หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DB65AL

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007724

10/06/2020

 

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สี่ช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • การสนับสนุนสำหรับ Dimm แบบไม่มี ECC, unbuffered, แบบด้านเดียวหรือสองด้านกับองค์กร x8
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด๓๒ GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
  • หน่วยความจำระบบขั้นต่ำทั้งหมด: 1 GB โดยใช้โมดูล x8 ขนาด 1 Gb
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • Dimm ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM SDRAM

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรใส่ด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้

1.5 v เป็นการตั้งค่าที่แนะนำและเป็นค่าเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

 

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
๕๑๒ MBด้านเดียว1 Gbit๖๔ M x 16/ว่าง4
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
1 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง4
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบของบุคคลที่สาม

ตารางด้านล่างแสดงรายการส่วนที่ผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

 

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูลECC หรือที่ไม่ใช่ ECCผู้ผลิตคอมโพเนนต์หมายเลขชิ้นส่วนของส่วนประกอบ
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H91 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T02 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G74 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D11 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D1
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D11 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D1
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D12 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1
ไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F12 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D14 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4D4 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4D
ซัม ซุงM378B2873DZ1-CF81 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B2873DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B2873EH1-CH91 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B2873EH1-CH9
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF82 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CH92 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CH9
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF84 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF8
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF94 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF9