สร้างด้วยเทคโนโลยีกระบวนการผลิตระดับแนวหน้า
ใช้ประโยชน์จากมรดกของ Intel ในการนำเสนอนวัตกรรมที่สอดคล้องกันซึ่งยังคงดำเนินต่อไปในปัจจุบันด้วย Intel Foundry
ทำมากกว่าห้าโหนดในสี่ปี (5N4Y)
นอกเหนือจากเป้าหมายห้าโหนดในสี่ปี (5N4Y) อันทะเยอทะยานของเราแล้ว Intel ยังเปิดเผยแผนงานเทคโนโลยีกระบวนการเพิ่มเติมที่งาน Intel Foundry Direct Connect '24 ดังนี้:
- Intel 14A สู่แผนโหนดระดับแนวหน้าของบริษัท
- การพัฒนาโหนดเฉพาะทางที่หลากหลายสำหรับ Intel 3, Intel 18A และ Intel 14A รวมถึง Intel 3-PT พร้อมตัวเชื่อมต่อซิลิคอนสำหรับการออกแบบบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง 3 มิติ และ
- โหนดกระบวนการที่พัฒนาเต็มที่ รวมถึงโหนดขนาด 12 นาโนเมตรใหม่ที่คาดว่าจะมีขึ้นผ่านการพัฒนาร่วมกับ UMC
ลูกค้าที่พร้อมจะออกแบบสามารถเริ่มต้นการมีส่วนร่วมกับ Intel Foundry ได้แล้ววันนี้
Intel 18A: นวัตกรรมที่ใหญ่ที่สุดตั้งแต่ FinFET
แนะนำ RibbonFET และ PowerVia:
- นวัตกรรมที่ยิ่งใหญ่ที่สุดของเรานับตั้งแต่ Intel เปิดตัว FinFET ให้กับ HVM ในปี 2011
- RibbonFET ซึ่งเป็นการใช้ทรานซิสเตอร์ Gate-all-around (GAA) ของ Intel Foundry ช่วยเพิ่มความหนาแน่นและประสิทธิภาพเมื่อเทียบกับ FinFET
- ริบบอนสแต็คที่ได้รับการปรับปรุงให้ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่เหนือกว่าและแรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำ (Vmin)
- PowerVia คือการนำสถาปัตยกรรมการส่งพลังงานด้านหลังมาใช้ครั้งแรกในอุตสาหกรรมโดยเฉพาะ ซึ่งปรับปรุงการใช้งานเซลล์มาตรฐานขึ้น 5-10% และประสิทธิภาพพลังงาน ISO สูงสุด 4%1
- เหมาะอย่างยิ่งสำหรับ High Performance Computing (HPC) และแอปพลิเคชันมือถือ
Intel 3: สุดยอดโหนด FinFET ของ Intel
ประสิทธิภาพสูงต่อวัตต์พร้อมการใช้รังสีอัลตราไวโอเลตระดับสูงสุด (EUV) อย่างกว้างขวาง:
- วิวัฒนาการของ Intel 4 ที่มีความหนาแน่นของชิปสูงขึ้น 1.08x เท่าและประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่ดีขึ้น 18%2
- เพิ่มไลบรารี่ที่หนาแน่นขึ้น กระแสไดรฟ์ที่ปรับปรุงให้ดีขึ้น และการเชื่อมต่อระหว่างกัน ในขณะที่ได้รับประโยชน์จากการเรียนรู้ของ Intel 4 เพื่อเพิ่มอัตราผลตอบแทนที่เร็วขึ้น
- เหมาะสำหรับแอปพลิเคชันคอมพิวเตอร์ทั่วไป
12nm: ขยายทางเลือกของลูกค้าในการร่วมมือกับ UMC
การขยายกลุ่มผลิตภัณฑ์ของเราผ่านความร่วมมือด้านนวัตกรรม:
- UMC และ Intel Foundry กำลังร่วมกันพัฒนาแพลตฟอร์มเทคโนโลยี 12nm โดยนำเอาความเชี่ยวชาญด้าน FinFET ของ Intel มาผสานรวมกับตรรกะและประสบการณ์โหมดผสมผสาน/RF ของ UMC
- พร้อมแข่งขันกับ 12nm ระดับอุตสาหกรรม3
- มอบทางเลือกที่ยอดเยี่ยมแก่ลูกค้าในการตัดสินใจจัดซื้อจัดหาด้วยการเข้าถึงห่วงโซ่อุปทานที่มีความหลากหลายทางภูมิศาสตร์และยืดหยุ่นมากขึ้น
- เหมาะสมอย่างยิ่งสำหรับตลาดที่มีการเติบโตสูง เช่น มือถือ การเชื่อมต่อไร้สาย และแอปพลิเคชันเครือข่าย
Intel 16: เกตเวย์ที่เหมาะสำหรับ FinFET
ข้อดีของ FinFET ที่มีความยืดหยุ่นในระนาบ:
- ประสิทธิภาพของโหนดคลาส 16 นาโนเมตรที่มีมาสก์น้อยกว่าและกฎการออกแบบแบ็คเอนด์ที่เรียบง่ายกว่า
กำลังดูตัวอย่าง
Intel 14A: PowerVia เจนเนอเรชั่น 2 รวมกับ RibbonFET
EUV รูรับแสงเชิงตัวเลขสูง (High NA) ครั้งแรกของอุตสาหกรรม
- High NA เป็นรากฐานของการปรับขนาดที่คุ้มค่า
ดูข้อเสนอระดับโลกอื่นๆ จาก Foundry ของเรา
เรากำลังขับเคลื่อนความเป็นผู้นำระดับโลกด้วยการลงทุนจำนวนมากในไซต์การผลิตทั่วโลกเพื่อช่วยคุณสร้างซิลิคอนเจนเนอเรชั่นถัดไป ข้อเสนอที่ไม่เหมือนใครของเราขับเคลื่อนด้วยเทคโนโลยีกระบวนการขั้นสูงที่เสริมด้วยระบบนิเวศของพันธมิตรที่แข็งแกร่ง
การผลิตทั่วโลก
รับประโยชน์จากการจัดหาเวเฟอร์และการประกอบและการทดสอบที่มีประสิทธิภาพ มีความหลากหลายทางภูมิศาสตร์ และขยายอย่างต่อเนื่อง
เรียนรู้เพิ่มเติม
ระบบนิเวศการออกแบบ
พลิกโฉมการออกแบบของคุณด้วยการผสมผสานที่เป็นเอกลักษณ์ของเทคโนโลยี Intel Foundry, IP, EDA และบริการผ่านโปรแกรมพันธมิตรระบบนิเวศ Intel Foundry Accelerator
เรียนรู้เพิ่มเติม
พอร์ทัลของ Intel Foundry
ประกาศและข้อสงวนสิทธิ์4
ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ
เทคโนโลยีแพลตฟอร์ม FinFET ขั้นสูงแบบ Intel 3 สำหรับการคำนวณผลประสิทธิภาพสูง (High Performance Computing) และแอปพลิเคชันผลิตภัณฑ์ SOC ซึ่งมาเป็นส่วนหนึ่งของ 2024 VLSI Symposium
ตามข้อมูลจำเพาะการออกแบบโหนด
หน้าเว็บนี้มีข้อความคาดการณ์ล่วงหน้าเกี่ยวกับแผนหรือความคาดหวังในอนาคตของ Intel รวมถึงที่เกี่ยวเนื่องกับเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์ในอนาคต และคุณประโยชน์ที่คาดไว้และความพร้อมบริการของเทคโนโลยีและผลิตภัณฑ์เหล่านั้น คำประกาศเหล่านี้ได้รับการอ้างอิงมาจากความคาดหวังในปัจจุบัน และมีความเสี่ยงและความไม่แน่นอนมากมายที่อาจทำให้ผลลัพธ์ที่ได้มีความแตกต่างออกไปอย่างมากจากสิ่งที่สื่อ และแสดงในคำประกาศดังกล่าว สำหรับข้อมูลเพิ่มเติมเกี่ยวกับปัจจัยที่อาจทำให้ผลลัพธ์ที่ได้มีความแตกต่างออกไปอย่างมาก โปรดดูการประกาศงบการเงิน และหนังสือชี้ชวนฉบับล่าสุดของเราได้ที่ www.intc.com