หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DN2800MT

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007343

10/06/2020

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดที่มี๒๒๐๔-pin เพื่อ-ซ็อกเก็ตและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • 1.5 v DDR3-800 และ DDR3-1066-Dimm ที่มีรายชื่อแบบชุบทอง
  • Unbuffered, ไม่ใช่ ECC, ดิบการ์ด B (1Rx8) และบัตร Raw-F (2Rx8) ดังนั้น-Dimm เท่านั้น
  • โมดูลแบบด้านเดียวหรือสองด้าน
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 4 GB ทั้งหมด
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • DDR3 ๘๐๐ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz ดังนั้น Dimm (ความเร็วที่สูงกว่าดังนั้น Dimm รองรับที่๑๐๖๖ MHz หากโมดูลหน่วยความจำได้รับการสนับสนุน)

หน่วยความจำระบบจะต้องมีคะแนนอุณหภูมิในการทำงาน85องศาเซลเซียสเนื่องจากข้อจำกัดด้านความร้อนแบบไม่มีพัดลม บอร์ดได้รับการออกแบบมาเพื่อให้คุณระบายความร้อนได้อย่างไม่ต้องประมาทในเคสที่มีการระบายอากาศที่เหมาะสม ขอแนะนำสถานที่ระบายอากาศของแชสซีที่อยู่เหนือพื้นที่หน่วยความจำระบบเพื่อประสิทธิภาพการกระจายความร้อนสูงสุด

หากคุณติดตั้งเพียงหนึ่ง DIMM จะต้องติดตั้งในซ็อกเก็ตด้านล่าง (SO-DIMM 1)

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดแล้วบอร์ดควรบรรจุด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือความน่าเชื่อถือของ Dimm อาจจะไม่ทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนด

 

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
การกำหนดค่าหน่วยความจำระบบจะขึ้นอยู่กับความพร้อมใช้งานและอาจมีการเปลี่ยนแปลง

เวอร์ชั่นของบัตรดิบความจุของ DIMMเทคโนโลยีอุปกรณ์ DRAMองค์กร DRAMจำนวนอุปกรณ์ DRAM
B1 GB1 Gb๑๒๘ M x 88
2 GB2 Gb๒๕๖ M x 88
F2 GB1 Gb๑๒๘ M x 816
4 GB2 Gb๒๕๖ M x 816

 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)
HynixHMT125S6TFR8C-G72 GB1066
ไมครอนMT8JSF12864HY-1G4DZES1 GB1333
ไมครอนMT8JSF25664HZ-1G4D12 GB1333
ซัม ซุงM471B2873FHS-CF81 GB1066
ซัม ซุงM471B2873EH1-CH91 GB1333
ซัม ซุงM471B5773CHS-CH92 GB1333