คำศัพท์ที่ใช้ทุกวันใน Intel
คำศัพท์
ข้ามไปที่: A-C | D-F | G-J | K-O | P-R | S-U | V-Z
ทรานซิสเตอร์แบบทริเกตสามมิติ 22 นาโนเมตร
ทรานซิสเตอร์ทริเกทสามมิติของ Intel ใช้เกทสามตัวล้อมรอบช่องชิปซิลิกอนในโครงสร้างแบบสามมิติ ทำให้สามารถรวมประสิทธิภาพการใช้พลังงานและการทำงานอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อน Intel ออกแบบทรานซิสเตอร์ใหม่เพื่อการประหยัดพลังงานอันยอดเยี่ยมสำหรับใช้ในอุปกรณ์มือถือ เช่น สมาร์ทโฟน และแท็บเล็ต ขณะที่ให้ประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นที่มักพบได้ในโปรเซสเซอร์ระดับไฮเอ็นด์
A-C
ช่องทางจัดจำหน่าย
บริเวณใต้เกทของทรานซิสเตอร์ที่กระแสไฟฟ้าไหลเมื่อทรานซิสเตอร์ขึ้นสถานะ "เปิด"
ชิป
สี่เหลี่ยมจัตุรัสหรือสี่เหลี่ยมผืนผ้าขนาดเล็กและบางที่มีวงจรรวมอิเล็กทรอนิกส์ แม่พิมพ์ถูกสร้างขึ้นเป็นแบทช์บนแผ่นเวเฟอร์ของชิปซิลิกอน ชิปคือแม่พิมพ์ที่บรรจุไว้ข้างใน ชิปเรียกอีกอย่างได้ว่าโปรเซสเซอร์และ ไมโครโปรเซสเซอร์ ไมโครโปรเซสเซอร์เป็นสมองของคอมพิวเตอร์ เซิร์ฟเวอร์ ผลิตภัณฑ์ การสื่อสาร และอุปกรณ์ดิจิทัลอื่นๆ
วงจร
เครือข่ายของทรานซิสเตอร์ที่เชื่อมต่อด้วยสายเชื่อมต่อในการกำหนดค่าเฉพาะเพื่อทำงาน
Cleanroom
ห้องคลีนรูมพิเศษที่ผลิตชิป อากาาศในห้องคลีนรูมสะอาดกว่าอากาศในห้องผ่าตัดของโรงพยาบาลหลายพันเท่า
งานออกแบบโดยใช้คอมพิวเตอร์ (CAD)
เวิร์กสเตชั่นคอมพิวเตอร์และซอฟต์แวร์ที่ใช้ออกแบบวงจรรวม
D-F
แม่พิมพ์
เปลี่ยนชื่อชิปก่อนที่จะบรรจุ ดู "ชิป"
กัดกรดโลหะ
ลบวัสดุบางส่วนออกที่เลือกไว้ออกเพื่อระบุเลเยอร์ที่มีลายบนชิป
Fab
คำย่อสำหรับคำว่า "โรงงานผลิต" ที่ Intel ผลิตชิปซิลิกอน
Fabrication
กระบวนการผลิตชิป
พ็อดแบบเปิดด้านหน้า (FOUP)
คอนเทนเนอร์ที่บรรจุและขนแผ่นเวเฟอร์ที่เป็นส่วนหนึ่งของระบบอัตโนมัติในการผลิต
G-J
เกต
บริเวณที่ควบคุมอินพุตของทรานซิสเตอร์ที่มีการใช้ประจุบวกหรือลบเพื่อปิดกั้นหรือช่วยให้กระแสไฟฟ้าไหล
เกตไดอิเล็กตริก
เลเยอร์บางที่อยู่ใต้เกทที่แยกเกทออกจากช่อง
วัสดุไฮเค
วัสดุที่สามารถแทนชิปประมวลผลซิลิกอนไดออกไซด์โดยเป็นเกทไดอิเล็กตริก มีคุณสมบัติเป็นฉนวนที่ดีและทำให้เกิดสนามไฟฟ้าสูงระหว่างเกทและช่อง ทั้งสองอย่างนี้เป็นคุณสมบัติสำหรับโปรเซสเซอร์ที่มีประสิทธิภาพสูง นอกจากนี้ เนื่องจากวัสดุไฮเคอาจมีความหนากว่าชิปประมวลผลซิลิกอนไดออกไซด์ขณะที่ยังคงคุณสมบัติที่ต้องการได้ จึงช่วยลดกระแสไฟฟ้ารั่วไหลได้เป็นอย่างดี
K-O
แผ่นกั้น
ลวดลายคล้ายลายยฉลุที่ใช้ในการผลิตเพื่อพิมพ์ลายยแผงวงจรที่เป็นชั้นบนแผ่นเวเฟอร์
กฎของมัวร์
ในปี 1965 กอร์ดอน มัวร์คาดการณ์ว่าจำนวนของทรานซิสเตอร์บนชิ้นส่วนชิปซิลิกอนผลจะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกปี ซึ่งในเวลาต่อมาเรียกว่าากฎของมัวร์ ในปี 1975 มัวร์ ได้อัปเดตคำคาดการณ์ของตนว่าจำนวนของทรานซิสเตอร์ที่อุตสาหกรรมสามารถวางบนชิป คอมพิวเตอร์จะเพิ่มขึ้นสองเท่าทุกๆ สองปี เมื่อจำนวนทรานซิสเตอร์เพิ่มขึ้น ค่าใช้จ่ายต่อทรานซิสเตอร์หนึ่งตัวก็จะลดลง
Nanometer
หนึ่งนาโนเมตร
P-R
โฟโตลิโธกราฟี
กระบวนการสร้างรูปแบบของวัสดุโดยเฉพาะบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนโดยใช้แสง UV และแผ่นกั้นเพื่อกำหนดรูปแบบที่ต้องการ
สารไวแสง
สารที่จะละลายน้ำเมื่อสัมผัสกับแสง UV มีความคล้ายกับฟิล์มถ่ายภาพคือมีความไวต่อแสง UV แต่ทนต่อสารเคมีที่กัดด้วยกรดบางชนิด ใช้กำหนดลายแผงงวงจรขณะที่ผลิตชิป
โพลีคริสตัลไลน์ซิลิกอน
ซิลิกอนประกอบด้วยคริสตัลจำนวนมาก หรือที่รู้จักกันในชื่อโพลีซิลิกอน วัสดุตัวนำนี้ใช้เป็นเลเยอร์ระหว่างเชื่อมต่อกันบนชิป
S-U
เซมิคอนดักเตอร์
วัสดุ (เช่น ซิลิกอน) ที่สามารถเปลี่ยนเพื่อนำกระแสไฟฟ้าหรือปิดกั้นทางผ่านของกระแสไฟฟ้า
ซิลิโคน
ส่วนประกอบสำคัญที่พบได้ทั่วไปในทรายตามชายหาด และส่วนประกอบที่ใช้ในการผลิตแผ่นเวเฟอร์ซึ่งมีชิปเป็นส่วนประกอบคือ: เป็นเซมิคอนดักเตอร์จากธรรมชาติและเป็นส่วนประกอบที่พบบ่อยที่สุดในโลกรองจากออกซิเจน
แท่งซิลิกอน
กระบอกผลิตจากซิลิกอนบริสุทธิ์ 99.9999% แท่งซิลิกอนจะถูกหั่นเป็นแผ่นบางๆ ที่เรียกว่าแผ่นเวเฟอร์
สเตรนซิลิกอน
ชั้นของซิลิกอนที่ยืดออกหรือบีบอัดเพื่อเปลี่ยนระยะห่างระหว่างอะตอมในโครงแลตทิช สิ่งนี้ช่วยลดแรงอะตอมที่จำกัดการเคลื่อนตัวของอิเล็กตรอนผ่านทรานซิสเตอร์ได้ ช่วยให้การเคลื่อนตัวดีขึ้น ปรับปรุงประสิทธิภาพของชิป และลดการใช้พลังงาน
ทรานซิสเตอร์
สวิตช์ชนิดที่มีการควบคุมการไหลของไฟฟ้า ชิปสามารถทรานซิสเตอร์ได้หลายล้านหรือพันล้านตัว
Ultrabook™
ประกาศในเดือนมิถุนายน พ.ศ 2554 ที่ Computex การเปลี่ยนแปลงงข้อมูลจำเพาะของอุปกรณ์ Ultrabook™ และแผนงานสำหรับโปรเซสเซอร์ Intel® Core™ ทำให้อุปกรณ์รุ่นใหม่สามารถใช้งานได้ ระบบ Ultrabook ผสมผสานกับความบางและน้ำหนักเบาด้วยประสิทธิภาพที่ดีที่สุด
V-Z
แผ่นเวเฟอร์
แผ่นซิลิกอนที่ถูกหั่นบางๆ จากแท่งคริสตัลทรงกระบอก ใช้เป็นวัสดุพื้นฐานสำหรับการสร้างวงจรรวม
การจัดเรียงแผ่นเวเฟอร์
ขั้นตอนการทดสอบทางไฟฟ้าที่ระบุชิปบนแผ่นเวเฟอร์ที่ทำงานได้ไม่สมบูรณ์
เซตตะไบต์ (ZB)
หน่วยข้อมูลการคำนวณเท่ากับหนึ่งเซกทิลเลียนไบต์ (คือหนึ่งตามด้วยศูนย์ 21 ตัว ซึ่งเป็นพื้นที่มากพอสำหรับภาพยนตร์แบบ HD จำนวน 4.4 ล้านล้านเรื่อง) ดูกิกะไบต์สำหรับหน่วยคำนวณอื่นๆ
สำรวจนิทรรศการแบบออนไลน์อื่นๆ
หากคุณไม่สามารถเข้าถึง Intel Museum ได้ คุณยังสามารถเพลิดเพลินไปกับการท่องเที่ยวเชิงประวัติศาสตร์ของ Intel ด้วยนิทรรศการแบบออนไลน์เหล่านี้
Robert Noyce
ผู้ร่วมก่อตั้ง Intel และผู้ร่วมประดิษฐ์วงจรรวมได้มีส่วนร่วมอย่างมากสำหรับความก้าวหน้าของเทคโนโลยี
กฎของ Moore
พบกับผู้ร่วมก่อตั้งของ Intel และดูว่าการคาดการณ์ของเขากำหนดทิศทางของนวัตกรรมอย่างต่อเนื่องอย่างไร
The Intel® 4004 Chip
ดูเรื่องราวเบื้องหลังไมโครโปรเซสเซอร์ตัวแรกของ Intel และเรียนรู้ว่าสิ่งนี้เปลี่ยนแปลงทิศทางของเทคโนโลยีและโลกอย่างไร
การผลิตชิปซิลิกอน
ตั้งแต่ซิลิกอนบริสุทธิ์ไปจนถึงเทคโนโลยีที่ขับเคลื่อนชีวิตประจำวันของคุณ ดูการทำชิปซิลิกอนซึ่งเป็นอุปกรณ์ที่มีความซับซ้อนที่สุดเท่าที่เคยผลิตมา
รายงานประจำปีและสิ่งพิมพ์เผยแพร่ฉลองครบรอบของ Intel
ย้อนรอยการเดินทางของ Intel ที่เริ่มต้นตั้งแต่ปี 1968