เทคโนโลยี Intel® 22 nm

ขอแนะนำทรานซิสเตอร์ 3D ที่เกิดขึ้นเป็นครั้งแรกของโลก ภายใต้การผลิตในปริมาณมาก

3D, 22 nm: เทคโนโลยีใหม่ที่นำเสนอการผสานรวมของประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงานอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อน

Intel ได้นำเทคโนโลยีที่ไม่เหมือนใครมาใช้สำหรับตระกูลโปรเซสเซอร์ในอนาคต: ทรานซิสเตอร์แบบ 3D ซึ่งผลิตที่ 22 nm ทรานซิสเตอร์ใหม่เหล่านี้ทำให้ Intel สามารถก้าวเดินตาม กฎของ Moore ได้ต่อไป และเพื่อให้แน่ใจว่าความเร็วพัฒนาการของเทคโนโลยีอันเป็นที่คาดการณ์ของลูกค้าจะสามารถดำเนินต่อไปอีกเป็นเวลานานนับหลายปี

ก่อนหน้านี้ ทรานซิสเตอร์ ซึ่งเป็นแก่นของไมโครโปรเซสเซอร์นั้นมีลักษณะ 2D (แนวราบ) ทรานซิสเตอร์ 3D Tri-Gate ของ Intel® และความสามารถในการผลิตในปริมาณมาก ทำให้เกิดการเปลี่ยนแปลงอันยิ่งใหญ่ที่โครงสร้างระดับพื้นฐานของชิปคอมพิวเตอร์ เรียนรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับประวัติของทรานซิสเตอร์

นี่อาจหมายถึงว่า Intel จะสามารถเป็นผู้นำต่อไปด้านการประมวลผล ตั้งแต่ซูปเปอร์คอมพิวเตอร์ที่เร็วที่สุดในโลก จนถึงอุปกรณ์มือถือที่มีขนาดเล็กกะทัดรัด

เล็กกว่าย่อมดีกว่า

ขนาดและโครงสร้างทรานซิสเตอร์คือจุดศูนย์รวมความสำคัญของการนำเสนอคุณประโยชน์จาก กฎของ Moore ให้กับผู้ใช้ปลายทาง ทรานซิสเตอร์ยิ่งเล็กและประหยัดพลังงานก็เท่ากับยิ่งดีขึ้นเท่านั้น Intel สามารถลดขนาดเทคโนโลยีการผลิตที่คาดการณ์ได้อย่างต่อเนื่อง ในนวัตกรรมที่นับว่าเป็นครั้งแรกของโลก: 45 nm พร้อมด้วย high-k/metal gate ในปี 2007; 32 nm ในปี 2009; และขณะนี้ที่ 22 nm ด้วยทรานซิสเตอร์แบบ 3D ครั้งแรกของโลกในกระบวนการผลิตโลจิกในปริมาณมาก เริ่มต้นในปี 2011

ด้วยทรานซิสเตอร์ 3D ที่มีขนาดเล็กลง Intel สามารถออกแบบโปรเซสเซอร์ที่มีพลังประมวลผลสูงขึ้น พร้อมการประหยัดพลังงานอย่างไม่น่าเชื่อ เทคโนโลยีใหม่ทำให้สามารถเกิดสถาปัตยกรรมย่อส่วนที่เป็นนวัตกรรม การออกแบบ System on Chip (SoC) และผลิตภัณฑ์ใหม่—ตั้งแต่เซิร์ฟเวอร์ และพีซี จนถึงสมาร์ทโฟน และผลิตภัณฑ์โฉมใหม่สำหรับผู้บริโภค

ทรานซิสเตอร์ในแบบ 3 มิติ

ทรานซิสเตอร์ Intel® 3D tri-gate ใช้สามประตูห่อหุ้มรอบช่องซิลิคอนในโครงสร้างแบบ 3D ทำให้เกิดการผสานรวมอย่างที่ไม่เคยมีมาก่อนของประสิทธิภาพและการประหยัดพลังงาน Intel ออกแบบทรานซิสเตอร์ใหม่เพื่อการประหยัดพลังงานอันยอดเยี่ยมสำหรับใช้ในอุปกรณ์มือถือ เช่น สมาร์ทโฟน และแท็บเล็ต ขณะที่ให้ประสิทธิภาพการทำงานที่สูงขึ้นที่มักพบได้ในโปรเซสเซอร์ระดับไฮเอ็นด์

กำเนิดนวัตกรรมโปรเซสเซอร์

ทรานซิสเตอร์ใหม่มีประสิทธิภาพการทำงานอันเยี่ยมยอดที่แรงดันไฟต่ำ ทำให้ทีมออกแบบโปรเซสเซอร์ Intel® Atom™ สามารถคิดค้นวิธีการทำงานด้านสถาปัตยกรรมใหม่สำหรับสถาปัตยกรรมย่อส่วน Intel® Atom™ ขนาด 22 nm การออกแบบใหม่ช่วยขยายคุณประโยชน์ของสภาวะแรงดันไฟต่ำยิ่งของเทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ 3D Tri-Gate และผลิตภัณฑ์ SoC ในอนาคตของ Intel จะอิงกับทรานซิสเตอร์ 3D tri-gate แบบ 22 nm จะใช้พลังงานขณะที่ไม่ได้ทำงานระดับต่ำกว่า 1 mW—สำหรับ SoCs ที่พลังงานต่ำอย่างเหลือเชื่อ

การเป็นผู้นำต่อไปของ Intel ทำให้ผู้ใช้ได้รับผลประโยชน์ต่อไป

เปิดตัวช่วงปลายปี 2011 โปรเซสเซอร์ Intel® Core™ เจนเนอเรชั่น 3 เป็นชิปตัวแรกที่ผลิตในปริมาณมากที่ใช้ทรานซิสเตอร์แบบ 3D

ขณะที่ Intel ยังครองตำแหน่งผู้นำต่อไปในผลิตภัณฑ์เซิร์ฟเวอร์ พีซี โน้ตบุ๊ก และอุปกรณ์มือถือที่ใช้เทคโนโลยีทรานซิสเตอร์ 3D ขนาด 22 nm ผู้บริโภคและธุรกิจสามารถคาดหวังได้ถึงการประมวลผลและระบบกราฟิกที่เร็วยิ่งขึ้น และอายุการใช้งานแบตเตอรี่ที่ยาวนานขึ้นภายใต้ฟอร์มแฟคเตอร์ที่เพรียวบาง

 

Media Asset with Text Component (RWD)

วิดีโอที่เกี่ยวข้อง

ข้อมูลที่เกี่ยวข้อง