หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DZ68DB
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สี่ช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:
- Dimm แบบ DDR3 SDRAM ๑.๕ V ที่มีรายชื่อการเคลือบทองพร้อมตัวเลือกในการยกระดับแรงดันไฟฟ้าเพื่อรองรับ Dimm ที่มีประสิทธิภาพสูง DDR3 SDRAM
- การสนับสนุนสำหรับ 1.35 V แรงดันไฟฟ้าต่ำ DDR3 (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC ใหม่)
- ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
- ไม่รองรับการใช้งาน Dimm แบบ1ด้านหรือแบบสองด้านต่อไปนี้โดยมีข้อจำกัดดังต่อไปนี้: Dimm สองหน้าที่มีองค์กร x16
- หน่วยความจำระบบสูงสุด๓๒ GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
- หน่วยความจำระบบที่แนะนำทั้งหมดขั้นต่ำ: ๕๑๒ MB
- Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
- ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
- Dimm ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM SDRAM
เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรใส่ด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้
๑.๕ V คือการตั้งค่าที่แนะนำและเป็นค่าเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ
Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์
การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
ความจุ DIMM | ตั้ง ค่า คอน ฟิก | ความหนาแน่น SDRAM | ด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลัง | จำนวนอุปกรณ์ SDRAM |
๕๑๒ MB | ด้านเดียว | 1 Gbit | ๖๔ M x 16/ว่าง | 4 |
1 GB | ด้านเดียว | 1 Gbit | ๑๒๘ M x 8/ว่าง | 8 |
1 GB | ด้านเดียว | 2 Gbit | ๑๒๘ M x 16/ว่าง | 4 |
2 GB | สองด้าน | 1 Gbit | ๑๒๘ m x 8/128 M x 8 | 16 |
2 GB | ด้านเดียว | 2 Gbit | ๑๒๘ M x 16/ว่าง | 8 |
4 GB | สองด้าน | 2 Gbit | ๒๕๖ m x 8/256 M x 8 | 16 |
4 GB | ด้านเดียว | 4 Gbit | ๕๑๒ M x 8/ว่าง | 8 |
8 GB | สองด้าน | 4 Gbit | ๕๑๒ m x 8/512 M x 8 | 16 |
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบของบุคคลที่สาม
ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์
ผู้ผลิตโมดูล | หมายเลขชิ้นส่วนโมดูล | ขนาดโมดูล | ความเร็วของโมดูล (เป็น MHz) |
At | M3OHYMH3J4130G2C5Z | 2 GB | 1333 |
At | AX3U1600GB2G9 | 2 GB | 1600 |
Apacer | 240P | 1 GB | 1333 |
Elpida | EBJ10UE8BAFA-AG-E | 1 GB | 1066 |
Elpida | EBJ10UE8BDF0 | 1 GB | 1333 |
Elpida | EBJ21UE8BBF0 | 2 GB | 1066 |
Elpida | EBJ21UE8BBF0-DJ-F | 2 GB | 1333 |
Hynix | HMT112U6BFR8C-G7 | 1 GB | 1066 |
Hynix | HMT112U6TFR8C-H9 | 1 GB | 1333 |
Hynix | HMT125U6BFR8C-G7 | 2 GB | 1066 |
Hynix | HMT125U6BFR8C-H9 | 2 GB | 1333 |
Hynix | HMT351U6AFR8C-H9 | 4 GB | 1333 |
คิงส์ตัน | HP497156-C01-ELB4233926-0911 | 1 GB | 1333 |
คิงส์ตัน | KHX1866C9D3T1K3/3GX | 1 GB | 1866 |
คิงส์ตัน | KHX1600C9D3 | 2 GB | 1600 |
คิงส์ตัน | KHX2133C9AD3T1K2 | 2 GB | 2133 |
ไมครอน | MT8JTF12864AY | 1 GB | 1066 |
ไมครอน | MT8JTF12864AZ-1G4F1 | 1 GB | 1333 |
ไมครอน | MT16JTF25664AY-1G1D1 | 2 GB | 1066 |
ไมครอน | MT16JTF25664AY-1G4D1 | 2 GB | 1333 |
Qimonda | IMSH1GU13A1F1C | 1 GB | 1066 |
Qimonda | IMSH2GU13A1F1C | 2 GB | 1333 |
Qimonda | IMSH51U03A1F1C | ๕๑๒ MB | 1066 |
ซัม ซุง | M378B22873DZ1-CH9 | 1 GB | 1333 |
ซัม ซุง | M378B5673FH0-CH9 | 2 GB | 1333 |
ซัม ซุง | M378B5273DH0-CH9 | 4 GB | 1333 |
ซัม ซุง | M378B2873EH1-CF8 | 1 GB | 1066 |
ซัม ซุง | M378B5673DZ1-CF8 | 2 GB | 1066 |