หน่วยความจําระบบของบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DQ67EP

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007619

29/06/2021

 

คุณสมบัติหน่วยความจําระบบ
บอร์ดมีซ็อกเก็ต DIMM สองซ็อกเก็ตและสนับสนุนคุณสมบัติหน่วยความจําดังต่อไปนี้:

  • ช่องหน่วยความจําอิสระ 2 ช่องที่รองรับโหมด Interleaved
  • รองรับแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจํา 1.2V -1.8V DIMM
  • รองรับ DIMM แบบด้านเดียวหรือสองด้านที่ไม่ใช่ ECC, ไม่มีบัฟฟารด์ หรือ DIMM สองด้านที่มีองค์กร x8
  • หน่วยความจําระบบรวมทั้งหมดสูงสุด 16 GB (ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจํา 4 Gb)
  • หน่วยความจําระบบทั้งหมดขั้นต่่า: 1 GB โดยใช้โมดูล 1 Gb x8
  • การตรวจจับตัวตนแบบอนุกรม
  • DDR3 1333 MHz และ DDR3 1066 MHz SDRAM DIMM

เพื่อให้เป็นไปตามข้อจําเพาะของหน่วยความจํา DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมด ควรบรรจุบอร์ดด้วย DIMM ที่รองรับโครงสร้างข้อมูล Serial Presence Detect (SPD) ซึ่งจะช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และตั้งโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกําหนดการตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้องเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด หากติดตั้งหน่วยความจําที่ไม่ใช่ SPD แล้ว BIOS จะพยายามกําหนดการตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้อง แต่อาจได้รับผลกระทบด้านประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือ หรือ DIMM อาจไม่สามารถตอบสนองได้ภายใต้ความถี่ที่กําหนด

แนะนา 1.5 V คือการตั้งค่าเริ่มต้นและที่แนะนาให้ใช้งานกับแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจํา DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจําอื่นในโปรแกรมการตั้งค่า BIOS จัดหาให้เพื่อการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การปรับเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจําอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของเครื่อง หน่วยความจํา และโปรเซสเซอร์ (ii) ทําให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆ ของระบบล้มเหลว (iii) ทําให้ประสิทธิภาพของระบบลดลง (iv) ทําให้เกิดความร้อนหรือความเสียหายอื่น ๆ และ (v) ส่งผลต่อความครบถ้วนสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ไม่ได้ทดสอบและไม่ให้การรับประกันการดําเนินการของโปรเซสเซอร์เกินกว่าที่ข้อมูลด้านเทคนิคของโปรเซสเซอร์ โปรดดูข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์ได้จาก ข้อมูลการรับประกันโปรเซสเซอร์


การกําหนดค่าหน่วยความจําที่รองรับ

 

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่นของ SDRAMSDRAM Organization Front-side/Back-sideจํานวนอุปกรณ์ SDRAM
ขนาด 1 GBด้านเดียว1 Gbit1 Gb x 8 / ว่าง8
ขนาด 2 GBสองด้าน1 Gbit1 Gb x 8 / 1 Gb x 816
ขนาด 2 GBด้านเดียว2 Gbit2 Gb x 8 / ว่าง8
ขนาด 4 GBสองด้าน2 Gbit2 Gb x 8 / 2 Gb x 816

 

หน่วยความจําที่ผ่านการทดสอบ
หน่วยความจําที่ทดสอบโดยบริษัทอื่นเกิดขึ้นตามที่ผู้จัดซื้อหน่วยความจําร้องขอ และมีการทดสอบที่หน่วยความจําแบบอิสระ (CMTL*—Computer Memory Test Labs) ซึ่งไม่ใช่ส่วนหนึ่งของ Intel

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมใช้งานตลอดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

 

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วของโมดูลECC หรือ Non-ECCผู้ผลิตส่วนประกอบหมายเลขชิ้นส่วนส่วนประกอบ
HynixHMT112U6BFR8C-G7ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H9ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T0ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H9ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G7ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H9ขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D1ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D1
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D1ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D1
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1
ไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F1ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D1ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4Dขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4D
ซัม ซุงM378B2873DZ1-CF8ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B2873DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B2873มี1-CH9ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B2873มี1-CH9
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CH9ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CH9
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF8ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF8
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF9ขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF9