การเพลิกโฉมเศรษฐศาสตร์การจัดเก็บข้อมูล

เทคโนโลยี Intel® 3D NAND ได้ขยับขยายความเป็นผู้นำของเราในด้านหน่วยความจำแฟลชที่มาพร้อมกับสถาปัตยกรรมที่ถูกออกมาแบบมาเพื่อปริมาณความจุที่มากขึ้นและประสิทธิภาพที่ยอดเยี่ยม และได้รับการรังสรรค์ขึ้นผ่านกระบวนการผลิตที่ได้รับการตรวจสอบแล้ว เพื่อเร่งความเร็วในการเปลี่ยนแปลงและการปรับขนาด และขยายพอร์ตโครงการไปยังกลุ่มตลาดที่หลากหลายอย่างรวดเร็ว

การเพิ่มศักยภาพความจุในอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลโดย Intel Innovation

Intel ได้เปิดตัว PCIe* SSD ตัวแรกของโลกด้วยเทคโนโลยี Intel® QLC เทคโนโลยี Intel® QLC 3D NAND มาพร้อมกับความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลที่ 1 สูงกว่า 3D NAND รุ่นก่อนหน้านี้ถึง 33% โดยมาพร้อมกับคุณสมบัติอันเป็นเอกลักษณ์ในการเร่งความเร็วของ PCIe* ที่ส่งมอบความน่าเชื่อถือในด้านประสิทธิภาพ ความจุ และมูลค่า ซึ่งทำให้เทคโนโลยีนี้ได้ก้าวขึ้นเป็นโซลูชันอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลอัจฉริยะสำหรับศูนย์ข้อมูล และลูกค้าในตลาด

เทคโนโลยี Intel® QLC ใช้ประโยชน์จาก 3D NAND ในปัจจุบันที่มาพร้อมกับโครงสร้างขนาด 64 เลเยอร์ ได้รับการเพิ่มบิตต่อเซลล์เป็น 4 บิตต่อเซลล์ (QLC) ซึ่งทำให้นี่เป็นหน่วยความจำแฟลชที่มีความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลมากที่สุดของโลก นอกจากนี้ เทคโนโลยีนี้ใช้ยังใช้งานเซลล์โฟลตติ้งเก็ต ซึ่งเป็นวิธีการลดต้นทุนของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่มีความน่าเชื่อถือ สุดท้ายนี้เทคโนโลยี Intel® QLC ได้ถูกนำมาจับคู่กับเทคโนโลยี PCIe*- (NVMe*) ส่งมอบประสิทธิภาพที่เหนือกว่าอินเตอร์เฟซ SATA ถึง 4 เท่า2

การเตรียมพร้อมสำหรับอนาคตด้วย Intel QLC-built เทคโนโลยี Intel® ที่น่าเชื่อถือ และได้รับการสนับสนุนจากผู้นำด้านการผลิตอย่าง Intel

อ่านเอกสาร

ในที่สุด ประสิทธิภาพของ SSD ก็สามารถตอบโจทย์มูลค่าทางธุรกิจขนาดใหญ่ได้

เทคโนโลยี Intel® QLC 3D NAND ได้ลดปริมาณ HDD ของระบบในศูนย์ข้อมูลลงอย่างมาก 3 อีกทั้งการลดระบบที่ต้องดูแลให้น้อยลงยังได้นำไปสู่การประหยัดพลังงานและความเย็น 4 พร้อมกับลดการทำงาน และต้นทุนที่เกี่ยวข้องจากการเปลี่ยนไดรฟ์ 5 และเพิ่มประสิทธิภาพของระบบขึ้น ในขณะที่ใช้ HDD น้อยลง 6 การเร่ง PCIe* ได้ทะลุผ่านคอขวดของ SATA7 และทำให้ QLC ปลดปล่อยศักยภาพออกมาได้อย่างเต็มที่ นอกจากนี้ ผลิตภัณฑ์ศูนย์ข้อมูลที่ใช้งานเทคโนโลยี Intel® 3D NAND ยังสามารถส่งมอบประสิทธิภาพที่ดียิ่งขึ้นกว่าเดิม2 พร้อมกับเร่งความเร็วในการเข้าถึงไปยังข้อมูลที่ต้องการมากที่สุดได้ เมื่อนำไปจับคู่กับเทคโนโลยีเพิ่มเติมอย่าง Intel® Optane™

ทำงานได้มากขึ้น จัดเก็บข้อมูลมากขึ้น และประหยัดยิ่งขึ้นด้วยเทคโนโลยี Intel® QLC ที่มาพร้อมกับ Intel® SSD D5-P4320 ซีรีส์, Intel® SSD D5-P4326 ซีรีส์ และ Intel® SSD D5-P4420 ซีรีส์ ขณะนี้มีการจัดส่งในปริมาณจำกัด

ความน่าทึ่งในราคาที่จับต้องได้

ความน่าทึ่งในราคาที่จับต้องได้

เทคโนโลยี Intel® QLC 3D NAND ช่วยให้ผู้บริโภคสามารถแก้ไขปัญหาความต้องการด้านอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลในทุกวันนี้ และเตรียมพร้อมสำหรับความต้องการที่เพิ่มมากขึ้นในอนาคตได้ SSD สำหรับลูกค้าเหล่านี้จัดเก็บข้อมูลได้มากกว่าอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลแบบ TLC ด้วยความจุที่เพิ่มขึ้นถึง 2 เท่าโดยใช้อุปกรณ์เท่าเดิม1 ซึ่งมีเพียง Intel เท่านั้นที่สามารถผสานรวมเทคโนโลยีใหม่อันน่าทึ่งนี้เข้ากับ PCIe* เพื่อมอบประสิทธิภาพ PCIe* ในราคาที่ย่อมเยาได้

ซื้อ Intel® QLC 3D NAND SSD

ออกแบบมาเพื่อความจุและความน่าเชื่อถือ

เทคโนโลยี Intel® 3D NAND เป็นนวัตกรรมที่ได้รับการรังสรรค์ขึ้นเพื่อตอบสนองต่อความต้องการด้านความจุของอุปกรณ์จัดเก็บข้อมูลที่เพิ่มมากขึ้นในอุตสาหกรรม และเมื่อเปรียบเทียบกับโซลูชัน NAND อื่นๆ ที่พร้อมใช้งานแล้ว เทคโนโลยี Intel® 3D NAND ได้รับการออกแบบบนสถาปัตยกรรมแบบโฟลตติ้งเก็ตโดยมีขนาดเซลล์ที่เล็กกว่า และอาร์เรย์หน่วยความจำที่ทรงประสิทธิภาพ ซึ่งทำให้โซลูชันมีความจุและความน่าเชื่อถือมากขึ้น และมีการป้องกันที่แข็งแกร่งต่อการสูญเสียประจุ

ความเป็นผู้นำด้านนวัตกรรม

ก้าวข้ามไปเป็น 64 เลเยอร์

Intel ได้นำประสบการณ์ด้านเซลล์แฟลชกว่า 30 ปีเพื่อเปลี่ยน NAND จาก 2D เป็น 3D และจากเซลล์หลายระดับ (MLC) เป็นเซลล์สามระดับ (TLC) และจาก 32 เลเยอร์เป็นเทคโนโลยี 64 เลเยอร์สุดล้ำสมัยของเรา เพื่อส่งมอบความหนาแน่นในการจัดเก็บข้อมูลสูงสุด8 และเพิ่มปริมาณความจุในโซลูชัน 3D NAND ขึ้นอย่างรวดเร็ว

พอร์ตโครงการที่ขยับขยายได้

รังสรรค์ขึ้นบนกระบวนการที่ผ่านการรับรองแล้ว

เทคโนโลยี 3D NAND ช่วยให้ Intel สามารถส่งมอบนวัตกรรม และศักยภาพที่ทรงพลังให้กับกลุ่มผลิตภัณฑ์ที่กว้างขวาง ประสบการณ์ของเราในการออกแบบสถาปัตยกรรมนี้ไปเป็นโซลูชัน SSD ได้ช่วยให้เราสามารถปรับปรุงประสิทธิภาพ การใช้พลังงาน ความเสถียรของประสิทธิภาพ และความน่าเชื่อถือกับอุปกรณ์เจเนอเรชั่นต่างๆ ได้อย่างรวดเร็ว

ความสามารถในการปรับขนาดการผลิต

สร้างโอกาสในการสร้างความเปลี่ยนแปลง

Intel ใช้งานกระบวนการผลิตที่ได้รับการรับรองผ่านการปริมาณการผลิตในระดับสูงมาหลายทศวรรษเพื่อผลิตเทคโนโลยี 3D NAND Intel ความหวังว่าจะเพิ่มปริมาณการผลิตของ 3D NAND ได้เร็วกว่าความต้องการในตลาดผ่านการทำงานร่วมกันที่ยอดเยี่ยมในทั่วทั้งเครือข่ายโรงงานของเรา ซึ่งจะช่วยให้เราสามารถส่งมอบการเป็นเจ้าของในราคาที่ย่อมเยา และการเร่งความเร็วแอพพลิชั่นให้กับฐานลูกค้าของเรา

ข้อมูลผลิตภัณฑ์และประสิทธิภาพ

1

TLC (Tri-Level Cell) จุข้อมูลได้ 3 บิตต่อเซลล์และ QLC (Quad Level Cell) จุข้อมูลได้ 4 บิตต่อเซลล์ คำนวณได้เป็น (4-3)/3 = บิตเพิ่มขึ้น 33% ต่อเซลล์

2

คลัสเตอร์ vSAN* 4 โหนด – การกำหนดค่าระบบ 1 โหนด: รุ่นเซิร์ฟเวอร์: Intel Purley S2600WF (R2208WFTZS); MB: H48104-850; CPU: โปรเซสเซอร์ Dual Intel® Xeon® Gold 6142 2.6G, 16C/32T, 10.4GT/s, แคช 22M, Turbo, HT (150W) DDR4-2666; หน่วยความจำ: 16GB RDIMM, 2666MT/s, Dual Rank x16; NICs: Intel X520-DA2 10GbE SFP+ DAC และ Intel X722 10GbE LAN แบบเอ็มเบ็ดเด็ด การกำหนดค่า TLC ทั้งหมด: 2x Intel® SSD Data Center ซีรีส์ P4610 1.6TB สำหรับการแคชและ 4x Intel® SSD Data Center ซีรีส์ P4510 4.0TB สำหรับความจุการจัดเก็บข้อมูล; หน่วยความจำ Intel® Optane™+การกำหนดค่า QLC: 2x Intel® Optane™ SSD DC P4800X 375GB สำหรับการแคชและ 2x Intel® SSD ซีรีส์ D5-P4320 7.68TB สำหรับความจุการจัดเก็บข้อมูล 2 เวิร์กโหลด: HCIBench: https://labs.vmware.com/flings/hcibench จำนวน VMs: 16, จำนวนดิสก์ข้อมูล: 8, ขนาดดิสก์ข้อมูล: 60 จำนวนดิสก์ที่จะทดสอบ: 8, เปอร์เซ็นต์ชุดการทำงาน: 100, จำนวนเธรดต่อดิสก์: 4, ขนาด Block: 4K, เปอร์เซ็นต์การอ่าน: 70, เปอร์เซ็นต์สุ่ม: 50, เวลาการทดสอบ: 3600 ผลลัพธ์: การกำหนดค่า P4610+P4510 = 83,451 IOPS @ ความหน่วง 6.3ms การกำหนดค่า P4800x+P43220 = 346,644 IOPS @ ความหน่วง 1.52ms

3

เปรียบเทียบ HDD 3.5’ 4TB WD Gold TB ระดับองค์กร 7200 RPM ที่สนับสนุน 24 HDD ต่อ 2U และ 20U และ 960TB ทั้งหมดรวมกันเป็น 30.72TB E1.L Intel® SSD D-5 P4326 (มีจำหน่ายเร็วๆ นี้) สนับสนุนสูงถึง 32 ต่อ 1U และทั้งหมด 1U และ 983TB ทั้งหมด จึงเป็น 20 แร็คต่อ 1 แร็ค

4

การประหยัดต้นทุนด้านพลังงาน, การระบายความร้อน, การรวมเข้าด้วยกัน อิงจาก HDD: 7.2K RPM 4TB HDD, AFR 2.00% และกำลังไฟฟ้าจริง 7.7W, 24 ไดรฟ์แบบ 2U (พลังงานทั้งหมด 1971W) https://www.seagate.com/files/www-content/datasheets/pdfs/exos-7-e8-data-sheet-DS1957-1-1709US-en_US.pdf SSD: กำลังไฟฟ้าจริง 22W 44% AFR, ไดรฟ์ 32 แบบ 1U (พลังงานทั้งหมด 704W); ต้นทุนการระบายความร้อนอิงจากเงื่อนไขการนำไปใช้ 5 ปี โดยมีต้นทุน Kwh $.158 และจำนวนวัตต์ในการระบายความร้อน 1 วัตต์ 1.20 อิงจากไดรฟ์ 3.5” HDD 2U 24 และไดรฟ์ EDSFF ยาว 1U แบบ 1U 32 พื้นที่จัดเก็บข้อมูลแบบไฮบริดที่อิงจากการใช้ Intel® Transforming Learning Course(s) (Intel® TLC) SSD เป็นแคช

5

ประหยัดต้นทุนในการเปลี่ยนไดรฟ์ การคำนวณ: HDD 2% AFR x ไดรฟ์ 256 x 5 ปี = การเปลี่ยน 25.6 ครั้งใน 5 ปี; SSD: 0.44% AFR x ไดรฟ์ 32 x 5 ปี = การเปลี่ยน 0.7 ครั้งใน 5 ปี

6

เปรียบเทียบ IOP การอ่านแบบสุ่ม 4K และ Queue Depth ที่ 32 ระหว่าง Intel SSD ซีรีส์ D5-P4320 และ Toshiba N300 HDD 175,000 IOP: ข้อมูลที่วัดค่าได้จาก Intel® SSD ซีรีส์ D5-P4320 7.68TB SSD IOP การอ่านแบบสุ่ม 4K; Queue Depth ที่ 32 532 IOP: อิงจากการวัดประสิทธิภาพของ Tom’s Hardware สำหรับ Toshiba N300 8TB 7.2K RPM HDD IOP การอ่านแบบสุ่ม 4K; Queue Depth ที่ 32: https://www.tomshardware.com/reviews/wd-red-10tb-8tb-nas-hdd,5277-2.html ดังนั้น IOP การอ่านแบบสุ่ม 4K จึงดีกว่า 329 เท่า

7

PCIe* IOPS อิงจากการจำลองการอ่านแบบสุ่ม 4K, Queue Depth ที่ 256 ทำการประเมินประสิทธิภาพโดย Intel สำหรับ PCIe* ของ Intel® SSD ซีรีส์ D5-P4320 /Intel® SSD ซีรีส์ D5-P4326 ที่ใช้ QLC SSD ที่ความจุต่างกัน: 3.84TB, 7.68TB, 15.36TB และ 30.72TB ตั้ง SATA IOP เป็น 100K IOP สำหรับคะแนนความจุทั้งหมดอิงกับ 100K IOP เป็นค่าสูงสุดที่เป็นไปได้สำหรับ SSD ในปัจจุบันจาก Micron ที่อิงกับ SATA ที่มีประสิทธิภาพใกล้เคียงกัน เอกสารข้อมูล SSD NAND Flash ซีรีส์ 5200 ของ Micron แสดงการอ่านแบบสุ่มสูงสุด 4K QD32 IOP ที่ 95K IOP สำหรับ SKU 3.84TB และ 7.68TB

8

เปรียบเทียบความหนาแน่นที่แท้จริงของข้อมูลที่วัดโดย Intel บน 512 GB Intel® 3D NAND กับตัวแทนจากคู่แข่งที่อิงจากเอกสาร 2017 IEEE International Solid-State Circuits Conference ที่ระบุขนาดไดย์ของ Samsung Electronics และ Western Digital/Toshiba สำหรับส่วนประกอบ 64-stacked 3D NAND