ID บทความ: 000079454 ประเภทข้อมูล: การแก้ไขปัญหา การตรวจสอบครั้งล่าสุด: 11/06/2013

เหตุใดเนื้อหา Qsys on-chip memory (RAM หรือ ROM) จึงเสียหายหลังจากรีเซ็ตแบบอะซิงโครนัส

สิ่งแวดล้อม

  • โปรเซสเซอร์ Intel® Nios® II
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT
    คำอธิบาย

    เนื้อหาหน่วยความจําบนชิป (RAM หรือ ROM) อาจเสียหายหลังจากการรีเซ็ตแบบอะซิงโครนัส การตรวจสอบการรีเซ็ตแบบอสมวารกับตรรกะที่ขับเคลื่อนบัสแอดเดรสของหน่วยความจําฝังตัวFPGAอาจทําให้เกิดการเผยแพร่ลอจิกแบบอสมวาร ซึ่งอาจทําให้เกิดหลายบรรทัดแอดเดรสในหน่วยความจําแบบฝังให้ทํางานพร้อมกัน ซึ่งอาจทําให้เกิดการชาร์จร่วมกันระหว่างเซลล์บิตทําให้เนื้อหาของหน่วยความจําฝังเสียหายได้ การปรับใช้การรีเซ็ต Qsys ปัจจุบันไม่รวมถึงตรรกะการจัดการเฉพาะในการปฏิเสธปัญหาความเสียหายของหน่วยความจําดังกล่าว

    ซึ่งอาจทําให้เกิดการทํางานล้มเหลวในการออกแบบของคุณที่จําเป็นต้องเก็บรักษาเนื้อหาหน่วยความจําไว้ตลอดเวลา เช่น เมื่อใดที่หน่วยความจําบนชิปถูกใช้จัดเก็บซอฟต์แวร์โปรเซสเซอร์ Nios II หากเนื้อหาหน่วยความจําเกิดความเสียหายหลังจากการรีเซ็ตแบบอะซิงโครนัส โปรเซสเซอร์ Nios II อาจหยุดทํางานเมื่อใช้งานรหัสคําสั่งเสียหายจากหน่วยความจํา ไม่สามารถกู้คืนโปรเซสเซอร์ที่ติดตั้งไว้ได้ และจําเป็นต้องกําหนดค่าใหม่FPGAเพื่อแก้ไขปัญหา

    ความละเอียด

    หากคุณประสบปัญหาที่คล้ายกันในระบบของคุณที่ใช้หน่วยความจํา Qsys บนชิป คุณสามารถใช้โปรแกรมแก้ไขอุปกรณ์ DP2 สําหรับซอฟต์แวร์ Quartus II เวอร์ชั่น 13.0 เพื่อแก้ไขปัญหา หากต้องการรับโปรแกรมแก้ไข โปรดไปที่ http://software.altera.com/

    ปัญหานี้จะได้รับการแก้ไขในการเปิดตัวซอฟต์แวร์ Quartus II ในอนาคตเริ่มต้นด้วยเวอร์ชัน 13.0 SP1

    ปัญหานี้มีผลต่อคุณสมบัติทางปัญญา (IP) Alteraอื่นๆ รวมถึงคอนโทรลเลอร์หน่วยความจํา UniPHY Altera และคอนโทรลเลอร์การกําหนดค่าตัวรับส่งสัญญาณใหม่ หากต้องการเรียนรู้เพิ่มเติม โปรดดูrd05212013_358โซลูชันและrd05022013_457

    เนื้อหาในหน้านี้เป็นการผสมผสานระหว่างการแปลเนื้อหาต้นฉบับภาษาอังกฤษโดยมนุษย์และคอมพิวเตอร์ เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อความสะดวกของคุณและเพื่อเป็นข้อมูลทั่วไปเท่านั้นและไม่ควรอ้างอิงว่าสมบูรณ์หรือถูกต้อง หากมีความขัดแย้งใด ๆ ระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้กับคำแปล เวอร์ชันภาษาอังกฤษจะมีผลเหนือกว่าและควบคุม ดูเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้