ID บทความ: 000084588 ประเภทข้อมูล: การแก้ไขปัญหา การตรวจสอบครั้งล่าสุด: 11/09/2012

ค่าตัวต้านทาน Rs และ Rp เมื่อใช้LVDS_E_3Rอุปกรณ์ Stratix V มีอะไรบ้าง

สิ่งแวดล้อม

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
คำอธิบาย

ค่าตัวต้านทาน Rs และ Rp คือ 120 โอห์มและ 170 โอห์มตามลําดับ เมื่อใช้LVDS_E_3Rสําหรับอุปกรณ์ Stratix® V

ข้อมูลนี้จะถูกเพิ่มเข้าไปในคู่มือ Stratix V รุ่นในอนาคต

ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

บทความนี้จะนำไปใช้กับ 4 ผลิตภัณฑ์

Stratix® V E FPGA
Stratix® V GS FPGA
Stratix® V GT FPGA
Stratix® V GX FPGA

ต้องการความช่วยเหลือเพิ่มเติมหรือไม่?

ติดต่อฝ่ายสนับสนุน

คำประกาศสิทธิ์

1

การโพสต์และการใช้เนื้อหาในเว็บไซต์นี้ทั้งหมดอยู่ภายใต้ข้อกำหนดการใช้งานของ Intel.com

เนื้อหาในหน้านี้เป็นการผสมผสานระหว่างการแปลเนื้อหาต้นฉบับภาษาอังกฤษโดยมนุษย์และคอมพิวเตอร์ เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อความสะดวกของคุณและเพื่อเป็นข้อมูลทั่วไปเท่านั้นและไม่ควรอ้างอิงว่าสมบูรณ์หรือถูกต้อง หากมีความขัดแย้งใด ๆ ระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้กับคำแปล เวอร์ชันภาษาอังกฤษจะมีผลเหนือกว่าและควบคุม ดูเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้