หน่วยความจำระบบสำหรับบอร์ดเดสก์ทอป Intel® DH61WW

เอกสาร

ความสามารถในการทำงานร่วมกัน

000005810

25/09/2017

คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ
หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ


คุณสมบัติของหน่วยความจำระบบ
บอร์ดนี้มีซ็อกเก็ต DIMM สองช่องและรองรับคุณสมบัติของหน่วยความจำต่อไปนี้:

  • ช่องหน่วยความจำอิสระสองช่องพร้อมการสนับสนุนโหมดร่วมกัน
  • รองรับแรงดันหน่วยความจำ DIMM ๑.๒ V –๑.๘ V
  • การสนับสนุนสำหรับ Dimm แบบไม่มี ECC, unbuffered, แบบด้านเดียวหรือสองด้านกับองค์กร x8
  • หน่วยความจำระบบสูงสุด 16 GB (พร้อมเทคโนโลยีหน่วยความจำ 4 Gb)
  • หน่วยความจำระบบขั้นต่ำทั้งหมด: 1 GB โดยใช้โมดูล x8 ขนาด 1 Gb
  • ตรวจจับสถานะการอนุกรมแบบอนุกรม
  • Dimm ๑๓๓๓ MHz และ DDR3 ๑๐๖๖ MHz SDRAM SDRAM

เพื่อให้สอดคล้องกับข้อมูลจำเพาะของหน่วยความจำ DDR SDRAM ที่เกี่ยวข้องทั้งหมดบอร์ดควรใส่ด้วย Dimm ที่รองรับโครงสร้างข้อมูลการตรวจจับ (SPD) ของอนุกรม ซึ่งช่วยให้ BIOS สามารถอ่านข้อมูล SPD และโปรแกรมชิปเซ็ตเพื่อกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำให้เหมาะสมกับประสิทธิภาพที่สูงสุดได้อย่างแม่นยำ หากมีการติดตั้งหน่วยความจำแบบ SPD BIOS จะพยายามกำหนดการตั้งค่าหน่วยความจำอย่างถูกต้องแต่ประสิทธิภาพและความน่าเชื่อถืออาจได้รับผลกระทบหรือ Dimm อาจไม่สามารถทำงานภายใต้ความถี่ที่กำหนดไว้ได้

การตั้งค่าที่แนะนำและเริ่มต้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำ DDR3 คือ๑.๕ V การตั้งค่าแรงดันไฟฟ้าหน่วยความจำอื่นๆในโปรแกรมติดตั้ง BIOS มีไว้เพื่อวัตถุประสงค์ในการปรับแต่งประสิทธิภาพเท่านั้น การดัดแปลงแรงดันไฟฟ้าของหน่วยความจำอาจ (i) ลดเสถียรภาพของระบบและอายุการใช้งานของระบบหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ที่เป็นประโยชน์ (ii) ทำให้โปรเซสเซอร์และส่วนประกอบอื่นๆของระบบล้มเหลว (iii) ทำให้เกิดการลดลงของประสิทธิภาพของระบบ (iv) ทำให้เกิดความร้อนเพิ่มเติมหรือความเสียหายอื่นๆ และ (v) ส่งผลกระทบต่อความสมบูรณ์ของข้อมูลของระบบ

Intel ยังไม่ได้ทดสอบและไม่รับประกันการทำงานของโปรเซสเซอร์ที่อยู่นอกเหนือไปจากข้อมูลจำเพาะ สำหรับข้อมูลเกี่ยวกับการรับประกันของโปรเซสเซอร์โปรดดูข้อมูลการรับประกันของโปรเซสเซอร์

การกำหนดค่าหน่วยความจำที่รองรับ

ความจุ DIMMตั้ง ค่า คอน ฟิกความหนาแน่น SDRAMด้านหน้าขององค์กร SDRAM/ด้านหลังจำนวนอุปกรณ์ SDRAM
๕๑๒ MBด้านเดียว1 Gbit๖๔ M x 16/ว่าง4
1 GBด้านเดียว1 Gbit๑๒๘ M x 8/ว่าง8
1 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง4
2 GBสองด้าน1 Gbit๑๒๘ m x 8/128 M x 816
2 GBด้านเดียว2 Gbit๑๒๘ M x 16/ว่าง8
4 GBสองด้าน2 Gbit๒๕๖ m x 8/256 M x 816
4 GBด้านเดียว4 Gbit๕๑๒ M x 8/ว่าง8
8 GBสองด้าน4 Gbit๕๑๒ m x 8/512 M x 816
 

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบ

หน่วยความจำที่ผ่านการทดสอบของบุคคลที่สาม
ตารางด้านล่างแสดงรายการชิ้นส่วนที่ส่งผ่านการทดสอบในระหว่างการพัฒนา หมายเลขชิ้นส่วนเหล่านี้อาจไม่พร้อมให้บริการตลอดวงจรอายุการใช้งานของผลิตภัณฑ์

ผู้ผลิตโมดูลหมายเลขชิ้นส่วนโมดูลขนาดโมดูลความเร็วโมดูลECC หรือที่ไม่ใช่ ECCผู้ผลิตคอมโพเนนต์หมายเลขชิ้นส่วนของส่วนประกอบ
ATAX3U1600GB2G9-2G2 GB๑๖๐๐ MHzที่ไม่ใช่ ECC  
ELPIDA *EBJ10UE8BBF01 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECC 084909K2500
ELPIDAEBJ10UE8BBF01 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECC 084909K2500
ELPIDAEBJ21UE8BBF02 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECC 0905AXA9062
ELPIDAEBJ10UE8BBF02 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECC 084909L9500
HynixHMT112U6BFR8C1 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynix H5TQ1G83BFRG70 912A
HynixHMT112U6BFR8C1 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynix H5TQ1G836BFBH9C 909A
HynixHMT125U6BFR8C2 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCHynix H5TQ1G83BFRG7C 910A
HynixHMT125U6BFR8C2 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECC  
กลHP497156-C01-ELB1 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCElPID J1108BBSEDJ-F 0903R90E300
คิงส์ตันBSME16309312 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCElPID J1108BABGDJ-E 085009D2C
ไมครอนMT8JTF12864AZ1 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECC90F22D9KPT
ไมครอนMT16JTF25664AY2 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECC8ZD22D9JNL
ไมครอนMT16JTF25664AZ2 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECC90F22D9KPT
QIMONDA *MSH51U03A1F1C๕๑๒ MB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCIDSE1S-03A1F1C-10FFSB31577
QIMONDAIMSH1GU13A1F1C1 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCIDSH51-03A1F1D-10FFSS36541
QIMONDAIMSH2GU13A1F1C2 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCIDSH1G-03A1F1C-13HFss15499
SMARTPHONEM378B2873EH11 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCSEC ๘๔๙ HC F8K4B1G08461
ซัม ซุงM378B2873DZ11 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCวินาที๙๑๖ HC H9K4B1G08460
ซัม ซุงM378B5673EH12 GB๑๐๖๖ MHzที่ไม่ใช่ ECCSEC ๘๔๖ HC F8K4B1G0846E
ซัม ซุงM378B5673DZ12 GB๑๓๓๓ MHzที่ไม่ใช่ ECCSEC ๘๔๓ HC F8K4B1G08410