ปัญหาสำคัญ
สําหรับ DDR2 หรือ DDR3 ที่มีการออกแบบ UniPHY ที่สร้างขึ้นด้วยเวอร์ชัน ของคอนโทรลเลอร์ประสิทธิภาพสูง II (HPC II) ก่อนหน้า 11.0 การเลือกค่าที่มากกว่าศูนย์สําหรับตัวเลือกความหน่วง CAS เพิ่มเติมหน่วยความจํา บนแท็บ พารามิเตอร์หน่วยความจํา ในตัวแก้ไขพารามิเตอร์ อาจทําให้การออกแบบล้มเหลวในการจําลอง
วิธีแก้ไขปัญหาสําหรับปัญหานี้คือการเพิ่ม MEM_ADD_LAT
พารามิเตอร์
dut.v
ไปยังไฟล์ห่อหุ้มที่สร้างอินสแตนซ์ของคอนโทรลเลอร์
ห่อหุ้ม (alt_mem_if_ddr*_controller_top.sv
) เพื่อให้ MEM_ADDLAT
เป็น
ส่งลงไปยังตัวห่อคอนโทรลเลอร์