ID บทความ: 000085915 ประเภทข้อมูล: การแก้ไขปัญหา การตรวจสอบครั้งล่าสุด: 01/01/2015

การแมปที่อยู่ภายในหน่วยความจําตามค่าเริ่มต้นในคอนโทรลเลอร์ HPS SDRAM เริ่มต้นคืออะไร

สิ่งแวดล้อม

  • Intel® Quartus® II Subscription Edition
    • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
    คำอธิบาย

    ตามค่าเริ่มต้น ตัวเลือก การแมปที่อยู่ภายในหน่วยความจํา เมื่อใช้งานคอนโทรลเลอร์ HPS SDRAM คือ CHIP-ROW-BANK-COL นี่คือ ตัวเลือก Bank Interleave Without Chip Select Interleave ที่อธิบายไว้ในบทที่ 4 คําอธิบายฟังก์ชัน - ตัวควบคุมหน่วยความจํา HPS ของคู่มือ EMIF

    ความละเอียด

    ตามค่าเริ่มต้น ตัวเลือก การแมปที่อยู่ภายในหน่วยความจํา เมื่อใช้งานคอนโทรลเลอร์ HPS SDRAM คือ CHIP-ROW-BANK-COL

    ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

    บทความนี้จะนำไปใช้กับ 4 ผลิตภัณฑ์

    Cyclone® V FPGA และ SoC FPGA
    Arria® V GX FPGA
    Cyclone® V GX FPGA
    Arria® V FPGA และ SoC FPGA

    ต้องการความช่วยเหลือเพิ่มเติมหรือไม่?

    ติดต่อฝ่ายสนับสนุน

    คำประกาศสิทธิ์

    1

    การโพสต์และการใช้เนื้อหาในเว็บไซต์นี้ทั้งหมดอยู่ภายใต้ข้อกำหนดการใช้งานของ Intel.com

    เนื้อหาในหน้านี้เป็นการผสมผสานระหว่างการแปลเนื้อหาต้นฉบับภาษาอังกฤษโดยมนุษย์และคอมพิวเตอร์ เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อความสะดวกของคุณและเพื่อเป็นข้อมูลทั่วไปเท่านั้นและไม่ควรอ้างอิงว่าสมบูรณ์หรือถูกต้อง หากมีความขัดแย้งใด ๆ ระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้กับคำแปล เวอร์ชันภาษาอังกฤษจะมีผลเหนือกว่าและควบคุม ดูเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้