คำศัพท์ที่ใช้ทุกวันใน Intel

คำศัพท์

ข้ามไปที่: A-C | D-F | G-J | K-O | P-R | S-U | V-Z

ทรานซิสเตอร์แบบทริเกตสามมิติ 22 นาโนเมตร
ทรานซิสเตอร์ทริเกทสามมิติของ Intel ใช้เกทสามตัวล้อมรอบช่องชิปซิลิกอนในโครงสร้างแบบสามมิติ ทำให้สามารถรวมประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการทำงานอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อน Intel ออกแบบทรานซิสเตอร์ใหม่เพื่อการประหยัดพลังงานอันยอดเยี่ยมสำหรับใช้ในอุปกรณ์มือถือ เช่น สมาร์ทโฟน และแท็บเล็ต ขณะที่ให้ประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นที่มักพบได้ในโปรเซสเซอร์ระดับไฮเอ็นด์

A-C

ช่องทางจัดจำหน่าย
บริเวณใต้เกทของทรานซิสเตอร์ที่กระแสไฟฟ้าไหลเมื่อทรานซิสเตอร์ขึ้นสถานะ "เปิด"

ชิป
สี่เหลี่ยมจัตุรัสหรือสี่เหลี่ยมผืนผ้าขนาดเล็กและบางที่มีวงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์ แม่พิมพ์ถูกสร้างขึ้นเป็นแบทช์บนแผ่นเวเฟอร์ของชิปซิลิกอน ชิปคือแม่พิมพ์ที่บรรจุไว้ข้างใน ชิปเรียกอีกอย่างได้ว่าโปรเซสเซอร์และ ไมโครโปรเซสเซอร์ ไมโครโปรเซสเซอร์เป็นสมองของคอมพิวเตอร์ เซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ การสื่อสาร และอุปกรณ์ดิจิทัลอื่นๆ

วงจร
เครือข่ายของทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อด้วยสายเชื่อมต่อในการกำหนดค่าเฉพาะเพื่อทำงาน

Cleanroom
ห้องคลีนรูมพิเศษที่ผลิตชิป อากาาศในห้องคลีนรูมสะอาดกว่าอากาศในห้องผ่าตัดของโรงพยาบาลหลายพันเท่า

งานออกแบบโดยใช้คอมพิวเตอร์ (CAD)
เวิร์กสเตชั่นคอมพิวเตอร์และซอฟต์แวร์ที่ใช้ออกแบบวงจรรวม

D-F

แม่พิมพ์
เปลี่ยนชื่อชิปก่อนที่จะบรรจุ ดู "ชิป"

กัดกรดโลหะ
ลบวัสดุบางส่วนออกที่เลือกไว้ออกเพื่อระบุเลเยอร์ที่มีลายบนชิป

Fab
คำย่อสำหรับคำว่า "โรงงานผลิต" ที่ Intel ผลิตชิปซิลิกอน

Fabrication
กระบวนการผลิตชิป

พ็อดแบบเปิดด้านหน้า (FOUP)
คอนเทนเนอร์ที่บรรจุและขนแผ่นเวเฟอร์ที่เป็นส่วนหนึ่งของระบบอัตโนมัติในการผลิต

G-J

เกต
บริเวณที่ควบคุมอินพุตของทรานซิสเตอร์ที่มีการใช้ประจุบวกหรือลบเพื่อปิดกั้นหรือช่วยให้กระแสไฟฟ้าไหล

เกตไดอิเล็กตริก
เลเยอร์บางที่อยู่ใต้เกทที่แยกเกทออกจากช่อง

วัสดุไฮเค
วัสดุที่สามารถแทนชิปประมวลผลซิลิกอนไดออกไซด์โดยเป็นเกทไดอิเล็กตริก มีคุณสมบัติเป็นฉนวนที่ดีและทำให้เกิดสนามไฟฟ้าสูงระหว่างเกทและช่อง ทั้งสองอย่างนี้เป็นคุณสมบัติสำหรับโปรเซสเซอร์ที่มีประสิทธิภาพสูง นอกจากนี้ เนื่องจากวัสดุไฮเคอาจมีความหนากว่าชิปประมวลผลซิลิกอนไดออกไซด์ขณะที่ยังคงคุณสมบัติที่ต้องการได้ จึงช่วยลดกระแสไฟฟ้ารั่วไหลได้เป็นอย่างดี

K-O

แผ่นกั้น
ลวดลายคล้ายลายยฉลุที่ใช้ในการผลิตเพื่อพิมพ์ลายยแผงวงจรที่เป็นชั้นบนแผ่นเวเฟอร์

กฎของมัวร์
ในปี 1965 กอร์ดอน มัวร์คาดการณ์ว่าจำนวนของทรานซิสเตอร์บนชิ้นส่วนชิปซิลิกอนผลจะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกปี ซึ่งในเวลาต่อมาเรียกว่าากฎของมัวร์ ในปี 1975 มัวร์ ได้อัปเดตคำคาดการณ์ของตนว่าจำนวนของทรานซิสเตอร์ที่อุตสาหกรรมสามารถวางบนชิป คอมพิวเตอร์จะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกๆ สองปี เมื่อจำนวนทรานซิสเตอร์เพิ่มขึ้น ค่าใช้จ่ายต่อทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวก็จะลดลง

Nanometer
หนึ่งนาโนเมตร

P-R

โฟโตลิโธกราฟี
กระบวนการสร้างรูปแบบของวัสดุโดยเฉพาะบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนโดยใช้แสง UV และแผ่นกั้นเพื่อกำหนดรูปแบบที่ต้องการ

สารไวแสง
สารที่จะละลายน้ำเมื่อสัมผัสกับแสง UV มีความคล้ายกับฟิล์มถ่ายภาพคือมีความไวต่อแสง UV แต่ทนต่อสารเคมีที่กัดด้วยกรดบางชนิด ใช้กำหนดลายแผงงวงจรขณะที่ผลิตชิป

โพลีคริสตัลไลน์ซิลิกอน
ซิลิกอนประกอบด้วยคริสตัลจำนวนมาก หรือที่รู้จักกันในชื่อโพลีซิลิกอน วัสดุตัวนำนี้ใช้เป็นเลเยอร์ระหว่างเชื่อมต่อกันบนชิป

S-U

เซมิคอนดักเตอร์
วัสดุ (เช่น ซิลิกอน) ที่สามารถเปลี่ยนเพื่อนำกระแสไฟฟ้าหรือปิดกั้นทางผ่านของกระแสไฟฟ้า

ซิลิโคน
ส่วนประกอบสำคัญที่พบได้ทั่วไปในทรายตามชายหาด และส่วนประกอบที่ใช้ในการผลิตแผ่นเวเฟอร์ซึ่งมีชิปเป็นส่วนประกอบคือ: เป็นเซมิคอนดักเตอร์จากธรรมชาติและเป็นส่วนประกอบที่พบบ่อยที่สุดในโลกรองจากออกซิเจน

แท่งซิลิกอน
กระบอกผลิตจากซิลิกอนบริสุทธิ์ 99.9999% แท่งซิลิกอนจะถูกหั่นเป็นแผ่นบางๆ ที่เรียกว่าแผ่นเวเฟอร์

สเตรนซิลิกอน
ชั้นของซิลิกอนที่ยืดออกหรือบีบอัดเพื่อเปลี่ยนระยะห่างระหว่างอะตอมในโครงแลตทิช สิ่งนี้ช่วยลดแรงอะตอมที่จำกัดการเคลื่อนตัวของอิเล็กตรอนผ่านทรานซิสเตอร์ได้ ช่วยให้การเคลื่อนตัวดีขึ้น ปรับปรุงประสิทธิภาพของชิป และลดการใช้พลังงาน

ทรานซิสเตอร์
สวิตช์ชนิดที่มีการควบคุมการไหลของไฟฟ้า ชิปสามารถทรานซิสเตอร์ได้หลายล้านหรือพันล้านตัว

Ultrabook™
ประกาศในเดือนมิถุนายน พ.ศ 2554 ที่ Computex การเปลี่ยนแปลงงข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ Ultrabook™ และแผนงานสำหรับโปรเซสเซอร์ Intel® Core™ ทำให้อุปกรณ์รุ่นใหม่สามารถใช้งานได้ ระบบ Ultrabook ผสมผสานกับความบางและน้ำหนักเบาด้วยประสิทธิภาพที่ดีที่สุด

V-Z

แผ่นเวเฟอร์
แผ่นซิลิกอนที่ถูกหั่นบางๆ จากแท่งคริสตัลทรงกระบอก ใช้เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการสร้างวงจรรวม

การจัดเรียงแผ่นเวเฟอร์
ขั้นตอนการทดสอบทางไฟฟ้าที่ระบุชิปบนแผ่นเวเฟอร์ที่ทำงานได้ไม่สมบูรณ์

เซตตะไบต์ (ZB)
หน่วยข้อมูลการคำนวณเท่ากับหนึ่งเซกทิลเลียนไบต์ (คือหนึ่งตามด้วยศูนย์ 21 ตัว ซึ่งเป็นพื้นที่มากพอสำหรับภาพยนตร์แบบ HD จำนวน 4.4 ล้านล้านเรื่อง) ดูกิกะไบต์สำหรับหน่วยคำนวณอื่นๆ