หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DH77DF

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007775

25/09/2017

เนื้อหา:

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สองช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • Dimm แบบ DDR3 SDRAM 1.5 v พร้อมด้วยรายชื่อที่มีการชุบทองพร้อมตัวเลือกในการยกระดับแรงดันไฟฟ้าเพื่อรองรับ Dimm แบบ DDR3 SDRAM ประสิทธิภาพสูงกว่า
  • Dimm DDR3 v แรงดันต่ำที่1.35 โวลต์ (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC)
  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องที่รองการใช้งานโหมด interleaved
  • ไม่มีบัฟเฟอร์, ด้านเดียวหรือ Dimm สองด้านที่มีข้อจำกัดดังต่อไปนี้: ไม่รองรับ Dimm x16 สองด้าน
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 16 GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 GB)
  • หน่วยความจำระบบรวมที่แนะนำขั้นต่ำ: 1 GB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
  • ตรวจจับการแสดงสถานะอนุกรม
  • DDR3 ๑๖๐๐ MHz, DDR3 ๑๓๓๓ MHz และ Dimm แบบ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM โปรเซสเซอร์ Intel® Core™เจนเนอเรชั่น3เป็นตระกูลโปรเซสเซอร์เดียวที่รองรับ Dimm ๑๖๐๐ MHz
  • การสนับสนุนโปรไฟล์ประสิทธิภาพเวอร์ชัน XMP ๑.๓สำหรับความเร็วหน่วยความจำสูงสุด๑๖๐๐ MHz

สำหรับการปฏิบัติตามข้อกำหนดของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดจำเป็นต้องมี Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม การใช้ DIMM ที่รองรับ SPD ทำให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพสูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำที่ไม่มี SPD BIOS พยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบ นอกจากนี้ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่ระบุได้

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

 
ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit๒๕๖ M x 8/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
4 GBด้านเดียว4 Gbit๕๑๒ M x 8/ว่าง8
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

Intel Test Memory Labs * (CMTL) ทดสอบหน่วยความจำของบุคคลที่สามเพื่อความเข้ากันได้กับบอร์ด Intel®ตามที่ผู้ผลิตหน่วยความจำร้องขอ ดู รายการหน่วยความจำที่ได้รับการทดสอบขั้นสูง Cmtl* สำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel®นี้

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

 
ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)
ATM3OHYMH3J4130G2C5Z2 GB1333
ATAX3U1600GB2G92 GB1600
APACER240P1 GB1333
ELPIDAEBJ10UE8BAFA-AG-E1 GB1066
ELPIDAEBJ10UE8BDF01 GB1333
ELPIDAEBJ21UE8BBF02 GB1066
ELPIDAEBJ21UE8BBF0-DJ-F2 GB1333
ELPIDAEBJ20UF8BDW0-GN-F2 GB1600
ELPIDAEBJ41UF8BDW0-GN-F4 GB1600
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066
HynixHMT112U6TFR8C-H91 GB1333
HynixHMT125U6BFR8C-G72 GB1066
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333
HynixHMT325U6BFR8C-PB2 GB1600
HynixHMT351U6CFR8C-PB4 GB1600
HynixHMT41GU6MFR8C-PB8 GB1600
คิงส์ตันHP497156-C01-ELB1 GB1333
คิงส์ตันKHX1866C9D3T1K3/3GX1 GB1866
คิงส์ตันKHX1600C9D32 GB1600
คิงส์ตันKHX2133C9AD3T1K22 GB2133
ไมครอนMT8JTF12864AY1 GB1066
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D11 GB1333
ไมครอนMT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G4D12 GB1333
ไมครอนMT8JTF25664AZ-1G6M12 GB1600
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G6M14 GB1600
ไมครอนMT16JTF1G64AZ-1G6D18 GB1600
ไมครอนMT16KTF1G64HZ-1G6D18 GB1600
QIMONDAIMSH1GU13A1F1C1 GB1066
QIMONDAIMSH2GU13A1F1C2 GB1333
QIMONDAIMSH51U03A1F1C๕๑๒ MB1066
ซัม ซุงM378B22873DZ1-CH91 GB1333
ซัม ซุงM378B5673FH0-CH92 GB1333
ซัม ซุงM378B5773DH0-CK02 GB1600
ซัม ซุงM378B5273DH0-CH94 GB1333
ซัม ซุงM378B5273DH0-CK04 GB1600
ซัม ซุงM391B1G73BH0-CK08 GB1600
ซัม ซุงM378B2873EH1-CF81 GB1066
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF82 GB1066
เทคโนโลยี SanMaxSD-2G68HP-16K2 GB1600