บันดาลใจจากระบบคลาวด์ ยกระดับประสิทธิภาพ

ประเด็นสำคัญ

  • เทคโนโลยี Intel® 3D NAND, 144-เลเยอร์ TLC เจนเนอเรชั่นใหม่

  • เร่งความเร็วเวิร์กโหลดของศูนย์ข้อมูลบนคลาวด์พร้อมความหน่วงที่ต่ำลง

  • ยกระดับความปลอดภัยและความสามารถในการจัดการขององค์กร

  • การตอบสนองภายใต้ IO ผสม

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

ตอบสนองความต้องการด้านประสิทธิภาพของศูนย์ข้อมูล ความสามารถในการจัดการและ I/O ในหลากหลายเวิร์กโหลด

ข้อเสนอ Intel® SSD D7-P5510 ที่มาพร้อมสถาปัตยกรรมเทคโนโลยี Intel® 3D NAND, 144-เลเยอร์, TLC มอบประสิทธิภาพสูงสุดและความจุสำหรับอาร์เรย์แฟลชทั้งหมดและออกแบบมาเพื่อยกระดับประสิทธิภาพด้านไอทีและความปลอดภัยของข้อมูล Intel SSD D7-P5510 มาพร้อมคอนโทรลเลอร์ Intel PCIe 4.0 และเฟิร์มแวร์ที่ให้ความหน่วงต่ำ ความสามารถในการจัดการที่เพิ่มขึ้น ความสามารถในการปรับขนาด และคุณสมบัติ NVMe ใหม่ที่สำคัญสำหรับสภาพแวดล้อมองค์กรและคลาวด์

SSD ที่มาในฟอร์มแฟคเตอร์ U.2 15 มม. นี้มาพร้อมความจุ 3.84TB และ 7.68TB พร้อมความทนทานในการเขียนสูงสุด 1 ไดรฟ์การเขียนต่อวัน (DWPD)

เพิ่มประสิทธิภาพด้วยความหน่วงที่ต่ำลง

Intel SSD D7-P5510 มอบความรวดเร็วที่คาดเดาได้และประสิทธิภาพที่สูง และสามารถเร่งความเร็วของอาร์เรย์แฟลชทั้งหมดได้อย่างยอดเยี่ยม D7-P5510 ที่ยกระดับประสิทธิภาพใหม่มาพร้อมประสิทธิภาพการอ่านต่อเนื่องที่เพิ่มขึ้นถึง 2 เท่า1 ความหน่วงต่ำลง 50%2 และ IOP เวิร์กโหลดผสมเพิ่มขึ้น 50% (70% สำหรับการอ่าน, 30% สำหรับการเขียน)3 เมื่อเทียบกับ Intel SSD เจนเนอเรชั่นก่อนหน้า

สถาปัตยกรรม TRIM ใหม่ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพเวิร์กโหลดในการใช้งานจริงขณะใช้งานคำสั่งการจัดการชุดข้อมูล ขณะนี้ สถาปัตยกรรม TRIM ที่ยกระดับประสิทธิภาพใหม่สามารถรันเป็นกระบวนการพื้นหลังโดยไม่รบกวนเวิร์กโหลด ซึ่งช่วยปรับปรุงประสิทธิภาพให้ดีขึ้นและ QoS ระหว่าง TRIM ที่เกิดขึ้นพร้อมกัน กระบวนการ TRIM ได้รับการปรับปรุงใหม่เพื่อให้มี Write Amplification (WA) ลดลงซึ่งช่วยให้บรรลุเป้าหมายด้านความทนทาน

การปรับปรุงเฟิร์มแวร์ให้ดีขึ้นเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพไดรฟ์ ประสิทธิภาพด้านไอที ความปลอดภัยของข้อมูล และความสามารถในการจัดการ

Intel SSD D7-P5510 มาพร้อมการปรับปรุงเฟิร์มแวร์ใหม่มากมายที่ออกแบบมาเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพด้านไอทีและความปลอดภัยของข้อมูลในโลกที่เน้นข้อมูลเป็นศูนย์กลางโดยเฉพาะ

Namespace ที่มีหลากหลายและปรับเปลี่ยนตลอดเวลาช่วยปรับปรุงการเตรียมการรันไทม์และการจัดการการจัดเก็บข้อมูลได้ดีขึ้น ไดรฟ์ Overprovision ที่มี Namespace เดียวที่เล็กลงช่วยเพิ่มความทนทานและประสิทธิภาพการเขียนแบบสุ่ม4

  • การเพิ่มการรองรับรูปแบบ LBA ช่วยเพิ่มความยืดหยุ่นในการโฮสต์ซอฟต์แวร์เพื่อส่งผ่านข้อมูลเมตาและข้อมูลการป้องกันไปพร้อมกับข้อมูล Payload Intel SSD D7-P5510 รองรับ VSS ที่มีขนาดเซกเตอร์ต่อไปนี้: 512/520/4096/4104/4160B
  • Scatter Gather List (SGL) ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพโดยลดความจำเป็นในการปรับข้อมูลให้สอดคล้องที่โฮสต์
  • การติดตาม SMART ที่ปรับปรุงใหม่ที่สามารถรายงานสถานะความสมบูรณ์ของไดรฟ์โดยไม่ทำให้การไหลของข้อมูล I/O ต้องหยุดชะงักโดยใช้กลไกในย่านความถี่และการเข้าถึงนอกย่านความถี่
  • การทดสอบอุปกรณ์โดยอุปกรณ์เองช่วยยกระดับประสบการณ์ของลูกค้าโดยสร้างความมั่นใจว่าอุปกรณ์จะทำงานตามที่คาดหวัง ระบบโฮสต์สามารถขอให้อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล (SSD) ทำการทดสอบเพื่อให้มั่นใจว่าทำงานอย่างถูกต้อง รวมถึงการตรวจสอบ SMART การสำรองหน่วยความจำแบบไม่ถาวร ความถูกต้องของ NVM และอายุการใช้งานไดรฟ์
  • การส่งข้อมูลระยะไกลช่วยให้สามารถเข้าถึงข้อมูลที่จัดเก็บไว้หลากหลายและรวมถึงสามารถติดตามและบันทึกข้อผิดพลาดได้อย่างอัจฉริยะ ซึ่งช่วยเพิ่มความเชื่อถือได้ในการค้นพบและลดปัญหา และสนับสนุนรอบการกำหนดคุณสมบัติที่รวดเร็วขึ้น ซึ่งทั้งหมดนี้ส่งผลให้ประสิทธิภาพด้านไอทีเพิ่มขึ้น
  • รองรับคุณสมบัติด้านความปลอดภัยอื่นๆ เช่น TCG Opal 2.0, Configurable Namespace Locking, Sanitize and Format NVM
  • รูปแบบการป้องกัน Power-Loss imminent (PLI) พร้อมอุปกรณ์ป้องกันในตัวที่ทดสอบตัวเองได้หากข้อมูลเกิดสูญหายในกรณีที่กำลังของระบบหยุดชะงักแบบกะทันหัน คุณสมบัติ PLI มาพร้อมกับรูปแบบการป้องกันพาธข้อมูลตั้งแต่เริ่มต้นจนสิ้นสุดระดับชั้นนำในอุตสาหกรรม5 ช่วยให้การใช้งานในศูนย์ข้อมูลที่ยืดหยุ่นง่ายขึ้นหากข้อมูลเกิดความเสียหายจากความผิดพลาดระดับระบบ

ผู้นำอตสาหกรรมเทคโนโลยี NAND

เทคโนโลยี 3D NAND, 144-เลเยอร์ของ Intel นำเสนอความหนาแน่นเชิงพื้นที่ระดับแนวหน้าในอุตสาหกรรม6 และการเก็บรักษาข้อมูล7 ที่ช่วยให้ลูกค้าองค์กรปรับขนาดอาร์เรย์การจัดเก็บข้อมูลได้ตามความต้องการที่เพิ่มขึ้นได้อย่างมั่นใจ การนำโครงสร้างพื้นฐานที่กำหนดโดยซอฟต์แวร์และแบบ Hyperconverged มาใช้อย่างรวดเร็ว ส่งผลให้ความต้องการในการเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุด การปรับปรุงฮาร์ดแวร์ที่มีอยู่ และการเพิ่มความคล่องตัวของเซิร์ฟเวอร์เพิ่มมากขึ้น และควบคู่ไปกับความเชื่อถือได้ในการทำงาน

ผู้ผลิตเซิร์ฟเวอร์ระดับองค์กรชั้นนำตอบรับโดยการนำ SSD บน PCIe/NVMe มาใช้อย่างเปิดเผยพร้อมประสิทธิภาพที่ปรับขนาดได้ ความหน่วงต่ำและนวัตกรรมใหม่อย่างต่อเนื่อง การตอบสนองความต้องการเวิร์กโหลดที่ใช้ I/O สูงที่เพิ่มมากขึ้น รวมถึง AI และการวิเคราะห์ กลายเป็นองค์ประกอบหลักที่สำคัญในกลยุทธ์องค์กร

คุณสมบัติโดยสรุป

รุ่น Intel® SSD D7-P5510
ความจุและฟอร์มแฟคเตอร์ U.2 15 มม.: 3.84 TB, 7.68 TB
อินเตอร์เฟซ PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Media เทคโนโลยี Intel® 3D NAND, 144-เลเยอร์, TLC
ประสิทธิภาพ อ่าน/เขียนต่อเนื่อง 128K สูงสุด 7,000/4,194MB/s
อ่าน/เขียนแบบสุ่ม 4KB สูงสุด 930K/190K IOPS
ความทนทาน 1 DWPD (สูงสุด 14 PBW)
ความน่าเชื่อถือ

UBER: 1 เซกเตอร์ต่อ 1017 บิตอ่าน

MTBF: 2 ล้านชั่วโมง
พลังงาน

ขณะเขียนเฉลี่ยสูงสุด: 18W

ไม่ทำงาน: 5W
การรับประกัน การรับประกันแบบจำกัด 5 ปี
แสดงเพิ่มขึ้น แสดงน้อยลง View all

โครงสร้างพื้นฐานในการจัดเก็บข้อมูลสำหรับ AI

เร่งการทำงานของเวิร์กโหลดการจัดเก็บข้อมูลแบบ AI ที่มีความผันผวนสูงขณะที่การปรับปรุงประสิทธิภาพการจัดเก็บข้อมูลให้ดีขึ้นนั้นเป็นเรื่องสำคัญอย่างยิ่งที่จะต้องตระหนักถึงมูลค่าทั้งหมดของ AI เรียนรู้วิธีเริ่มต้นสร้างการเชื่อมต่อของการจัดเก็บข้อมูลด้วย AI ที่มีการปรับเร่งความเร็ว ประสิทธิภาพการทำงานและปรับเปลี่ยนขนาดได้

ปรับเปลี่ยนการจัดเก็บข้อมูลของคุณให้ทันสมัยเพื่อเตรียมพร้อมการนำ AI มาใช้

ไดรฟ์ Intel® Solid State


เรียนรู้เกี่ยวกับเทคโนโลยีที่พัฒนาขึ้นเพื่อขับเคลื่อนนวัตกรรมด้านการจัดเก็บ

ประกาศและข้อสงวนสิทธิ์8

การกำหนดค่าสำหรับเชิงอรรถ 1-3: est และการกำหนดค่าระบบ: เมนบอร์ด: Intel® Server Board S2600WFT, เวอร์ชัน: R2208WFTZS, BIOS: SE5C620.86B.00.01.0014.070920180847, สถาปัตยกรรมแพลตฟอร์ม: x86_64, CPU: Intel® Xeon® Gold 6140 CPU @ 2.30GHz, ซอคเก็ต CPU: 2, ความจุ RAM: 32G, โมเดล RAM: DDR4, เวอร์ชันระบบปฏิบัติการ: centos-release-7-5, Build id: 1804, kernel: 4.14.74, ไดรเวอร์ NVMe: Inbox, เวอร์ชัน Fio: 3.5, ใช้สวิตช์ PCIe 4.0 จาก Microsemi P5510, P5316 ทดสอบบนเฟิร์มแวร์ JCV10100 และ ACV10005 ตามลำดับ

ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ

1

ประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับดีขึ้นสูงสุด 2.00 เท่า - คำอ้างได้จากการอ่านตามลำดับ (7.0GB/s) ของ Intel® SSD D7-P5510 128KB ต่อการอ่านตามลำดับ (3.20GB/s) ของ Intel® SSD DC P4510 128KB วันที่ทำการทดสอบ: ตุลาคม 2020

2

ความหน่วงดีขึ้นสูงสุด 50% – คำอ้างได้จากเวิร์คโหลด 4KB แบบสุ่ม 75/25 ที่ 6(9s) Intel® SSD D7-5510 (1100us) มีความหน่วงดีกว่า Intel® SSD DC P4510 (2539us) ที่ 50% วันที่ทำการทดสอบ: ตุลาคม 2020

3

เวิร์กโหลด IOP แบบผสมดีขึ้นสูงสุด 50% - คำอ้างได้จาก Intel® SSD D7-P5510, 7.684TB 4KB แบบผสม 70/30 (400K) ต่อ Intel® SSD DC P4510, 8TB (226K) วันที่ทำการทดสอบ: ตุลาคม 2020

4

 ไดรฟ์ Over-provisioning ที่ได้ประโยชน์จากเนมสเปซเดียวขนาดเล็กลงสามารถหาอ่านได้จากบทความนี้: https://www.intel.com/content/dam/www/public/us/en/documents/white-papers/over-provisioning-nand-based-ssds-better-endurance-whitepaper.pdf

5

ที่มา – Los Alamos การทดสอบไดรฟ์เกิดขึ้นที่: Los Alamos Neutron Science Center, https://lansce.lanl.gov/facilities/wnr/index.php ปัจจัยการเร่งความเร็วนิวตรอน 10^6 ดำเนินการทดสอบกับ SSD แบบพอร์ตเดียว, ไดรฟ์ Intel® SSD DC S3520, Intel® SSD DC P3520, Intel® SSD DC P3510, Intel® SSD DC P4500, Intel® SSD DC S4500, Intel® SSD DC P4800X, Intel® SSD D7-P55XX, Intel® SSD D7-P56XX, Samsung PM953, Samsung PM1725, Samsung PM961, Samsung PM863, Samsung PM963, Samsung 860DCT, Samsung PM883, Samsung PM983, Micron 7100, Micron 510DC, Micron 9100, Micron 5100, Micron 5200, HGST SN100, Seagate 1200.2, SanDisk CS ECO, Toshiba XGS, Toshiba Z6000 วัดความเสียหายของข้อมูลแบบเงียบเป็นศูนย์ในไดรฟ์แบบพอร์ตเดียวของ Intel เป็นการแสดงถึงเวลาสะสมที่ใช้วัด > 5 ล้านชั่วโมง การใช้การแผ่รังสีจากนิวตรอนเพื่อระบุอัตราความเสียหายของข้อมูลแบบเงียบและเป็นมาตรวัดของประสิทธิภาพการป้องกันข้อมูลแบบต้นทางปลายทางโดยรวม สาเหตุความเสียหายของข้อมูลในคอนโทรลเลอร์ SSD ได้แก่รังสีก่อไอออน และความไม่แน่นอนของ SRAM ข้อผิดพลาดแบบเงียบถูกวัดที่รันไทม์และหลังรีบูต หลังจากที่ไดรฟ์เกิดอาการ “ค้าง” โดยการเทียบข้อมูลที่คาดไว้กับข้อมูลจริงที่ส่งคืนโดยไดรฟ์ อัตราการเกิดความเสียหายของข้อมูลต่อปีได้รับการคาดการณ์จากอัตราในระหว่างการทดสอบแบบเร่งเวลา หารด้วยอัตราการเพิ่มปริมาณรังสี (ดูมาตรฐาน JEDEC JESD89B/C)

6

ที่มา: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

ทำการวัดโดยใช้ส่วนประกอบจาก SSD ที่ใช้เทคโนโลยีโฟลตติ้งเกตและ Charge Trap Flash แพลตฟอร์มการวัดที่ใช้คือระบบทดสอบหน่วยความจำ Teradyne Magnum 2 และการเขียนโปรแกรมที่ใช้รูปแบบการสุ่ม และส่วนต่างถูกวัดโดยใช้คำสั่งของลูกค้า ข้อมูลวัดเมื่อ 08/2019

8

ประสิทธิภาพจะแตกต่างกันไปตามการใช้งาน การกำหนดค่า และปัจจัยอื่นๆ เรียนรู้เพิ่มเติมได้ที่ www.thailand.intel.com/PerformanceIndex

ผลลัพธ์ประสิทธิภาพอ้างอิงตามการทดสอบในวันที่ที่ระบุดังที่แสดงในการกำหนดค่า และอาจไม่แสดงถึงการอัปเดตความปลอดภัยที่เผยแพร่ต่อสาธารณะ ดูการสำรองข้อมูลสำหรับรายละเอียดการกำหนดค่า ไม่มีผลิตภัณฑ์หรือส่วนประกอบใดที่จะปลอดภัยอย่างสมบูรณ์แบบ

ค่าใช้จ่ายและผลลัพธ์ของคุณอาจแตกต่างกันไป

Intel ไม่ได้ควบคุมหรือตรวจสอบข้อมูลของบุคคลที่สาม คุณควรศึกษาแหล่งข้อมูลอื่นๆ เพื่อประเมินความแม่นยำ

เทคโนโลยี Intel อาจต้องมีการเปิดใช้งานฮาร์ดแวร์ ซอฟต์แวร์ หรือบริการ