Altera®รุ่น IBIS มีเงื่อนไขสามประเภทเพื่อแสดงถึงประสิทธิภาพ I/O ทั้งรูปแบบของกระบวนการ แรงดันไฟฟ้า และอุณหภูมิ (PVT) เหล่านี้ยังเรียกว่ามุม PVT อย่างไรก็ตาม มุม PVT ทั้งสามมุมไม่ได้แสดงถึงประสิทธิภาพเต็มรูปแบบสําหรับแต่ละเกรดความเร็วของอุปกรณ์ที่มีอยู่ แต่เป็นการแสดงถึงประสิทธิภาพที่หลากหลายสําหรับตระกูลอุปกรณ์ เงื่อนไขทั้งสามที่จําลองใน IBIS ได้แก่:
- Fast-Strong เป็นเงื่อนไขที่ดีที่สุด
- ซิลิคอนที่รวดเร็ว
- แรงดันไฟฟ้าสูง
- อุณหภูมิต่ํา
- โดยทั่วไปคือเงื่อนไขที่กําหนด
- ซิลิคอนทั่วไป
- แรงดันไฟฟ้าที่กําหนด
- อุณหภูมิห้อง
- ช้า-อ่อนแอเป็นสภาวะเคสที่แย่ที่สุด
- ซิลิคอนช้า
- แรงดันไฟฟ้าต่ํา
- อุณหภูมิสูง
ภายในแต่ละเกรดความเร็ว มีรูปแบบของกระบวนการเช่นกัน รุ่น IBIS ที่แข็งแกร่งอย่างรวดเร็วแสดงถึงซิลิคอนที่เร็วที่สุด แต่ไม่ได้เป็นตัวแทนของประสิทธิภาพอย่างสมบูรณ์สําหรับอุปกรณ์เกรดความเร็วที่รวดเร็วเนื่องจากรุ่นที่แข็งแกร่งอย่างรวดเร็วไม่แสดงประสิทธิภาพที่ช้าที่สุดของอุปกรณ์เกรดความเร็วสูง
สําหรับอุปกรณ์เกรดความเร็วสูงและกลาง คุณไม่สามารถล้างกระบวนการ แรงดันไฟฟ้า และอุณหภูมิทั้งหมดได้ด้วยรุ่น IBIS ประสิทธิภาพ I/O จะขึ้นอยู่กับเกรดความเร็วของอุปกรณ์ การออกแบบของคุณอาจใช้เอาต์พุตอัตราสูงสุดในอุปกรณ์เกรดความเร็วที่รวดเร็ว แล้วพบว่าไม่สามารถทํางานในอัตราดังกล่าวเมื่อใช้สภาวะรุ่นที่อ่อนแอ เนื่องจากรุ่นที่อ่อนแอช้ามีซิลิคอนที่ช้าที่สุด ซึ่งไม่สามารถใช้กับอุปกรณ์เกรดความเร็วที่รวดเร็ว ดังนั้นคุณจึงไม่ควรใช้รุ่นที่อ่อนแอช้าเพื่อจําลองประสิทธิภาพ I/O ของอุปกรณ์เกรดความเร็วที่รวดเร็ว
ในการกําหนดสภาพเคสที่แย่ที่สุดสําหรับอุปกรณ์เกรดความเร็วที่รวดเร็วยิ่งขึ้น คุณสามารถใช้รุ่นทั่วไปได้ เนื่องจากจะเป็นการจํากัดการเปลี่ยนแปลงของกระบวนการ อย่างไรก็ตาม รุ่นทั่วไปยังอยู่ที่แรงดันไฟฟ้าที่กําหนดและอุณหภูมิที่กําหนด ดังนั้นนี่จึงไม่แสดงถึงสภาพแวดล้อมที่แย่ที่สุดที่อุปกรณ์อาจถูกสัมผัสระหว่างการทํางาน
เมื่อทําการจําลองอุปกรณ์เกรดความเร็วต่ํา คุณควรใช้มุมทั้งสามรุ่นเนื่องจากอุปกรณ์เกรดความเร็วต่ําสามารถมีซิลิคอนที่ทํางานได้ทุกที่ภายในรุ่นที่เร็วและช้า ซึ่งคล้ายกับการวิเคราะห์เวลาแบบหลายมุม คุณจะเห็นการเปลี่ยนแปลงประสิทธิภาพที่ใหญ่กว่าด้วยอุปกรณ์เกรดความเร็วต่ํากว่าอุปกรณ์เกรดความเร็วสูง
ข้อจํากัดเหล่านี้จําเป็นต้องได้รับการพิจารณาเมื่อทําการจําลองด้วยรุ่น IBIS
สําหรับการแสดงถึงสภาพแวดล้อมที่แม่นยํามากขึ้น เช่น แรงดันไฟฟ้าและอุณหภูมิส่งผลกระทบต่อมุมของกระบวนการทั้งสามอย่างไร คุณสามารถใช้โมเดล HSPICE และเครื่องมือการจําลองที่เหมาะสมได้ HSPICE ให้คุณเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าและอุณหภูมิแยกกันสําหรับแต่ละมุมของกระบวนการ
เมื่อคุณสร้างโมเดล IBIS หรือ HSPICE ในซอฟต์แวร์ Quartus® II สําหรับโครงการของคุณ ไฟล์ที่สร้างขึ้นจะแสดงถึงการใช้งาน I/O ในการออกแบบของคุณ ไฟล์เหล่านี้เป็นอิสระจากเกรดความเร็วของอุปกรณ์และจะรวมมุม PVT ที่แสดงถึงตระกูลอุปกรณ์ทั้งหมดในทุกระดับความเร็ว