หน่วยความจําระบบของบอร์ดเดสก์ทอป Intel® D945GCNL

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000006603

28/06/2021

คุณสมบัติหน่วยความจําระบบ
บอร์ดมีซ็อกเก็ต DIMM สองซ็อกเก็ตและสนับสนุนคุณสมบัติหน่วยความจําดังต่อไปนี้:

  • DDR2 SDRAM DIMM 1.8V (เท่านั้น) พร้อมหน้าสัมผัสที่เคลือบทอง
  • ไม่รองรับ DIMM แบบด้านเดียว หรือแบบสองหน้าแบบไม่มีสายต่อที่มีข้อจํากัดต่อไปนี้: ไม่รองรับ DIMM สองหน้าที่ใช้องค์กร x16
  • หน่วยความจําระบบรวมทั้งหมดสูงสุด 2 GB
  • หน่วยความจําระบบทั้งหมดขั้นต่่า: 128 MB
  • DIMM ที่ไม่ใช่ ECC
  • การตรวจจับตัวตนแบบอนุกรม
  • DDR2 667, DDR2 533 หรือ DDR2 400 MHz SDRAM DIMM
หมาย เหตุ
  • ถอดการ์ดแสดงผล PCI Express x16 ออกก่อนติดตั้งหรืออัปเกรดหน่วยความจําเพื่อหลีกเลี่ยงการรบกวนกับกลไกการเก็บรักษาหน่วยความจํา
  • ไม่ว่า DIMM ชนิดใดที่ใช้ ความถี่ของหน่วยความจําจะมีค่าเท่ากับหรือน้อยกว่าความถี่บัสระบบของโปรเซสเซอร์ ตัวอย่างเช่น หากมีการใช้หน่วยความจํา DDR2 533 กับโปรเซสเซอร์ความถี่บัสระบบ 800 MHz หน่วยความจําจะใช้งานได้ที่ 533 MHz
  • เพื่อให้เป็นไปตามข้อเพาะของ Intel® SDRAM ที่เกี่ยวข้องอย่างเต็มที่ บอร์ดควรมี DIMM ที่รองรับโครงสร้างข้อมูล Serial Presence Detect (SPD) หากโมดูลหน่วยความจําของคุณไม่รองรับ SPD หน้าจอการแจ้งเตือนจะแสดงผลเมื่อเปิดเครื่อง BIOS จะพยายามกําหนดค่าตัวควบคุมหน่วยความจําเพื่อให้การดําเนินการตามปกติ

 

การกําหนดค่า DIMM ที่รองรับ
ตารางต่อไปนี้แสดงรายการการกําหนดค่า DIMM ที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่นของ SDRAMองค์กร SDRAM ด้านหน้า/ด้านหลังจํานวนอุปกรณ์ SDRAM
ขนาด 128 MBSs256 Mbit16 M x 16/ว่าง 44
ขนาด 256 MBSs256 Mbit32 M x 8/ว่าง 88
ขนาด 256 MBSs512 Mbit32 M x 16/ว่าง 44
ขนาด 512 MBDs256 Mbit32 M x 8/32 M x 8 1616
ขนาด 512 MBSs512 Mbit64 M x 8/ว่าง 88
ขนาด 512 MBSs1 Gbit64 M x 16/ว่าง 44
ขนาด 1024 MBDs512 Mbit64 M x 8/64 M x 8 1616
ขนาด 1024 MBSs1 Gbit128 M x 8/ว่าง 88

 

หมาย เหตุในคอลัมน์ที่สอง "DS" ย่อมาจากโมดูลหน่วยความจําสองหน้า (สองแถวของ SDRAM) "SS" หมายถึงโมดูลหน่วยความจําแบบด้านเดียว (หนึ่งแถวของ SDRAM)

 

หน่วยความจําที่ผ่านการทดสอบ

หน่วยความจําที่ทดสอบโดยบุคคลที่สามเกิดขึ้นตามที่ผู้จัดซื้อหน่วยความจําร้องขอ และทดสอบที่บ้านหน่วยความจําอิสระ ซึ่งไม่ใช่ส่วนหนึ่งของ Intel - Computer Memory Test Labs (CMTL)

หน่วยความจําที่ทดสอบด้วยตนเองของผู้ค้า
Intel จัดให้ผู้จัดซื้อหน่วยความจําที่เข้าร่วมโปรแกรมนี้พร้อมกับแผนทดสอบหน่วยความจําทั่วไปเพื่อใช้เป็นเครื่องตรวจสอบความเสถียรของหน่วยความจําพื้นฐาน หน่วยความจําที่ระบุไว้ที่นี่ ได้เสร็จสิ้นการทดสอบโดยผู้ขายหน่วยความจําหรือ Intel โดยใช้แผนทดสอบนี้ หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมใช้งานตลอดอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ผ่านการทดสอบโดยใช้โปรแกรมการทดสอบด้วยตนเองของ Intel® เพื่อบอร์ดเดสก์ทอป Intel® D945GCNL

ซัพพลายเออร์โมดูล/หมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)1CL-tRCD-tRP ความหน่วงECC หรือ Non-ECCองค์กร DIMMรหัสวันที่ของโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนที่ใช้/ส่วนประกอบ
Corsair* VS256MB667D2ขนาด 256 MB667 Non-ECC   
ELPIDA* EBE11UD8A EFA-6 E-Eขนาด 1 GB6675/5/5Non-ECCDSX8514ELPIDA E5108A E-6A-E
Hynix* HYMP512U64CP8-Y5-ABขนาด 1 GB6675/5/5Non-ECCDSX8649Hynix HY5PS12821CFP-Y5
Hynix HYMP532U64CP6ขนาด 256 MB6675/5/5Non-ECCSSX8626Hynix HY5PS121621CFP-Y5
Hynix HYMP564U64BP8-S6 ABขนาด 512 MB667 Non-ECC   
Hynix HYMP564U64P8-E3ขนาด 512 MB4003/3/3Non-ECCSSX8505Hynix HY5PS12821FP-E3
Infineon* HYS64T32000HU-2.5-Bขนาด 256 MB8006/6/6Non-ECC   
Infineon HYS64T32000โอน-3S-Bขนาด 256 MB6675/5/5Non-ECCSSX16540QIวันที่* HYB18T512160BF-3S
Infineon HYS64T3200HU-3.7-Aขนาด 256 MB5334/4/4Non-ECCSSX16526Infineon HY18T512160AF-3.7
Infineon HYS64T6400HU-2.5Bขนาด 512 MB8006/6/6Non-ECCSSX8646QIใหม่ HYB18T5128008F-25
Kx* KVR667D2N5ขนาด 256 MB6675/5/5Non-ECC   
Micron* MT4HTF3264AY-53EB1ขนาด 256 MB5334/4/4Non-ECCSSX16524ไมโครน MT47H32M16CC
Micron MT4HTF3264AY-800D3ขนาด 256 MB8006/6/6Non-ECCSSX16646ไมโครน MT47H32M16BN
ไมโครนน์ MT4HTF5264AY-667B2ขนาด 256 MB667 Non-ECC   
NANรุ่น* NT1GT64U8HB0BY-25Dขนาด 1 GB8006/6/6Non-ECCDSX8703NANรุ่น NTSTU66M88A-25D
NANรุ่น NT512T64U88B0BY-25Dขนาด 512 MB8006/6/6Non-ECCSSX8626NANรุ่น NTSTU66M88A-25D
6672ขนาด 1 GB6675/5/5Non-ECCDSX8446Micron MT47H64M8BT-3
PSC* AL6S8S63B-8S1Kขนาด 512 MB800 Non-ECC   
6F-667ขนาด 512 MB667 Non-ECC   
Samsung* KRM378T2953CZ0-CE6ขนาด 1 GB6675/5/5Non-ECCDSX8552Samsung K4T51083QC
Samsung M378T6453FGO-CD5ขนาด 512 MB5334/4/4Non-ECCDSX8422Samsung K4T56083QF-GC05
Samsung M378T6553CZ3-CF7ขนาด 512 MB8006/6/6Non-ECCSSX8641Samsung K4T51083QC-ZCF7
SMART* TB4D2667C58Dขนาด 1 GB667 Non-ECC   
ความสามารถพิเศษ* T800UB1GC4ขนาด 1 GB800 Non-ECC   

 

หน่วยความจํา 1 800 MHz ใช้งานได้ที่ 667 MHz