Intel 14A

ความก้าวหน้าครั้งสำคัญของยุคสมัย

• ขับเคลื่อนด้วยทรานซิสเตอร์ RibbonFET 2 Gate-all-around และการส่งกำลังไฟด้านหลัง PowerDirect เพื่อประสิทธิภาพและสมรรถนะที่ก้าวล้ำ
• มอบประสิทธิภาพที่เพิ่มขึ้น 15–20% โดยใช้พลังงานเท่าเดิม หรือลดการใช้พลังงานลง 25–35% โดยยังให้ประสิทธิภาพเท่าเดิม และปรับปรุงความหนาแน่นของชิปได้สูงสุดถึง 30% เมื่อเทียบกับ Intel 18A¹
• Turbo Cells ช่วยเร่งประสิทธิภาพ CPU/GPU พร้อมทั้งช่วยให้นักออกแบบสามารถปรับแต่งค่าการแลกเปลี่ยนประสิทธิภาพด้านพลังงานระดับบล็อคได้อย่างละเอียดสำหรับการใช้งานเป้าหมาย

Intel 18A

นวัตกรรมชั้นนำของอุตสาหกรรม

• นำเสนอการผสมผสานครั้งแรกในอุตสาหกรรมระหว่างทรานซิสเตอร์ RibbonFET Gate-all-around และการจ่ายพลังงานจากด้านหลัง PowerVia
• มอบประสิทธิภาพที่สูงขึ้นสูงสุดถึง 18% ที่ระดับพลังงาน iso, ลดการใช้พลังงานลง 38% ที่ระดับประสิทธิภาพ iso และปรับปรุงความหนาแน่นของชิปได้ 30% เมื่อเทียบกับ Intel 3²
• PowerVia ช่วยปรับปรุงการใช้เซลล์มาตรฐานและลดแรงดันตก IR ซึ่งช่วยเพิ่มประสิทธิภาพการจ่ายพลังงานและประสิทธิภาพการทำงาน
• RibbonFET ช่วยให้ควบคุมไฟฟ้าสถิตได้ดีขึ้น ให้ประสิทธิภาพต่อวัตต์ที่สูงขึ้น และรองรับการทำงานที่แรงดันไฟฟ้าขั้นต่ำ (Vmin) ต่ำลง
• พร้อมสำหรับการออกแบบ ด้วยการรองรับระบบนิเวศอย่างเต็มที่และการรองรับการออกแบบ
• โหนดในตระกูล Intel 18A ยังรวมถึง Intel 18A-P ซึ่งมอบประสิทธิภาพต่อวัตต์เพิ่มขึ้นสูงสุดถึง 9% และเพิ่มประสิทธิภาพด้านพลังงาน³ และ Intel 18A-PT สำหรับการผสานรวม 3DIC ขั้นสูง

เรียนรู้เพิ่มเติม

Intel 3

สุดยอดโหนด FinFET ของเรา

• การใช้ประโยชน์จาก EUV และไลบรารีที่ได้รับการปรับปรุงเพื่อกระแสขับเคลื่อนและประสิทธิภาพการเชื่อมต่อระหว่างกันที่ดียิ่งขึ้น
• มีประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 18% ณ ระดับการใช้พลังงานที่เท่ากัน (iso-power) และมีความหนาแน่นของชิปเพิ่มขึ้นสูงสุดถึง 8% เมื่อเทียบกับ Intel 4⁴
• เหมาะอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานประมวลผลทั่วไป โดยสร้างสมดุลระหว่างประสิทธิภาพและประสิทธิผล
• ตระกูลผลิตภัณฑ์นี้ประกอบด้วย Intel 3-E ที่มาพร้อมกับขีดความสามารถด้าน I/O และอนาล็อกที่เพิ่มขึ้น และ Intel 3-T ที่มาพร้อมกับ TSV แบบพาสทรูสำหรับการซ้อนกันที่มีความหนาแน่นสูง
• อยู่ในการผลิตปริมาณมากและมีให้ใช้งานผ่าน Design Services Node โดยเฉพาะ

โหนดกระบวนการผลิต 12nm ของ Intel และ UMC

ความร่วมมือในนวัตกรรม

• พัฒนาขึ้นร่วมกับ UMC โดยผสานรวมความเชี่ยวชาญด้าน FinFET ของ Intel เข้ากับประสบการณ์ด้านลอจิกและ RF ของ UMC
• มอบประสิทธิภาพที่สูงขึ้นถึง 10% เมื่อใช้อุปกรณ์ FinFET ที่ได้รับการปรับแต่งให้เหมาะสม และลดการใช้พลังงานลงถึง 20% โดยการลดแรงดันไฟฟ้าเมื่อเทียบกับเทคโนโลยี 14nm (14FFC) ของ UMC
• ปรับแต่งให้เหมาะสมสำหรับตลาดอุปกรณ์พกพา ไร้สาย และเครือข่าย
• นำเสนอทางเลือกของห่วงโซ่อุปทานที่หลากหลายและยืดหยุ่นซึ่งรองรับแอปพลิเคชันที่มีการเติบโตสูง

Intel 16

ข้อได้เปรียบของ FinFET พร้อมความยืดหยุ่นของ Planar

• มอบประสิทธิภาพระดับ 16nm โดยใช้มาสก์น้อยลงและกฎการออกแบบส่วนแบ็กเอนด์ที่เรียบง่ายขึ้น
• เหมาะอย่างยิ่งสำหรับอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูล, RF, mmWave และแอปพลิเคชันสำหรับผู้บริโภค
• ปรับปรุงพฤติกรรมของช่องสัญญาณสั้นในช่วงความยาวช่องสัญญาณที่หลากหลาย
• อยู่ในการผลิตปริมาณมากที่ Fab 24 ของ Intel Foundry ในไอร์แลนด์

พันธมิตรระบบนิเวศ Intel Foundry Accelerator

เพลิดเพลินกับการสนับสนุนอย่างครบวงจรในด้านต่าง ๆ ที่สำคัญจากพาร์ทเนอร์ในระบบนิเวศ ครอบคลุมทั้ง IP, EDA, บริการออกแบบ, คลาวด์, USMAG, ห่วงโซ่มูลค่า และความร่วมมือด้านชิปเลต

เรียนรู้เพิ่มเติม

ผู้นำอุตสาหกรรมไว้วางใจใน Intel Foundry

เมื่อผลิตภัณฑ์ Intel 18A ออกวางจำหน่ายในตลาดและกลุ่มผลิตภัณฑ์โหนดที่ขยายตัวมากขึ้น ลูกค้าจึงเลือก Intel Foundry เพื่อสมรรถนะและความมีประสิทธิภาพระดับผู้นำ

เราได้ประกาศแผนการจัดตั้ง Intel Foundry เป็นบริษัทย่อย เพื่อให้ลูกค้ามีความมั่นใจมากขึ้นและแยกการมีส่วนร่วมที่ชัดเจนยิ่งขึ้น