หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® D2500CC

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007351

10/06/2020

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DDR3 SO-pin ๒๒๐๔และรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • DDR3 SDRAM ดังนั้น-Dimm ที่มีการติดต่อชุบทอง
  • ไม่มีบัฟเฟอร์, แบบด้านเดียวหรือ Dimm สองหน้า
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 4 GB ทั้งหมด
  • หน่วยความจำระบบขั้นต่ำทั้งหมด: ๒๕๖ MB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • DDR3 ๑๐๖๖ MHz, DDR3 ๑๓๓๓ MHz, DDR3 ๑๖๐๐ MHz ดังนั้น-Dimm (DDR3 ๑๓๓๓ MHz และหน่วยความจำ DDR3 ๑๖๐๐ MHz จะทำงานที่๑๐๖๖ MHz)

หน่วยความจำระบบจะต้องมีคะแนนอุณหภูมิในการทำงาน85องศาเซลเซียสเนื่องจากข้อจำกัดด้านความร้อนที่ระบายความร้อนอย่างลงตัว บอร์ดได้รับการออกแบบมาเพื่อทำให้ระบายความร้อนได้อย่างลงตัวในเคสที่มีการระบายอากาศที่เหมาะสม ขอแนะนำสถานที่ระบายอากาศของแชสซีที่อยู่เหนือพื้นที่หน่วยความจำระบบเพื่อประสิทธิภาพการกระจายความร้อนสูงสุด

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR3 SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรมีความพร้อมด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำที่ไม่ใช่ SPD ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจจะได้รับผลกระทบหรือไม่อาจทำให้ไม่สามารถใช้งานได้ภายใต้ความถี่ที่กำหนด

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
การกำหนดค่าหน่วยความจำระบบจะขึ้นอยู่กับความพร้อมใช้งานและอาจมีการเปลี่ยนแปลง

เวอร์ชั่นของบัตรดิบความจุของ DIMMเทคโนโลยีอุปกรณ์ DRAMองค์กร DRAMจำนวนอุปกรณ์ DRAM
B1 GB1 Gb๑๒๘ M x 88
2 GB2 Gb๒๕๖ M x 88
F2 GB1 Gb๑๒๘ M x 816
4 GB12 Gb๒๕๖ M x 816

 

1 การสนับสนุนสำหรับ๑๔ GB ดังนั้น DIMM ที่ติดตั้งในช่องเสียบ1 ช่องเสียบ0ต้องปล่อยว่างไว้

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้จัดจำหน่ายโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดความเร็ว (MHz)
ElpidaEBJ21UE8BAU0 (AE-E)2 GB1066
HynixHMT112S6TFR8C-G71 GB1066
HynixHMT112S6TFR8C-H9N01 GB1333
HynixHMT125S6TFR8C-G72 GB1066
HynixHMT125S6AFP8C-G72 GB1066
HynixHMT125S6BFR8C-H9N02 GB1333
HynixHMT125S6BFR8C-H9N02 GB1333
ไมครอนMT8JSF12864HY-1G1D11 GB1066
ไมครอนMT8JSF12864HZ-1G1F11 GB1066
ไมครอนMT8JSF12864HZ-1G4F11 GB1333
ไมครอนMT16JSF25664HZ-1G1F12 GB1066
ไมครอนMT8JSF25664HZ-1G4H12 GB1333
ไมครอนMT8JSF25664HZ-1G4D12 GB1333
ไมครอนMT16JSF25664HZ-1G4F12 GB1333
ซัม ซุงM471B2873EH1-CF81 GB1066
ซัม ซุงM471B2873EH1-CH91 GB1333
ซัม ซุงM471B5673EH1-CF82 GB1066
ซัม ซุงM471B5673EH1-CH92 GB1333
ซัม ซุงM471B5773CHS-CH92 GB1333

 

หัวข้อที่เกี่ยวข้อง
หน่วยความจำ DDR, DDR2 และ DDR3
โหมดหน่วยความจำแบบเดี่ยวและหลายช่องทาง
การแก้ไขปัญหาหน่วยความจำระบบ