คอลเลกชั่นผลิตภัณฑ์
ไดรฟ์ Intel® Solid-State DC ซีรีส์ P4510
ความจุ
1 TB
สถานะ
Launched
วันที่วางจำหน่าย
Q3'17
ประเภท Lithography
64-Layer TLC 3D NAND
สภาวะการใช้งาน
Server/Enterprise

ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)
2850 MB/s
การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)
1100 MB/s
การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
465000 IOPS (4K Blocks)
การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
70000 IOPS (4K Blocks)
ความหน่วงแฝง - อ่าน
77 µs (4K Blocks)
ความหน่วงแฝง - เขียน
18 µs (4K Blocks)
พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน
10W
พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน
5W

ความน่าเชื่อถือ

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน
2.17GRMS(5-700MHz)
การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน
3.13GRMS(5-800MHz)
การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)
1000G (0.5ms)
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน
0°C to 70°C
อุณหภูมิทำงาน (สูงสุด)
70 °C
อุณหภูมิทำงาน (ต่ำสุด)
0 °C
ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)
1.92 PBW
เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)
2 million hours
อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)
1 sector per 10^17 bits read
ระยะเวลารับประกัน
5 yrs

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

น้ำหนัก
131g
Form Factor
U.2 15mm
อินเตอร์เฟซ
PCIe 3.1 x4, NVMe

เทคโนโลยีขั้นสูง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง
ใช่
การเข้ารหัสฮาร์ดแวร์
AES 256 bit
การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ
ใช่
การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)
ใช่
เทคโนโลยี Intel® Smart Response
ไม่ใช่
Intel® Rapid Storage Technology
ไม่ใช่
Intel® Remote Secure Erase
ไม่ใช่