คอลเลกชั่นผลิตภัณฑ์
ไดรฟ์ Intel® Solid-State ซีรี่ส์ DC P4600
ความจุ
4 TB
สถานะ
Discontinued
วันที่วางจำหน่าย
Q2'17
ประเภท Lithography
3D NAND TLC

ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)
3200 MB/s
การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)
1900 MB/s
การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
617500 IOPS (4K Blocks)
การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
225000 IOPS (4K Blocks)
พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน
Sequential Avg. 22.2W (Write), 9.6W (Read)
พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน
<5 W

ความน่าเชื่อถือ

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน
2.17 GRMS
การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน
3.13 GRMS
การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)
50 G Trapezoidal, 170 in/s
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน
0°C to 70°C
อุณหภูมิทำงาน (สูงสุด)
70 °C
อุณหภูมิทำงาน (ต่ำสุด)
0 °C
ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)
23.23 PBW
เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)
2 million hours
อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)
<1 sector per 10^17 bits read
ระยะเวลารับประกัน
5 yrs

ข้อมูลเสริม

เอกสารข้อมูล
ข้อมูลสรุปผลิตภัณฑ์
URL ข้อมูลเพิ่มเติม

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

น้ำหนัก
182g
Form Factor
HHHL (CEM3.0)
อินเตอร์เฟซ
PCIe 3.1 x4, NVMe

เทคโนโลยีขั้นสูง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง
ใช่
การเข้ารหัสฮาร์ดแวร์
AES 256 bit
High Endurance Technology (HET)
ใช่
การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ
ใช่
การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)
ใช่
เทคโนโลยี Intel® Smart Response
ไม่ใช่
Intel® Rapid Storage Technology
ไม่ใช่
Intel® Remote Secure Erase
ไม่ใช่