หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DH87MC

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000006860

10/06/2020

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ

บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สี่ช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • Dimm แบบ DDR3 SDRAM 1.5 v ที่มาพร้อมกับรายชื่อแบบเคลือบทองพร้อมตัวเลือกในการยกระดับแรงดันไฟฟ้าเพื่อรองรับ Dimm ที่มีประสิทธิภาพสูงกว่า DDR3 SDRAM
  • Dimm DDR3 v แรงดันต่ำที่1.35 โวลต์ (ข้อมูลจำเพาะ JEDEC)
  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องที่รองการใช้งานโหมด interleaved
  • ไม่มีบัฟเฟอร์, ด้านเดียวหรือ Dimm สองด้านที่มีข้อจำกัดดังต่อไปนี้: ไม่รองรับ Dimm x16 สองด้าน
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด๓๒ GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 GB)
  • หน่วยความจำระบบรวมที่แนะนำขั้นต่ำ: 1 GB
  • Dimm ที่ไม่ใช่ ECC
  • ตรวจจับการแสดงตนแบบอนุกรม (SPD)
  • DDR3 ๑๓๓๓ MHz ถึง DDR3 ๑๖๐๐ MHz SDRAM แบบ Dimm
  • การสนับสนุนโปรไฟล์ประสิทธิภาพเวอร์ชัน XMP ๑.๓สำหรับความเร็วหน่วยความจำสูงสุด๑๖๐๐ MHz

สำหรับการปฏิบัติตามข้อกำหนดของหน่วยความจำ Intel SDRAM ที่เกี่ยวข้องอย่างเต็มที่บอร์ดจำเป็นต้องมี Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับการแสดงผลแบบอนุกรม (SPD) BIOS จะอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดค่าการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงที่สุด หากมีการติดตั้งหน่วยความจำที่ไม่ใช่ SPD ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm ไม่ทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนด

Dimm โปรไฟล์ต่ำ
โมดูลหน่วยความจำแบบโปรไฟล์ Low (ครึ่งความสูง) อาจทำให้เกิดอาการต่อไปนี้:

  • ระบบไม่สามารถบู๊ต (ติดอยู่ที่รหัสไปรษณีย์ E0, 27 หรือ 2E)
  • ระบบจะแสดงปัญหาล็อคเป็นระยะๆในระบบปฏิบัติการหากปล่อย
  • ระบบรีบูตระบบ

Intel ได้ค้นพบว่ามีปัญหาที่ไร้ข้อจำกัดระหว่าง Intel® Desktop Boards และ Dimm บางโปรไฟล์ต่ำทำให้เกิดปัญหาในการตรวจพบด้านบน ระหว่างการทดสอบภายในและทำงานกับผู้จำหน่ายหน่วยความจำของ Dimm รายละเอียดต่ำการทดสอบทั้งหมดที่ระบุว่าบอร์ดและ Dimm โปรไฟล์ต่ำไม่ได้อยู่ภายนอกข้อมูลจำเพาะ

เนื่องจากปัญหาที่พบด้านบน Intel ไม่แนะนำให้ใช้ Dimm โปรไฟล์ต่ำที่มี Intel® Desktop Boards


การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
4 GBด้านเดียว4 Gbit๕๑๒ M x 8/ว่าง8
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816

 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

ตารางจะแสดงชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้ไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูล (GB)ความเร็วโมดูล (MHz)
ATAD63I1B1624EU2 GB1333
ATM3OHYMH3J4130G2C5Z2 GB1333
ATAX3U1600GB2G92 GB1600
ATAM2U16BC4P2-B4 GB1600
ELPIDA *EBJ21UE8BBF02 GB1066
ELPIDAEBJ21UE8BBF0-DJ-F2 GB1333
HynixHMT125U6BFR8C-G72 GB1066
HynixHMT125U6BFR8C-H92 GB1333
HynixHMT325U6BFR8C-PB2 GB1600
HynixHMT351U6AFR8C-H94 GB1333
HynixHMT351U6CFR8C-PB4 GB1600
HynixHMT41GU6MFR8C-PB8 GB1600
กลKHX1600C9D32 GB1600
คิงส์ตันKHX2133C9AD3T1K22 GB1333
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G1D12 GB1066
ไมครอนMT16JTF25664AY-1G4D12 GB1333
ไมครอนMT8JTF25664AZ-1G6M12 GB1600
ไมครอนMT16JTF51264AZ-1G6M14 GB1600
ไมครอนMT16JTF1G64AZ-1G6D18 GB1600
QIMONDA *IMSH2GU13A1F1C2 GB1333
SMARTPHONEM378B5673FH0-CH92 GB1333
ซัม ซุงM378B5773DH0-CK02 GB1600
ซัม ซุงM378B5273DH0-CH94 GB1333
ซัม ซุงM378B5273DH0-CK04 GB1600
ซัม ซุงM391B1G73BH0-CK08 GB1600
ซัม ซุงM378B5673DZ1-CF82 GB1066