เทคโนโลยี Intel® 14 nm

เทคโนโลยี Intel® 14 nm

  • ใช้เพื่อผลิตผลิตภัณฑ์ประสิทธิภาพสูงไปจนถึงที่ใช้พลังงานต่ำ

  • กระบวนการที่ผ่านเกณฑ์ที่ใช้ในการผลิตในปริมาณมาก

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

ด้วยการใช้ทรานซิสเตอร์แบบ 3D tri-gate รุ่นที่ 2 ทำให้เทคโนโลยีระดับ 14 nm สามารถนำเสนอประสิทธิภาพ พลังประมวลผล ความหนาแน่นและต้นทุนต่อทรานซิสเตอร์อันน่าทึ่ง และใช้ในการผลิตผลิตภัณฑ์จำนวนมากตั้งแต่ประสิทธิภาพการทำงานสูงและการประหยัดพลังงาน

อุปกรณ์ที่เร็วพิเศษที่ใช้พลังงานต่ำที่ขับเคลื่อนด้วย Intel

สนับสนุนผลิตภัณฑ์จำนวนมากตั้งแต่อุปกรณ์พกพาจนถึงเซิร์ฟเวอร์ ทรานซิสเตอร์ขนาด 14 nm ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานและลดการสิ้นเปลืองพลังงาน เทคโนโลยีขนาด 14 nm ของ Intel® ใช้ในการผลิตผลิตภัณฑ์ที่หลากหลาย ตั้งแต่ที่มีพลังประมวลผลสูง จนถึงผลิตภัณฑ์ที่ใช้พลังงานต่ำ ซึ่งรวมถึงเซิร์ฟเวอร์ อุปกรณ์ประมวลผลส่วนบุคคล และผลิตภัณฑ์สำหรับ Internet of Things

รับชม Mark Bohr จาก Intel พูดคุยถึงกระบวนการทรานซิสเตอร์ขนาด 14 nm ใหม่ และอธิบายว่าการที่ Tri-Gate Fins สูงขึ้น บางขึ้น และอยู่ใกล้ชิดกันยิ่งขึ้น ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน ทำให้ใช้พลังงานน้อยลง และเพิ่มอายุการใช้งานแบตเตอรี่ให้ยาวนาน เพื่อประสบการณ์การประมวลผลที่ดียิ่งขึ้น

เทคโนโลยี Intel® 14 nm ให้การปรับขนาดที่ดีจาก 22 nm ครีบทรานซิสเตอร์นั้นสูงกว่า บางกว่า และอยู่ชิดกันมากกว่าเพื่อความหนาแน่นที่ดีขึ้น และประจุกระแสไฟฟ้าที่ต่ำกว่า ทรานซิสเตอร์ที่ได้รับการปรับปรุงนั้นต้องการครีบจำนวนน้อยกว่า ความหนาแน่นที่ดีกว่า และขนาดของเซลล์ SRAM นั้นมีขนาดเกือบครึ่งหนึ่งของขนาด 22 nm

กระบวนการผลิตในระดับ 14 nm ของ Intel และผลิตภัณฑ์ System-on-a-Chip (SoC) ชั้นนำขณะนี้มีคุณสมบัติเพียงพอและกำลังผลิตในปริมาณมาก โดยมีโรงงานอยู่ที่ Oregon (2014), Arizona (2014), และ Ireland (2015)