Intel® Optane™ DC SSD ซีรี่ส์ P5801X

800GB, EDSFF S 15 มม. PCIe* x4, Intel® 3D XPoint™

ข้อมูลจำเพาะ

ข้อมูลจำเพาะด้านประสิทธิภาพ

ข้อมูลเสริม

ข้อมูลจำเพาะของแพ็คเกจ

ข้อมูลการสั่งซื้อและการปฏิบัติตามกฎระเบียบ

ข้อมูลการสั่งซื้อและข้อมูลจำเพาะ

Intel® Optane™ SSD DC P5801X Series (800GB, EDSFF S 15mm PCIe x4, 3D XPoint™) Generic Single Pack

  • MM# 99AK8M
  • รหัสการสั่งซื้อ SSDPFV1Q800GB01

ข้อมูลความสอดคล้องตามข้อบังคับการค้า

  • ECCN 5A992C
  • CCATS G162706
  • US HTS 8523510000

ไดรเวอร์และซอฟต์แวร์

ไดรเวอร์และซอฟต์แวร์ล่าสุด

พร้อมให้ดาวน์โหลด:
ทั้งหมด

ชื่อ

การสนับสนุน

วันที่วางจำหน่าย

วันที่เปิดตัวผลิตภัณฑ์ครั้งแรก

สภาวะการใช้งาน

สภาวะการใช้งานคือสภาพแวดล้อมและสภาวะการทำงานจากบริบทการใช้งานของระบบ
สำหรับข้อมูลสภาวะการใช้งานที่เฉพาะเจาะจงของ SKU โปรดดู รายงาน PRQ
สำหรับข้อมูลสภาวะการใช้งานปัจจุบัน โปรดดูที่ Intel UC (ไซต์ CNDA)*

การอ่านแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเรียกข้อมูลที่ประกอบเป็นบล็อกที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การเขียนแบบลำดับ (สูงสุด)

ความเร็วที่อุปกรณ์สามารถเขียนข้อมูลไปที่บล็อกข้อมูลที่เป็นระเบียบและต่อเนื่อง วัดเป็น MB/s (เมกะไบต์ต่อวินาที)

การอ่านแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเรียกข้อมูลจากตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

การเขียนแบบสุ่ม (ช่วง 100%)

ความเร็วที่ไดร์ฟ Solid State สามารถเขียนข้อมูลไปที่ตำแหน่งใดๆ ในหน่วยความจำของเนื้อที่ทั้งหมดในไดร์ฟ วัดเป็น IOPS (Input/Output Operations Per Second)

ความหน่วงแฝง - อ่าน

ความหน่วงแฝงการอ่าน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานเรียกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

ความหน่วงแฝง - เขียน

ความหน่วงแฝงการเขียน บ่งชี้ถึงระยะเวลาที่ใช้ในการปฏิบัติการงานบันทึกข้อมูล วัดเป็นไมโครวินาที

พลังงานไฟฟ้า - ทำงาน

Active Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อทำงาน

พลังงานไฟฟ้า - ไม่ทำงาน

Idle Power บ่งบอกถึงการใช้พลังงานโดยทั่วไปของอุปกรณ์เมื่อไม่ได้ใช้งาน

การสั่นสะเทือน - ขณะทำงาน

Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่กำลังทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การสั่นสะเทือน - ขณะไม่ทำงาน

Non-Operating Vibration บ่งชี้ถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการสั่นสะเทือนที่รายงานในสถานะที่ไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G RMS (Root Mean Square)

การกระแทก (ขณะทำงานและขณะไม่ทำงาน)

การกระแทกบ่งบอกถึงประสิทธิภาพของไดร์ฟ Solid State ที่ได้รับการทดสอบในการทนต่อการกระแทกที่รายงานทั้งในสถานะที่กำลังทำงานและไม่ได้ทำงาน และยังคงสามารถทำงานอยู่ได้ วัดเป็นแรง G (สูงสุด)

อุณหภูมิการทํางานสูงสุด

นี่เป็นอุณหภูมิการทํางานสูงสุดที่อนุญาตตามที่รายงานโดยเซ็นเซอร์อุณหภูมิ อุณหภูมิฉับตัวอย่างอาจเกินค่านี้เป็นระยะเวลาสั้นๆ หมายเหตุ: อุณหภูมิสูงสุดที่สังเกตได้สามารถกําหนดค่าได้โดยผู้จัดจําหน่ายระบบ และสามารถออกแบบเฉพาะได้

ระดับความทนทาน (การเขียนตลอดอายุการใช้งาน)

ระดับความทนทานบ่งบอกถึงรอบการบันทึกข้อมูลที่คาดหวังตลอดอายุการใช้งานของอุปกรณ์

เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว (MTBF)

MTBF (เวลาเฉลี่ยระหว่างความล้มเหลว) บ่งชี้ถึงระยะเวลาการปฏิบัติการที่คาดว่าจะใช้ระหว่างความล้มเหลว วัดเป็นชั่วโมง

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER)

อัตราความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ (UBER) บ่งชี้ถึงจำนวนความผิดพลาดบิตซึ่งไม่สามารถแก้ไขได้ หารด้วยจำนวนบิตที่ถ่ายโอนทั้งหมดระหว่างช่วงเวลาการทดสอบ

ระยะเวลารับประกัน

ดูเอกสารการรับประกันสำหรับผลิตภัณฑ์นี้ได้ที่ https://supporttickets.intel.com/warrantyinfo

Form Factor

ฟอร์มแฟคเตอร์บ่งบอกถึงขนาดและรูปร่างของอุปกรณ์ตามมาตรฐานอุตสาหกรรม

อินเตอร์เฟซ

อินเตอร์เฟสบ่งบอกถึงมาตรฐานอุตสาหกรรมของวิธีของบัสการสื่อสารที่ใช้โดยอุปกรณ์

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง

การปกป้องข้อมูลเมื่อไฟตกที่ได้รับการปรับปรุง จะมีการเตรียม SSD ไว้สำหรับการสูญเสียพลังงานของระบบที่คาดไม่ถึง โดยลดการถ่ายโอนข้อมูลในบัฟเฟอร์ชั่วคราว และใช้การประจุไฟฟ้าป้องกันการสูญเสียพลังงานที่อยู่บนบอร์ด เพื่อจ่ายพลังงานอย่างเพียงพอให้กับเฟิร์มแวร์ SSD เพื่อย้ายข้อมูลจากบัฟเฟอร์การถ่ายโอนและบัฟเฟอร์ชั่วคราวอื่นๆ ไปที่ NAND อันเป็นการปกป้องระบบและข้อมูลผู้ใช้

การเข้ารหัสฮาร์ดแวร์

การเข้ารหัสฮาร์ดแวร์ คือการเข้ารหัสข้อมูลที่ทำในระดับของไดรฟ์ ซึ่งเป็นวิธีที่ใช้เพื่อตรวจสอบว่าข้อมูลที่เก็บบนไดรฟ์นั้นปลอดภัยจากการคุกคามที่ไม่พึงปรารถนา

High Endurance Technology (HET)

High Endurance Technology (HET) ในไดร์ฟ Solid State รวมการปรับปรุงซิลิคอนของหน่วยความจำแฟลช Intel® NAND และเทคนิคการบริหารจัดการระบบไดร์ฟ Solid State เพื่อช่วยยืดความทนทานของไดร์ฟ Solid State ความทนทาน ได้รับการนิยามไว้ว่าเป็นปริมาณข้อมูลที่สามารถเขียนลงบนไดร์ฟ Solid State ได้ตลอดอายุการใช้งาน

การตรวจสอบและการบันทึกอุณหภูมิ

การตรวจติดตามและการบันทึกอุณหภูมิ ใช้เซ็นเซอร์วัดอุณหภูมิภายในเพื่อตรวจติดตามและบันทึกการไหลของอากาศและอุณหภูมิภายในของอุปกรณ์ โดยสามารถเข้าถึงผลที่บันทึกได้ด้วยคำสั่ง SMART

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End)

การปกป้องข้อมูลแบบครบวงจร (End-to-End) ทำให้แน่ใจถึงความสมบูรณ์ของข้อมูลที่จัดเก็บในการถ่ายโอนจากคอมพิวเตอร์ถึงไดร์ฟ Solid State และกลับมาอีกครั้ง