หน่วยความจําระบบของบอร์ด®เดสก์ทอป Intel® DQ67OW

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007441

29/06/2021

คุณสมบัติหน่วยความจําระบบ
บอร์ดมีซ็อกเก็ต DIMM สี่ซ็อกเก็ตและสนับสนุนคุณสมบัติหน่วยความจําดังต่อไปนี้:

  • ช่องหน่วยความจําอิสระ 2 ช่องที่รองรับโหมด Interleaved
  • รองรับแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจํา 1.2V -1.8V DIMM
  • รองรับ DIMM แบบด้านเดียวหรือสองด้านที่ไม่ใช่ ECC, ไม่มีบัฟฟารด์ หรือ DIMM สองด้านที่มีองค์กร x8
  • หน่วยความจําระบบรวมทั้งหมดสูงสุด 32 GB (ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจํา 4 Gb)
  • หน่วยความจําระบบทั้งหมดขั้นต่่า: 1 GB โดยใช้โมดูล 1 Gb x8
  • การตรวจจับตัวตนแบบอนุกรม
  • DDR3 1333 MHz และ DDR3 1066 MHz SDRAM DIMM

เพื่อให้เป็นไปตามข้อจําเพาะของหน่วยความจํา DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมด ควรบรรจุบอร์ดด้วย DIMM ที่รองรับโครงสร้างข้อมูล Serial Presence Detect (SPD) ซึ่งจะช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และตั้งโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกําหนดการตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้องเพื่อประสิทธิภาพสูงสุด หากติดตั้งหน่วยความจําที่ไม่ใช่ SPD แล้ว BIOS จะพยายามกําหนดการตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้อง แต่อาจได้รับผลกระทบด้านประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือ หรือ DIMM อาจไม่สามารถตอบสนองได้ภายใต้ความถี่ที่กําหนด

1.5V เป็นการตั้งค่าที่แนะนะนาและค่าเริ่มต้นของแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจํา DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจําอื่นในโปรแกรมการตั้งค่า BIOS มีให้มาเพื่อจุดประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การปรับเปลี่ยนแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจําอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของเครื่อง หน่วยความจํา และโปรเซสเซอร์ (ii) ทําให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆ ของระบบล้มเหลว (iii) ทําให้ประสิทธิภาพของระบบลดลง (iv) ทําให้เกิดความร้อนหรือความเสียหายอื่น และ (v) ส่งผลต่อความครบถ้วนสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ไม่ได้ทดสอบและไม่ให้การรับประกันการดําเนินการของโปรเซสเซอร์เกินกว่าที่ข้อมูลด้านเทคนิคของโปรเซสเซอร์ โปรดดูข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์ได้จาก ข้อมูลการรับประกันโปรเซสเซอร์

การกําหนดค่าหน่วยความจําที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่นของ SDRAMSDRAM Organization Front-side/Back-sideจํานวนอุปกรณ์ SDRAM
ขนาด 512 MBด้านเดียว1 Gbit64 M x 16 / ว่าง4
ขนาด 1 GBด้านเดียว1 Gbit128 M x 8 / ว่าง8
ขนาด 1 GBด้านเดียว2 Gbit128 M x 16 / ว่าง4
ขนาด 2 GBสองด้าน1 Gbit128 M x 8 / 128 M x 816
ขนาด 2 GBด้านเดียว2 Gbit128 M x 16 / ว่าง8
ขนาด 4 GBสองด้าน2 Gbit256 M x 8 / 256 M x 816
ขนาด 8 GBสองด้าน4 Gbit512 M x 8 / 512 M x 816

 

หน่วยความจําที่ผ่านการทดสอบโดยบริษัทอื่น

Computer Memory Test Labs* (CMTL) ทดสอบหน่วยความจําของบริษัทอื่นเพื่อ®ใช้งานร่วมกับบอร์ด Intel® ตามที่ผู้ผลิตหน่วยความจําร้องขอ

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมใช้งานตลอดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วของโมดูลECC หรือ Non-ECCผู้ผลิตส่วนประกอบหมายเลขชิ้นส่วนส่วนประกอบ
HynixHMT112U6BFR8C-G7ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT112U6BFR8C-G7
HynixHMT112U6AFP8C-H9ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT112U6AFP8C-H9
HynixHMT125U7AFP8C-G7T0ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT125U6AFP8C-G7T0
HynixHMT125U6BFR8C-H9ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT125U6BFR8C-H9
HynixHMT351U6AFR8C-G7ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-G7
HynixHMT351U6AFR8C-H9ขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCHynixHMT351U6AFR8C-H9
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D1ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G1D1
ไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D1ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT8JTF12864AY-1G4D1
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1
ไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F1ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF25664AZ-1G4F1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D1ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G1D1
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4Dขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCไมครอนMT16JTF51264AZ-1G4D
ซัม ซุงM378B2873DZ1-CF8ขนาด 1 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B2873DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B2873มี1-CH9ขนาด 1 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B2873มี1-CH9
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8ขนาด 2 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CH9ขนาด 2 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5673DZ1-CH9
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF8ขนาด 4 GB1066 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF8
ซัม ซุงM378B5273BH1-CF9ขนาด 4 GB1333 MHzNon-ECCซัม ซุงM378B5273BH1-CF9