ความแตกต่างของ Intel 18A

• ประสิทธิภาพต่อวัตต์ดีขึ้นสูงสุด 15% และความหนาแน่นของชิปที่ดีขึ้น 30% เทียบกับโหนดกระบวนการ Intel 3¹
• โหนดขั้นสูง 2nm ย่อยที่มีอยู่แรกสุดที่ผลิตในอเมริกาเหนือ โดยนําเสนอทางเลือกในการจัดหาที่ยืดหยุ่นสําหรับลูกค้า
• เทคโนโลยีการส่งมอบพลังงานถอยหลังของอุตสาหกรรมที่แรกของอุตสาหกรรม เพิ่มความหนาแน่นและการใช้เซลล์ได้ 5 ถึง 10 เปอร์เซ็นต์ และลดการหยุดชะงักของการส่งมอบพลังงานแบบต้านทาน ส่งผลให้ประสิทธิภาพการใช้พลังงาน ISO ดีขึ้นสูงสุด 4 เปอร์เซ็นต์ และลดความต้านทานธรรมชาติ (IR) ลงอย่างมากเมื่อเทียบกับการออกแบบพลังงานด้านหน้า²
• เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ RibbonFET gate-all-around (GAA) ช่วยให้สามารถควบคุมกระแสไฟฟ้าได้อย่างแม่นยํา RibbonFET ช่วยให้สามารถลดขนาดส่วนประกอบของชิปได้มากขึ้นในขณะที่ลดการรั่วไหลของพลังงาน ซึ่งเป็นข้อกังวลที่สําคัญสําหรับชิปที่มีความหนาแน่นมากขึ้น
• ตัวเก็บประจุ HD MIM ช่วยลดการขาดแคลนพลังงานเหนี่ยวนําได้อย่างมาก ช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการทํางานของชิปที่มีเสถียรภาพ ความสามารถนี้มีความสําคัญต่อเวิร์คโหลดสมัยใหม่ เช่น AI ที่สร้างซึ่งต้องการพลังการคํานวณที่ฉับพลันและเข้มข้น
• การสนับสนุนอย่างเต็มที่สําหรับเครื่องมือ EDA ระดับมาตรฐานอุตสาหกรรมและขั้นตอนอ้างอิง ช่วยให้การเปลี่ยนจากโหนดเทคโนโลยีอื่นๆ เป็นไปอย่างราบรื่น พาร์ทเนอร์ EDA ที่มีขั้นตอนการอ้างอิงลูกค้าของเราสามารถเริ่มออกแบบด้วย PowerVia ก่อนโซลูชันพลังงานด้านหลังอื่นๆ
• การชุมนุมที่แข็งแกร่งของพาร์ทเนอร์ด้านระบบนิเวศชั้นนําในอุตสาหกรรมมากกว่า 35 ราย ตั้งแต่ EDA, IP, บริการออกแบบ, บริการคลาวด์, และยานอวกาศและการป้องกันประเทศ จึงช่วยให้ลูกค้าสามารถนํามาใช้ได้ง่ายยิ่งขึ้น

PowerVia

เมื่อความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์เพิ่มขึ้น สัญญาณผสมและการกําหนดเส้นทางพลังงานจึงสร้างความแออัดที่สามารถลดประสิทธิภาพได้ เทคโนโลยี PowerVia รายแรกของอุตสาหกรรมของ Intel Foundry ย้ายสนามโลหะและกระแทกที่ด้านหลังของแม่พิมพ์และฝังนาโนทรูซิลิคอน (nano-TSVs) ในทุกเซลล์มาตรฐานเพื่อการกระจายพลังงานที่มีประสิทธิภาพ

PowerVia ปรับปรุงการใช้เซลล์มาตรฐานด้วยประสิทธิภาพ 5-10% และพลังงาน ISO สูงสุด 4%²

RibbonFET

RibbonFET ช่วยให้สามารถควบคุมกระแสไฟฟ้าในช่องทรานซิสเตอร์ได้อย่างแน่นหนา ซึ่งทําให้สามารถลดขนาดส่วนประกอบชิปได้ในขณะที่ลดการรั่วไหลของพลังงาน ซึ่งเป็นข้อกังวลที่สําคัญเนื่องจากชิปหนาแน่นขึ้นเรื่อยๆ

RibbonFET ปรับปรุงประสิทธิภาพต่อวัตต์ การทํางานของแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ํา (Vmin) และไฟฟ้าสถิตย์ มอบข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพอย่างมีนัยสําคัญ RibbonFET ยังให้ความสามารถในการปรับแต่งระดับสูงผ่านความกว้างของริบบิ้นที่หลากหลายและแรงดันไฟฟ้าเกณฑ์หลายประเภท (Vt)

พันธมิตรระบบนิเวศตัวเร่งความเร็ว Intel Foundry

เพลิดเพลินกับการสนับสนุนที่ครอบคลุมในด้านสําคัญจากพาร์ทเนอร์ระบบนิเวศ Intel Foundry Accelerator ทั่วทั้ง EDA, IP, บริการออกแบบ, บริการคลาวด์ และพันธมิตร MAG ของสหรัฐฯ

เรียนรู้เพิ่มเติม

Intel 18A ที่ดําเนินการอยู่

โปรเซสเซอร์เซิร์ฟเวอร์ Clearwater Forest แสดงให้เห็นถึงศักยภาพของ Intel 18A ร่วมกับเทคโนโลยีบรรจุภัณฑ์ขั้นสูงของ Intel Foundry