หน่วยความจําระบบของบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DB75EN

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000007110

30/06/2021

คุณสมบัติหน่วยความจําระบบ
บอร์ดมีซ็อกเก็ต DIMM สี่ซ็อกเก็ตและสนับสนุนคุณสมบัติหน่วยความจําดังต่อไปนี้:

  • 1.5V DDR3 SDRAM DIMM ที่มีหน้าสัมผัสที่เคลือบด้วยทอง พร้อมกับตัวเลือกในการยกระดับแรงดันไฟฟ้าเพื่อรองรับ DDR3 SDRAM DIMM ประสิทธิภาพสูง
  • DDR3 DIMM แบบแรงดันไฟฟ้าต่า 1.35V (ข้อมูลทางเทคนิคของ JEDEC)
  • ช่องหน่วยความจําอิสระสองช่องที่รองรับโหมด Interleaved
  • DIMM แบบด้านเดียว แบบไม่ต่อด้าน หรือแบบสองด้านที่มีข้อจํากัดต่อไปนี้: ไม่รองรับ x16 DIMM สองหน้า
  • หน่วยความจําระบบรวมทั้งหมดสูงสุด 32 GB (ด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจํา 4 Gb)
  • หน่วยความจําระบบรวมที่แนะนาขั้นต่า: 1 GB
  • DIMM ที่ไม่ใช่ ECC
  • การตรวจจับตัวตนแบบอนุกรม
  • DDR3 1600 MHz, DDR3 1333 MHz, และ DDR3 1066 MHz SDRAM DIMM โปรเซสเซอร์เจนเนอIntel® Core™รุ่นที่สามเป็นตระกูลโปรเซสเซอร์เพียงตระกูลเดียวที่รองรับ DDR3 1600 MHz DIMM

เพื่อปฏิบัติตามข้อจําเพาะของหน่วยความจํา Intel SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมด บอร์ดจะจําเป็นต้องมี DIMM ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลแบบ Serial Presence Detect (SPD) การใช้ DIMM ที่รองรับ SPD จะช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และตั้งโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกําหนดการตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้องเพื่อประสิทธิภาพที่ดีที่สุด หากติดตั้งหน่วยความจําที่ไม่ใช่ SPD แล้ว BIOS จะพยายามปรับตั้งค่าหน่วยความจําอย่างถูกต้อง แต่อาจส่งผลต่อประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถือได้ และ DIMM อาจไม่สามารถฟังก์ชันได้ภายใต้ความถี่ที่ระบุ

การกําหนดค่าหน่วยความจําที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่นของ SDRAMองค์กร SDRAM ด้านหน้า / ด้านหลังจํานวนอุปกรณ์ SDRAM
ขนาด 1 GBด้านเดียว1 Gbit128 M x 8 / ว่าง8
ขนาด 2 GBสองด้าน1 Gbit128 M x 8 / 128 M x 816
ขนาด 2 GBด้านเดียว2 Gbit256 M x 8 / ว่าง8
ขนาด 4 GBสองด้าน2 Gbit256 M x 8 / 256 M x 816
ขนาด 4 GBด้านเดียว4 Gbit512 M x 8 / ว่าง8
ขนาด 8 GBสองด้าน4 Gbit512 M x 8 / 512 M x 816

 

หน่วยความจําที่ผ่านการทดสอบ

Computer Memory Test Labs* (CMTL) ทดสอบหน่วยความจําของบริษัทอื่นเพื่อ®ใช้งานร่วมกับบอร์ด Intel® ตามที่ผู้ผลิตหน่วยความจําร้องขอ

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมใช้งานตลอดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)
Adata*M32YMH3J4130G2C5Zขนาด 2 GB1333
AdataAX3U1600GB2G9ขนาด 2 GB1600
577,000,000ขนาด 240Pขนาด 1 GB1333
Elpida*Eอีคอมเมิร์ซ10UE8BAFA-AG-Eขนาด 1 GB1066
ElpidaEอีคอมเมิร์ซ10UE8BDF0ขนาด 1 GB1333
ElpidaEอีคอมเมิร์ซ21UE8BBF0ขนาด 2 GB1066
ElpidaEJU21UE8BBF0-DJ-Fขนาด 2 GB1333
Hynix*HMT112U6BFR8C-G7ขนาด 1 GB1066
HynixHMT112U6TFR8C-H9ขนาด 1 GB1333
HynixHMT125U6BFR8C-G7ขนาด 2 GB1066
HynixHMT125U6BFR8C-H9ขนาด 2 GB1333
HynixHMT351U6AFR8C-H9ขนาด 4 GB1333
9.6HP497156-C01-ELB4233926-0911ขนาด 1 GB1333
คิงส์ตันKHX1866C9D3T1K3/3GXขนาด 1 GB1866
คิงส์ตันKHX1600C9D3ขนาด 2 GB1600
คิงส์ตันKHX2133C9AD3T1K2ขนาด 2 GB2133
Micron*MT8JTF12864AYขนาด 1 GB1066
ไมครอนMT8JTF12864AZ-1G4F1ขนาด 1 GB1333
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D1ขนาด 2 GB1066
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G4D1ขนาด 2 GB1333
Qiชอทยา*IMSH1GU13A1F1Cขนาด 1 GB1066
Qi qi 2018IMSH2GU13A1F1Cขนาด 2 GB1333
Qi qi 2018IMSH51U03A1F1Cขนาด 512 MB1066
Samsung*M378B22873DZ1-CH9ขนาด 1 GB1333
ซัม ซุงM378B5673FH0-CH9ขนาด 2 GB1333
ซัม ซุงM378B5273DH0-CH9ขนาด 4 GB1333
ซัม ซุงM378B2873มี 1-CF8ขนาด 1 GB1066
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF8ขนาด 2 GB1066

 

หัวข้อที่เกี่ยวข้อง
การแก้ไขปัญหาหน่วยความจําระบบ