เปรียบเทียบเดี๋ยวนี้

ข้อมูลจำเพาะทางเทคนิค

สิ่งจำเป็น

ความจุ
15.36 TB
คอลเลกชั่นผลิตภัณฑ์
ไดรฟ์ Intel® Solid-State DC ซีรีส์ P4510
สถานะ
Launched
วันที่วางจำหน่าย
Q4'19
ประเภท Lithography
64-Layer TLC 3D NAND
สภาวะการใช้งาน
Server/Enterprise

ประสิทธิภาพ

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)
3100 MB/s
การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)
3100 MB/s
การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
583800 IOPS
การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)
131400 IOPS
ความหน่วงแฝง - อ่าน
12 µs
ความหน่วงแฝง - เขียน
14 µs
พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน
16W
พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน
5W

ความน่าเชื่อถือ

อุณหภูมิทำงาน (สูงสุด)
70 °C
อุณหภูมิทำงาน (ต่ำสุด)
0 °C
การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน
2.17 GRMS (5-700Hz)
การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน
3.13 GRMS (5-800Hz)
การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)
1000G (0.5ms)
ช่วงอุณหภูมิการทำงาน
0°C to 70°C
เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)
2 million hours
อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)
1 sector per 10^17 bits read
ระยะเวลารับประกัน
5 yrs

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

น้ำหนัก
225g
Form Factor
E1.L
อินเตอร์เฟซ
PCIe 3.1 x4, NVMe

เทคโนโลยีขั้นสูง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง
ใช่
การเข้ารหัสฮาร์ดแวร์
AES 256 bit
High Endurance Technology (HET)
ใช่
การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ
ใช่
การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)
ใช่
เทคโนโลยี Intel® Smart Response
ไม่ใช่
Intel® Remote Secure Erase
ไม่ใช่
Intel® Rapid Storage Technology
ไม่ใช่

คำวิจารณ์

ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ

คุณสมบัตินี้อาจไม่มีในทุกระบบการประมวลผล โปรดตรวจสอบกับผู้จำหน่ายระบบเพื่อดูว่าระบบของคุณสามารถใช้คุณสมบัตินี้หรืออ้างอิงข้อมูลจำเพาะของระบบ (มาเธอร์บอร์ด, โปรเซสเซอร์, ชิปเซ็ต, พาวเวอร์ซัพพลาย, HDD, คอนโทรลเลอร์สำหรับกราฟิก, หน่วยความจำ, BIOS, ไดร์เวอร์, Virtual Machine Monitor-VMN, ซอฟท์แวร์แพลตฟอร์ม และ/หรือระบบปฏิบัติการ) สำหรับความเข้ากันได้ของคุณสมบัติ ฟังก์ชันการทำงาน, ประสิทธิภาพ และประโยชน์อื่นๆ ของคุณสมบัตินี้อาจแตกต่างกันไปตามการกำหนดค่าของระบบ