หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DH61AG

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007648

25/09/2017

เนื้อหา
คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ

บอร์ดที่มี๒๒๐๔-pin เพื่อ-ซ็อกเก็ตและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • 1.0 v DDR3 SDRAM ดังนั้น-Dimm ที่มีรายชื่อการชุบทอง
  • การสนับสนุนสำหรับ 1.35 V แรงดันไฟฟ้าต่ำ DDR3 (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC ใหม่)
  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • Dimm แบบหน้าเดียวหรือสองด้านเพื่อให้ Dimm
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 16 GB (พร้อมเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
  • หน่วยความจำระบบที่แนะนำทั้งหมดขั้นต่ำ: ๑๐๒๔ MB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ของ ECC
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • การสนับสนุนส่วนกำหนดค่า XMP สำหรับการตรวจจับแรงดันไฟฟ้า
  • DDR3 ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM ดังนั้น-Dimm

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดแล้วบอร์ดควรบรรจุด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือความน่าเชื่อถือของ Dimm อาจจะไม่ทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนด

1.5 v เป็นการตั้งค่าที่แนะนำและเป็นค่าเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

 
เวอร์ชั่นของบัตรดิบความจุของ DIMMเทคโนโลยีอุปกรณ์ DRAMองค์กร DRAMจำนวนอุปกรณ์ DRAM
A1 GB1 Gb๖๔ M x 168
2 GB2 Gb๑๒๘ M x 168
B1 GB1 Gb๑๒๘ M x 88
2 GB2 Gb๒๕๖ M x 88
C๕๑๒ MB1 Gb๖๔ M x 164
1 GB2 Gb๑๒๘ M x 164
F2 GB1 Gb๑๒๘ M x 816
4 GB2 Gb๒๕๖ M x 816
8 GB4 Gb๕๑๒ M x 816
 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

Intel Test Memory Labs * (CMTL) ทดสอบหน่วยความจำของบุคคลที่สามเพื่อความเข้ากันได้กับบอร์ด Intel®ตามที่ผู้ผลิตหน่วยความจำร้องขอ ดู รายการหน่วยความจำ ที่ได้รับการทดสอบ cmtl * สำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel®นี้

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

 
ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)
ElpidaEBJ21UE8BDS0-DJ-F/52 GB1333
ElpidaEBJ10UE8BDS0-DJ1 GB1333
HynixHMT112S6TFR8C H9/571 GB1333
Hynix204P HMT351S6BFR8C-H9/574 GB1333
HynixHMT125S6TFR8C-H92 GB1333
คิงส์ตันHP572293 C01-ELDWG2 GB1333
คิงส์ตันKHX1600C9S3P1K2/8G4 GB1600
ไมครอนMT16JTF25664HZ-1G4G2 GB1333
ไมครอนMT8JTF12864HZ1 GB1333
QimondaMT16JSF51264HZ-1G4D14 GB1333
ซัม ซุงM471B2873GB0 CH9/571 GB1333
ซัม ซุงM471B5273DH04 GB1333
ซัม ซุงM471B5673GB02 GB1333
ซัม ซุงSM471B2873GB0-CK0S1 GBS1600
ซัม ซุงSM471B5773DH0-CK0S2 GBS1600
ซานแม็กซ์SMD-N2G88H3P2 GB1066
ซานแม็กซ์SMD-N4G68HP4 GB1066