หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DZ68DB

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007117

19/09/2017

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ

บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สี่ช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • Dimm แบบ DDR3 SDRAM ๑.๕ V ที่มีรายชื่อการเคลือบทองพร้อมตัวเลือกในการยกระดับแรงดันไฟฟ้าเพื่อรองรับ Dimm ที่มีประสิทธิภาพสูง DDR3 SDRAM
  • การสนับสนุนสำหรับ 1.35 V แรงดันไฟฟ้าต่ำ DDR3 (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC ใหม่)
  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • ไม่รองรับการใช้งาน Dimm แบบ1ด้านหรือแบบสองด้านต่อไปนี้โดยมีข้อจำกัดดังต่อไปนี้: Dimm สองหน้าที่มีองค์กร x16
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด๓๒ GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
  • หน่วยความจำระบบที่แนะนำทั้งหมดขั้นต่ำ: ๕๑๒ MB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • Dimm ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM SDRAM

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรใส่ด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้

๑.๕ V คือการตั้งค่าที่แนะนำและเป็นค่าเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
๕๑๒ MBด้านเดียว1 Gbit๖๔ M x 16/ว่าง4
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
1 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง4
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
4 GBด้านเดียว4 Gbit๕๑๒ M x 8/ว่าง8
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816
 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบของบุคคลที่สาม

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วของโมดูล (เป็น MHz)
AtM3OHYMH3J4130G2C5Z2 GB1333
AtAX3U1600GB2G92 GB1600
Apacer240P1 GB1333
ElpidaEBJ10UE8BAFA-AG-E1 GB1066
ElpidaEBJ10UE8BDF01 GB1333
ElpidaEBJ21UE8BBF02 GB1066
ElpidaEBJ21UE8BBF0-DJ-F2 GB1333
HynixHMT112U6BFR8C-G71 GB1066
HynixHMT112U6TFR8C-H91 GB1333
HynixHMT125U6BFR8C-G72 GB1066
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333
คิงส์ตันHP497156-C01-ELB4233926-09111 GB1333
คิงส์ตันKHX1866C9D3T1K3/3GX1 GB1866
คิงส์ตันKHX1600C9D32 GB1600
คิงส์ตันKHX2133C9AD3T1K22 GB2133
ไมครอนMT8JTF12864AY1 GB1066
ไมครอนMT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G4D12 GB1333
QimondaIMSH1GU13A1F1C1 GB1066
QimondaIMSH2GU13A1F1C2 GB1333
QimondaIMSH51U03A1F1C๕๑๒ MB1066
ซัม ซุงM378B22873DZ1-CH91 GB1333
ซัม ซุงM378B5673FH0-CH92 GB1333
ซัม ซุงM378B5273DH0-CH94 GB1333
ซัม ซุงM378B2873EH1-CF81 GB1066
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF82 GB1066