารข้อมูล
ข้อมูลสรุปผลิตภัณฑ์
URL ข้อมูลเพิ่มเติม
รายละเอียด
Introducing the new Intel® Optane™ Memory H10 with Solid State Storage which combines two breakthrough technologies, Low-latency Intel® Optane™ technology and high-density Intel® QLC 3D NAND in a single M.2 2280 form factor.

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

น้ำหนัก
Less than 10 grams
Form Factor
M.2 22 x 80mm
อินเตอร์เฟซ
PCIe 3.0 x4, NVMe

เทคโนโลยีขั้นสูง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง
ใช่
การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ
ใช่
การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)
ใช่
Intel® Rapid Storage Technology
ใช่