ID บทความ: 000083411 ประเภทข้อมูล: การแก้ไขปัญหา การตรวจสอบครั้งล่าสุด: 24/11/2011

การจําลองล้มเหลวสําหรับการตั้งค่าความหน่วง CAS เพิ่มเติมหน่วยความจํา > 0

สิ่งแวดล้อม

  • Intel® Quartus® II Subscription Edition
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

    ปัญหาสำคัญ

    คำอธิบาย

    สําหรับ DDR2 หรือ DDR3 ที่มีการออกแบบ UniPHY ที่สร้างขึ้นด้วยเวอร์ชัน ของคอนโทรลเลอร์ประสิทธิภาพสูง II (HPC II) ก่อนหน้า 11.0 การเลือกค่าที่มากกว่าศูนย์สําหรับตัวเลือกความหน่วง CAS เพิ่มเติมหน่วยความจํา บนแท็บ พารามิเตอร์หน่วยความจํา ในตัวแก้ไขพารามิเตอร์ อาจทําให้การออกแบบล้มเหลวในการจําลอง

    ความละเอียด

    วิธีแก้ไขปัญหาสําหรับปัญหานี้คือการเพิ่ม MEM_ADD_LAT พารามิเตอร์ dut.vไปยังไฟล์ห่อหุ้มที่สร้างอินสแตนซ์ของคอนโทรลเลอร์ ห่อหุ้ม (alt_mem_if_ddr*_controller_top.sv) เพื่อให้ MEM_ADDLAT เป็น ส่งลงไปยังตัวห่อคอนโทรลเลอร์

    ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

    บทความนี้จะนำไปใช้กับ 1 ผลิตภัณฑ์

    อุปกรณ์ที่ตั้งโปรแกรมได้ Intel®

    เนื้อหาในหน้านี้เป็นการผสมผสานระหว่างการแปลเนื้อหาต้นฉบับภาษาอังกฤษโดยมนุษย์และคอมพิวเตอร์ เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อความสะดวกของคุณและเพื่อเป็นข้อมูลทั่วไปเท่านั้นและไม่ควรอ้างอิงว่าสมบูรณ์หรือถูกต้อง หากมีความขัดแย้งใด ๆ ระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้กับคำแปล เวอร์ชันภาษาอังกฤษจะมีผลเหนือกว่าและควบคุม ดูเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้