ID บทความ: 000079422 ประเภทข้อมูล: การแก้ไขปัญหา การตรวจสอบครั้งล่าสุด: 15/06/2015

หน่วยความจําแฟลชเสียหาย

สิ่งแวดล้อม

  • Intel® Quartus® II Subscription Edition
  • BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

    ปัญหาสำคัญ

    คำอธิบาย

    เนื้อหาของหน่วยความจําแฟลชอาจเสียหายเมื่อคุณล้างหรือเขียนไปยัง หน่วยความจําที่ใช้ไดรเวอร์ Nios II HAL สําหรับคอนโทรลเลอร์แฟลชซีเรียล Altera และ เป็นที่รู้จักในชื่อว่าคอนโทรลเลอร์ EPCQ ความเสียหายของหน่วยความจําอาจเกิดขึ้นได้สองวิธี:

    • ฟังก์ชัน EPCQ erase จะถือว่าตําแหน่งถูกระบุโดย หมายเลขเซกเตอร์ แต่คํานิยาม API HAL ทั่วไปที่ถูกต้องต้องใช้เซกเตอร์ ออฟเซ็ต
    • ฟังก์ชันการเขียนจะเขียนข้อมูลที่ระบุอย่างถูกต้อง แต่เขียนเกิน ความยาวที่ระบุในปริมาณมาก ความเสียหายของข้อมูลโดยตรงหลังจากการดัดแปลง ข้อมูล
    ความละเอียด

    อัปเกรดเป็น Nios II Embedded Design Suite v15.0 หรือใหม่กว่า

    ผลิตภัณฑ์ที่เกี่ยวข้อง

    บทความนี้จะนำไปใช้กับ 2 ผลิตภัณฑ์

    เอฟพีจีเอ Intel® อุปกรณ์กำหนดค่า EPCQ
    อุปกรณ์ที่ตั้งโปรแกรมได้ Intel®

    เนื้อหาในหน้านี้เป็นการผสมผสานระหว่างการแปลเนื้อหาต้นฉบับภาษาอังกฤษโดยมนุษย์และคอมพิวเตอร์ เนื้อหานี้จัดทำขึ้นเพื่อความสะดวกของคุณและเพื่อเป็นข้อมูลทั่วไปเท่านั้นและไม่ควรอ้างอิงว่าสมบูรณ์หรือถูกต้อง หากมีความขัดแย้งใด ๆ ระหว่างเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้กับคำแปล เวอร์ชันภาษาอังกฤษจะมีผลเหนือกว่าและควบคุม ดูเวอร์ชันภาษาอังกฤษของหน้านี้