Intel® Memory Resilience Technology
เทคโนโลยีหน่วยความจำ RAS เพื่อวิเคราะห์และคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำ และแยกบิตข้อบกพร่อง
รูปแบบการใช้งาน Intel® Memory Resilience Technology
ด้วยโมเดลและอัลกอริธึมหลายมิติของเรา ข้อผิดพลาดของหน่วยความจำจะถูกขุดและวิเคราะห์ในระดับไมโครสถาปัตยกรรม สามารถใช้ Intel® Memory Resilience Technology สำหรับ:
- รายงานและการตรวจจับชิ้นส่วนหน่วยความจำที่มีข้อบกพร่อง
- การออฟไลน์เพจเชิงคาดการณ์เพื่อแยกบิตข้อบกพร่อง
- การลดความพยายามในการเปลี่ยนและการบำรุงรักษา DIMM โดยไม่จำเป็น
- การลดขยะอิเล็กทรอนิกส์และยืดอายุส่วนประกอบไฟฟ้า
กรณีศึกษาและข้อมูลทางเทคนิค
SK hynix: Intel® Memory Resilience Technology
การใช้ปัญญาประดิษฐ์เพื่อการวิเคราะห์ความล้มเหลวของหน่วยความจำเชิงคาดการณ์สามารถช่วยให้ศูนย์ข้อมูลลดข้อผิดพลาดของหน่วยความจำได้
Tencent: การคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำ Intel® ที่ Tencent
Intel® Memory Failure Prediction ปรับปรุงความน่าเชื่อถือของหน่วยความจำได้อย่างมากผ่านการเรียนรู้ของเครื่องออนไลน์และลดการหยุดทำงาน
Meituan: การคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำ Intel® เพิ่มความน่าเชื่อถือ
Intel® Memory Failure Prediction ใช้การเรียนรู้ของเครื่องเพื่อส่งการแจ้งเตือนที่อาจเกิดขึ้นกับหน่วยความจำที่ล้มเหลวก่อนที่ฮาร์ดแวร์จะล้มเหลว และลดผลกระทบของการหยุดทำงาน
Alibaba Cloud: Intel® Memory Resilience Technology ช่วยเพิ่มความน่าเชื่อถือของ DDR5
การส่งเสริม Alibaba Cloud ให้ใช้ประโยชน์สูงสุดจากความน่าเชื่อถือของหน่วยความจำ DDR5 ผ่านการวิเคราะห์การขัดข้องที่ใช้ AI ช่วยใน BMC
ByteDance: การออฟไลน์เพจคำแนะนำการทำนายที่รับรู้ข้อผิดพลาดเพื่อป้องกันข้อผิดพลาดของหน่วยความจำที่ไม่สามารถแก้ไขได้
การประเมินเชิงประจักษ์ใน ByteDance การออฟไลน์เพจคำแนะนำการทำนายที่รับรู้ข้อผิดพลาดจะป้องกัน UE ได้มากกว่านโยบายระบบปฏิบัติการแบบเดิมถึง 20 เท่า
Samsung: การปรับปรุงความน่าเชื่อถือของหน่วยความจำที่ศูนย์ข้อมูล
Intel® Memory Resilience Technology ลดข้อผิดพลาดของหน่วยความจำที่ศูนย์ข้อมูลด้วยการวิเคราะห์ความล้มเหลวเชิงคาดการณ์และการป้องกันอัจฉริยะโดยใช้โทรมาตรแบบละเอียดและปัญญาประดิษฐ์
AMI
การสนับสนุนโมดูลหน่วยความจำที่ปรับปรุงโดยผ่าน integrated Intel® Memory Resilience Technology
บทความและเอกสาร
การใช้ AI เพื่อเพิ่มเวลาทำงานของศูนย์ข้อมูลและลด TCO
9 กุมภาพันธ์ 2021 | George Clement และ Zachary Bobroff
การคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำทำให้ศูนย์ข้อมูลและเศรษฐกิจดิจิทัลยังคงดำเนินต่อไปได้อย่างไร
3 ธันวาคม 2020 | Jeff Klaus, Data Center News
ประกาศและข้อสงวนสิทธิ์
Intel ไม่ได้ควบคุมหรือตรวจสอบข้อมูลของบุคคลที่สาม คุณควรศึกษาแหล่งข้อมูลอื่นๆ เพื่อประเมินความแม่นยำ
ผลการคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำที่แสดงผ่านการใช้ Intel MFP เป็นเพียงการคาดคะเน และอาจแตกต่างกันไปขึ้นอยู่กับความแตกต่างของฮาร์ดแวร์ ซอฟต์แวร์หรือการกำหนดค่าระบบ ผลลัพธ์ข้างต้นได้มาจากการใช้โมเดลและอัลกอริทึมหลายมิติในการคาดการณ์ความล้มเหลวของหน่วยความจำที่อาจเกิดขึ้น และไม่ถือเป็นการรับรองหรือรับประกันในส่วนที่เกี่ยวข้องกับความล้มเหลวของหน่วยความจำ