หน่วยความจำแบบฝังใน Stratix® Series FPGA

FPGA ตระกูล Stratix® นำเสนอแนวคิดของหน่วยความจำ TriMatrix ในหน่วยความจำ TriMatrix หน่วยความจำออนชิปมีการใช้งานในบล็อกขนาดต่างๆ สามประเภท แต่ละประเภทมีการใช้งานเฉพาะ ประเภทหน่วยความจำได้รับการบำรุงรักษาและปรับให้เหมาะสมผ่านอุปกรณ์ Stratix ซีรีส์
ด้วยการเปลี่ยนแปลงทางสถาปัตยกรรมที่สำคัญในหน่วยความจำภายในใน Stratix® V FPGA เราได้เพิ่มทั้งความจุและแบนด์วิดท์ของโครงสร้างเหล่านี้อย่างมีนัยสำคัญ Stratix V FPGA ใช้หน่วยความจำสองประเภท: บล็อกอาร์เรย์ตรรกะหน่วยความจำที่ปรับปรุง (MLAB) และบล็อกหน่วยความจำ M20K การเปลี่ยนแปลงเหล่านี้ได้ปรับปรุงประสิทธิภาพและการใช้งาน ซึ่งช่วยเพิ่มความสามารถในการออกแบบการประมวลผลสัญญาณดิจิทัล (DSP) ซอฟต์แวร์ Quartus® II จะย้ายการออกแบบโดยอัตโนมัติจากสถาปัตยกรรมหน่วยความจำ FPGA ของ Stratix ซีรีส์ก่อนหน้าไปยังโครงสร้างใหม่ คุณลักษณะ MLAB ที่ได้รับการปรับปรุงที่สำคัญช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและแบนด์วิดท์:

ที่อยู่และรีจิสเตอร์ข้อมูลภายใน MLAB
เพิ่มประสิทธิภาพการใช้ลอจิกลดลงประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นสำหรับ FIFO แบบกว้างและตื้น (บิตกว้าง n, ลึก 32 หรือ 64)คุณสมบัติบล็อกหน่วยความจำ M20K ที่สำคัญช่วยเพิ่มประสิทธิภาพและการใช้งาน:
จำนวนบิตหน่วยความจำแบบฝังตัวที่เพิ่มขึ้น
ประสิทธิภาพบล็อกหน่วยความจำที่เพิ่มขึ้นความยืดหยุ่นของสถาปัตยกรรมหน่วยความจำเพื่อขยายแอพพลิเคชั่นดีขึ้นการวางผังพื้นและการกำหนดเส้นทางอย่างง่ายการป้องกันรหัสแก้ไขข้อผิดพลาด (ECC) ที่เป็นตัวเลือกซึ่งสามารถทำงานได้ในโหมดไปป์ไลน์หรือไม่ใช่ไปป์ไลน์ซอฟต์แวร์ Quartus® II จะเลือกหน่วยความจำที่เหมาะสมที่สุดสำหรับการสร้างอินสแตนซ์แต่ละรายการ เพื่อให้การใช้งานหน่วยความจำแบบฝังตัวมีประสิทธิภาพสูงสุด ตารางที่ 1 สรุปความแตกต่างในบล็อกหน่วยความจำและแอพพลิเคชั่นที่เกี่ยวข้องระหว่างตระกูล Stratix FPGA ล่าสุด

สำหรับรายละเอียดทั้งหมดเกี่ยวกับความจุบล็อกหน่วยความจำสำหรับอุปกรณ์ Stratix® V โปรดดูที่ หน้าภาพรวม Stratix® V
สำหรับรายละเอียดเกี่ยวกับจำนวนบล็อกหน่วยความจำสำหรับกลุ่ม Stratix® FPGA รุ่นก่อนหน้า โปรดดูบทในคู่มือที่เกี่ยวข้อง