บันดาลใจจากระบบคลาวด์ เพิ่มประสิทธิภาพอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล

คุณสมบัติที่สำคัญ

  • พัฒนาจาก QLC 144 เลเยอร์ตัวแรกในอุตสาหกรรม

  • รวมและเพิ่มความเร็วของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ใช้บ่อย

  • เพิ่มพื้นที่จัดเก็บข้อมูลได้สูงสุด 1PB ใน 1U เท่านั้น

  • คุณภาพและความเชื่อถือได้ในระดับเดียวกับ TLC

  • มีให้เลือกในฟอร์มแฟคเตอร์ U.2 และ E1.L

BUILT IN - ARTICLE INTRO SECOND COMPONENT

Intel® SSD D5-P5316 ที่เพิ่มประสิทธิภาพการอ่านข้อมูลเมื่อใช้งานร่วมกับ QLC NAND และ PCIe 4.0 144 เลเยอร์ตัวแรกในอุตสาหกรรมช่วยประหยัดต้นทุนการเป็นเจ้าของลงได้อย่างมากพร้อมเพิ่มความเร็วของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่เข้าถึงบ่อย

เนื่องจากปริมาณข้อมูลที่เพิ่มสูงขึ้น อุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลจึงประสบกับความท้าทายที่เพิ่มขึ้นในแง่ของการประหยัดต้นทุน ขนาดพื้นที่และประสิทธิภาพ Intel® SSD D5-P5316 ที่สร้างขึ้นด้วย Quad-Level Cell NAND ที่ล้ำสมัยที่สุดของ Intel สามารถจัดการกับความท้าทายเหล่านี้ได้โดยมอบความหนาแน่นของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล SSD ชั้นนำในอุตสาหกรรมพร้อมประสิทธิภาพแบนด์วิดธ์ที่สูงของอินเทอร์เฟซ PCIe 4.0 Intel SSD D5-P5316 มีความจุสูงสุด 30.72TB และเนื่องจากเป็น E1.L จึงมีพื้นที่จัดเก็บข้อมูลสูงสุด 1 เพราไบต์โดยใช้พื้นที่แร็คเพียง 1U เท่านั้น ผลที่ได้คือศูนย์รวมพื้นที่เก็บข้อมูลมหาศาลที่ลดต้นทุนการเป็นเจ้าของลง

สร้างมูลค่าเพิ่มให้กับข้อมูลที่จัดเก็บ

โดยอ้างอิงจาก PCIe 4.0, SSD D5-P5316 ไม่เพียงเพิ่มความเร็วของระบบที่ใช้ HDD แบบเดิมแต่รวมถึงระบบที่ใช้ Intel SSD เจนเนอเรชั่นก่อนหน้าด้วย เมื่อเทียบกับ HDD SSD ใหม่ล่าสุดจาก Intel เพิ่มความเร็วในการเข้าถึงข้อมูลที่จัดเก็บได้สูงสุดถึง 25 เท่า1 ขณะเดียวกันในแง่ของการเพิ่มประสิทธิภาพ สามารถเพิ่มประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับได้เพิ่มขึ้น 2 เท่า2 เพิ่มประสิทธิภาพการอ่านแบบสุ่มได้สูงสุด 38% ความหน่วงแฝงดีขึ้นสูงสุด 48%3 และมีความทนทานเพิ่มขึ้นสูงสุดถึง 5 เท่า เมื่อเทียบกับตระกูล Intel SSD เจนเนอเรชั่นก่อนหน้า4
นอกจากประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้นแล้ว Intel SSD D5-P5316 ยังนำเสนอการรวมพื้นที่จัดเก็บข้อมูลให้เล็กลงด้วยการลดขนาดอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่ใช้บ่อยลงสูงสุด 20 เท่า5 การรวมพื้นที่จัดเก็บข้อมูลช่วยประหยัดต้นทุนการดำเนินการได้มากขึ้น ตลอดจนการประหยัดพลังงาน ค่าใช้จ่ายในการระบายความร้อน การเปลี่ยนไดรฟ์และการสนับสนุนทางเทคนิค

การปรับปรุงเฟิร์มแวร์ให้ดีขึ้นเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพไดรฟ์ ประสิทธิภาพด้านไอที ความปลอดภัยของข้อมูล และความสามารถในการจัดการ

Intel SSD D5-P5316 มาพร้อมกับการปรับปรุงเฟิร์มแวร์ให้ดีขึ้นโดยปรับอย่างเฉพาะเจาะจงสำหรับทั้งเวิร์คโหลดขององค์กรและระบบคลาวด์เพื่อมอบความหน่วงแฝงที่ดีขึ้น3 ความสามารถในการจัดการที่ขยายเพิ่มขึ้น และคุณสมบัติ NVMe ใหม่ที่สำคัญ

  • ตรงตามข้อกำหนด NVMe 1.3c และ NVMe-MI1.0a
  • Scatter Gather List (SGL) ขจัดความจำเป็นในการทำบัฟเฟอร์คู่ในการโฮสต์ข้อมูล
  • Persistent Event Log แสดงประวัติไดรฟ์ในรายละเอียดสำหรับการดีบักที่ครอบคลุม
  • ออกแบบมาเพื่อเพิ่มการรักษาความปลอดภัยด้วยการเข้ารหัสฮาร์ดแวร์ AES-256, NVMe Sanitize, การวัดขนาดเฟิร์มแวร์
  • การส่งข้อมูลระยะไกลช่วยให้สามารถเข้าถึงข้อมูลที่จัดเก็บไว้หลากหลายและรวมถึงสามารถติดตามและบันทึกข้อผิดพลาดได้อย่างอัจฉริยะ ซึ่งช่วยเพิ่มความเชื่อถือได้ในการค้นพบและลดปัญหา และสนับสนุนรอบการกำหนดคุณสมบัติที่รวดเร็วขึ้น ซึ่งทั้งหมดนี้ส่งผลให้ประสิทธิภาพด้านไอทีเพิ่มขึ้น

เพิ่มความเร็วช่วงเวิร์คโหลดของศูนย์ข้อมูล

SSD D5-P5316 ได้รับการออกแบบใหม่ทั้งหมดเพื่อเพิ่มประสิทธิภาพและเพิ่มความเร็วของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลในช่วงเวิร์คโหลดของศูนย์ข้อมูล รวมถึงแต่ไม่จำกัดเฉพาะ Content Delivery Network (CDN), Hyper Converged Infrastructure (HCI), Big Data, Artificial Intelligence (AI), Cloud Elastic Storage (CES) และ High Performance Computing (HPC) การปรับปรุงสถาปัตยกรรมที่สำคัญช่วยเพิ่มความเร็วช่วงเวิร์คโหลดในการอ่านที่ครอบคลุมและการเขียนตามลำดับ/แบบสุ่มชุดใหญ่ ขณะเดียวกันยังคงรักษา SLA ของเวลาในการตอบสนองที่รวดเร็ว SSD D5-P5316 รองรับขนาดการเขียนทั้งหมดด้วยกรอบการปรับปรุงคุณภาพการบริการที่ยังคงรักษาความหน่วงแฝงในการอ่านที่ต่ำขณะทำการเขียน

ผู้นำอตสาหกรรมเทคโนโลยี NAND

เทคโนโลยี 3D NAND, 144-เลเยอร์ของ Intel นำเสนอความหนาแน่นเชิงพื้นที่ระดับแนวหน้าในอุตสาหกรรม6 และการเก็บรักษาข้อมูล7 ที่ช่วยให้ลูกค้าองค์กรปรับขนาดอาร์เรย์การจัดเก็บข้อมูลได้ตามความต้องการที่เพิ่มขึ้นได้อย่างมั่นใจ การนำโครงสร้างพื้นฐานที่กำหนดโดยซอฟต์แวร์และแบบ Hyperconverged มาใช้อย่างรวดเร็ว ส่งผลให้ความต้องการในการเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุด การปรับปรุงฮาร์ดแวร์ที่มีอยู่ และการเพิ่มความคล่องตัวของเซิร์ฟเวอร์เพิ่มมากขึ้น และควบคู่ไปกับความเชื่อถือได้ในการทำงาน

คุณสมบัติโดยสรุป

   
รุ่น Intel® SSD D5-P5316
ความจุและฟอร์มแฟคเตอร์ U.2 15 มม./E1.L: 15.36TB, 30.72TB
อินเตอร์เฟซ PCIe 4.0 x4, NVMe 1.3c
Media เทคโนโลยี Intel® 3D NAND, 144-เลเยอร์, QLC
ประสิทธิภาพ

อ่าน/เขียนตามลำดับ 128K สูงสุด 7,000/3,600 MB/s

อ่านแบบสุ่ม 4K สูงสุด 800K IOPS

เขียนแบบสุ่ม 64K สูงสุด 510 MBps

อ่าน/เขียน 70/30 64K สูงสุด 1,170 MBps

ความทนทาน

0.41 DWPD

(เวิร์คโหลดเขียนแบบสุ่ม 100% 64KB)

ความน่าเชื่อถือ

UBER: 1 เซกเตอร์ต่อ 1017 บิตอ่าน

MTBF: 2 ล้านชั่วโมง

พลังงาน

ขณะเขียนเฉลี่ยสูงสุด: 25W

ไม่ทำงาน: 5W

การรับประกัน การรับประกันแบบจำกัด 5 ปี

ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ

1

ประสิทธิภาพการอ่านตามลำดับอ้างอิงจาก Intel® SSD D5-P5316 เทียบกับ Seagate Exos X18 (seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-x18-channel-DS2045-1-2007GB-en_SG.pdf)

2

การอ่านตามลำดับสูงขึ้นถึง 2 เท่า - เปรียบเทียบแบนด์วิดท์การอ่านตามลำดับ 128K ระหว่าง Intel® SSD D5-P5316 15.36TB (7.0 GB/s) และ Intel® SSD D5-P4326 15.36TB (3.2 GB/s)

3

ประสิทธิภาพในการตอบสนองที่ 99.999% ดีขึ้นสูงสุด 48%: แหล่งที่มา - ข้อมูลจำเพาะผลิตภัณฑ์ของ Intel โดยเปรียบเทียบประสิทธิภาพที่วัดได้สำหรับการอ่านแบบสุ่ม 4KB ประสิทธิการตอบสนองของ QD1 ที่ 99.999% ระหว่าง Intel® SSD D5-P5316 15.36TB กับ Intel® SSD D5-P4326 15.36TB ประสิทธิภาพที่วัดได้คือ 600us และ 1150us สำหรับ Intel® SSD D5-P5316 และ Intel® SSD D5-P4326 ตามลำดับ เปอร์เซ็นต์ที่เปลี่ยนแปลงคือ 48%

4

ความทนทานสูงขึ้นสูงสุด 5 เท่าเมื่อเทียบเจนเนอเรชั่นกัน - โดยเป็นการเปรียบเทียบความทนทาน (การเขียนแบบสุ่ม 64K) ระหว่าง Intel® SSD D5-P5316 30.72TB (22,930 TBW) กับ Intel® SSD D5-P4326 15.36TB (4,400 TBW)

5

ลดพื้นที่สำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลได้ถึง 20 เท่า ด้วยไดรฟ์ HDD 4TB จะต้องใช้พื้นที่แร็ค 10 ตัว (ขนาด 2U) เพื่อให้ได้พื้นที่เก็บข้อมูลขนาด 1PB ด้วย Intel® SSD D5-P5316 30.72TB E1.L หรือ U.2 จะใช้พื้นที่แร็คเพียง 1U เพื่อให้ได้พื้นที่เก็บข้อมูลขนาด 1PB นั่นหมายถึงการมีแร็คที่มากขึ้นถึง 20 เท่า

6

ที่มา: ISSCC 2015, J. Im; ISSCC 2017 R Yamashita; ISSCC 2017 C Kim; ISSCC 2018; H. Maejima; ISSCC 2019 C. Siau.

7

ทำการวัดโดยใช้ส่วนประกอบจาก SSD ที่ใช้เทคโนโลยีโฟลตติ้งเกตและ Charge Trap Flash แพลตฟอร์มการวัดที่ใช้คือระบบทดสอบหน่วยความจำ Teradyne Magnum 2 และการเขียนโปรแกรมที่ใช้รูปแบบการสุ่ม และส่วนต่างถูกวัดโดยใช้คำสั่งของลูกค้า ข้อมูลวัดเมื่อ 08/2019