หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DH55PJ

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000006049

11/10/2017

เนื้อหา:

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สองช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • การสนับสนุนสำหรับ Dimm แบบไม่มี ECC, unbuffered, แบบด้านเดียวหรือสองด้านกับองค์กร x8
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 8 GB (พร้อมด้วยเทคโนโลยีหน่วยความจำ 2 Gb)
  • หน่วยความจำระบบขั้นต่ำทั้งหมด: 1 GB โดยใช้โมดูล x8 ขนาด 1 Gb
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • Dimm ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM SDRAM

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่บังคับใช้ได้อย่างเต็มที่บอร์ดควรมี Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม โครงสร้างนี้ช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้อง ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจจะไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
1 GBด้านเดียว1 Gbit1 Gb x 8/ว่าง8
2 GBสองด้าน1 Gbit1 gb x 8/1 Gb x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit2 Gb x 8/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit2 gb x 8/2 Gb x 816
 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบของบุคคลที่สาม

หมายเลขชิ้นส่วนของซัพพลายเออร์โมดูล/โมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูล (MHz)ECC หรือที่ไม่ใช่ ECCหมายเลขชิ้นส่วนที่ใช้/คอมพ์ของส่วนประกอบ
Elpida * EBJ10UE8BAFA (AE-E)1 GB1066ที่ไม่ใช่ ECCเอลเต้ยิ J1108BASE
Elpida EBJ10UE8BAFA-DJ-E1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCElpida JPN J1108BASE-DJ-E
Elpida EBJ10UE8BBF0-DJ-F1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCเอลเซดา J1108BBSE TWN-DJ-F
Elpida EBJ10UE8BBF0-DJ-F1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCเอลเซดา J1108BBSE TWN-DJ-F
Hynix * HMT125U6BFR8C-G72 GB1066ที่ไม่ใช่ ECCHynix H5TQ1G8BBFRG7C
Hynix HMT351U6MFR8C H94 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCHynix H5TQ2G93AFR
คิงส์ตัน * HP497156 C01-ELD1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCเอลเซดา J1108BDSE TWN-DJ-F
ไมครอน * CT12864BA 1339.4 FD1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M16HA: D
ไมครอน CT12864BA 1339.8 FF1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน CT12864BA 1339.8 FF1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน CT25664BA 1067.16 FF2 GB1066ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP-187E: F
ไมครอน CT25664BA 1339.16 FF2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน CT25664BA 1339.16 FF2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน CT25664BA 1339.8 FD2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J256M8HX: D
ไมครอน MT16JTF25664AY2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECC 
ไมครอน MT16JTF25664AY2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECC 
ไมครอน MT16JTF25664AZ2 GB1066ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP-187E: F
ไมครอน MT16JTF25664AZ-1G4F12 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน MT16JTF25664AZ-1G4F12 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน MT4JTF12864AZ1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M16HA: D
ไมครอน MT8JTF12864AY1 GB1333ที่ไม่ใช่ ECC 
ไมครอน MT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน MT8JTF12864AZ-1G4F11 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J128M8JP: F
ไมครอน MT8JTF25664AZ2 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCไมครอน MT41J256M8HX: D
ซัมซุง * M37886474DZ1 CH9๕๑๒ MB1333ที่ไม่ใช่ ECCซัมซุง KB4B1G16460 HCH9
ซัมซุง M378B2873DZ1 CH91 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCวินาที * HCH9 C4B1G08460
ซัมซุง M378B5673EH1 CH92 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCวินาทีที่ HCH9 KB41G084GE
ซัมซุง M378B5673EH1 CH92 GB1333ที่ไม่ใช่ ECCวินาทีที่ HCH9 KB41G084GE
 
หัวข้อที่เกี่ยวข้อง
หน่วยความจำ DDR, DDR2 และ DDR3
โหมดหน่วยความจำแบบเดี่ยวและหลายช่องทาง
การแก้ไขปัญหาหน่วยความจำระบบ