หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DZ68ZV

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000008209

26/09/2017

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สี่ช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

 

  • Dimm ที่ 1.35 v DDR3 SDRAM (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC)
  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • ไม่รองรับการใช้งาน Dimm แบบ1ด้านหรือแบบสองด้านต่อไปนี้โดยมีข้อจำกัดดังต่อไปนี้: Dimm สองหน้าที่มีองค์กร x16
  • หน่วยความจำระบบรวมสูงสุด๓๒ GB (ใช้เทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
  • หน่วยความจำระบบขั้นต่ำทั้งหมด: 1 GB โดยใช้โมดูล x16 ๕๑๒ MB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • DDR3 + ๑๖๐๐ MHz, ๑๓๓๓ MHz, และ๑๐๖๖ MHz SDRAM Dimm
  • การสนับสนุนโปรไฟล์ประสิทธิภาพเวอร์ชัน XMP ๑.๒สำหรับความเร็วหน่วยความจำสูงกว่า๑๖๐๐ MHz

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรใส่ด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้

1.5 v เป็นการตั้งค่าที่แนะนำและเป็นค่าเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์

Intel อนุมานไม่รับผิดชอบต่อหน่วยความจำที่ติดตั้งไว้บนบอร์ดเดสก์ทอปหากใช้กับความถี่ของนาฬิกาที่มีการเปลี่ยนแปลงและ/หรือแรงดันไฟจะมีความเหมาะสมสำหรับวัตถุประสงค์เฉพาะใดๆ ตรวจสอบกับผู้ผลิตหน่วยความจำสำหรับเงื่อนไขการรับประกันและรายละเอียดเพิ่มเติม

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

 
ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
๕๑๒ MBด้านเดียว1 Gbit๖๔ M x 16/ว่าง4
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
1 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง4
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
4 GBด้านเดียว4 Gbit๕๑๒ M x 8/ว่าง8
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816
 


หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์
 

 
ผู้จัดจำหน่ายโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วของโมดูล [Mhz]หน่วงเวลา CL-tRCD-Trcdองค์กร DIMMรหัสวันที่ของโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนของส่วนประกอบ
ATAX3U1600PB2G8-2P2 GB16008/8/2008x16N/AAX3U1600PB2G8-2P
ATAX3U1866PB2G8-DP22 GB18668/8/2008x16N/AAX3U1866PB2G8-DP2
AtpVQ1333B8842 GB13339/9/20092Rx8N/AVQ1333B884
โจรCMT4GX3M2A1600C7ver: 2.32 GB16007/7/2007N/AN/ACMT4GX3M2A1600C7ver: 2.3
โจรCMT4GX3M2A1866C9 ver: 7.12 GB18669/9/2009N/AN/ACMT4GX3M2A1866C9 ver: 7.1
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB10667/7/2007x8820HMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GB13339/9/2009x8824HMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GB10667/7/20072Rx8819HMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB13339/9/20092Rx8921HMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GB10667/7/20072Rx8931HMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB13339/9/20092Rx8848HMT351U6AFR8C-H9
คิงส์ตันKHX2133C9AD3T1K2/4GX2 GB21339/11/2009N/AN/AKHX2133C9AD3T1K2/4GX
คิงส์ตันKHX250C9D3T1F3/6GX2 GB22509/11/2009N/AN/AKHX250C9D3T1F3/6GX
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D11 GB10667/7/2007x8N/AMT8JTF12864AY-1G1D1
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D11 GB13339/9/2009x8N/AMT8JTF12864AY-1G4D1
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D12 GB10667/7/20072Rx8N/AMT16JTF25664AY-1G1D1
ไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F12 GB13339/9/20092Rx8N/AMT16JTF25664AZ-1G4F1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D14 GB10667/7/20072Rx8N/AMT16JTF51264AZ-1G1D1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4D4 GB13339/9/20092Rx8N/AMT16JTF51264AZ-1G4D
ซัม ซุงM378B2873DZ1-CF81 GB10667/7/2007x8816M378B2873DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B2873EH1-CH91 GB13339/9/2009x8932M378B2873EH1-CH9
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF82 GB10667/7/20072Rx8810M378B5673DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CH92 GB13339/9/20092Rx8930M378B5673DZ1-CH9
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF84 GB10667/7/20072Rx8853M378B5273BH1-CF8
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF84 GB13339/9/20092Rx8853M378B5273BH1-CF8